Экспериментально исследовано влияние параметров процесса магнетронного осаждения тонкой 4-5 nm сверхпроводящей пленки нитрида ниобия NbN и технологии изготовления NbN HEB-смесителей на разброс их основных параметров для минимизации в дальнейшем этого разброса. Однородность параметров изготовленных NbN HEB-смесителей, кроме оптимизации процесса осаждения NbN-пленки, достигалась за счет подготовки поверхности Si-подложки, а также за счет использования осажденного in situ с пленкой NbN слоя Au - контакта с планарной THz-антенной. Изготовленные по оптимизированному маршруту NbN HEB-смесители имели практически идентичные R(T) характеристики с разбросом критической температуры и нормального сопротивления не более 0.15 K и 2 Ω соответственно. Шумовая температура на частоте гетеродина 2.52 THz составляла 800 K с разбросом 150 K от образца к образцу. Шумовая полоса смесителей при T=4.5 K составляла в среднем 7 GHz. Ключевые слова: терагерцовый диапазон, тонкая пленка нитрид ниобия, гетеродинный приемник.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.