Вышедшие номера
Получение неодносвязных магнитных паттернированных мезочастиц с помощью электронной литографии
Российский научный фонд, 21-72-10176
Татарский Д.А.1,2, Скороходов Е.В.1, Пашенькин И.Ю.1, Гусев С.А.1
1Институт физики микроструктур РАН, Афонино, Кстовский р-он, Нижегородская обл., Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: tatarsky@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 4 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 4 мая 2024 г.
Принята к печати: 4 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 1 июля 2024 г.

В настоящее время паттернированные магнитные структуры вызывают большой интерес в связи с их потенциальным применением в спинтронике в качестве генераторов СВЧ излучения и элементов памяти. В частности, перспективной системой являются двумерные решетки ферромагнитных дисков, в которых реализуется вихревое распределение намагниченности. Разработаны новые методы электронной литографии и ионного травления, позволяющие с высокой точностью получить частицы заданной формы и размеров. Выполнено исследование микроструктуры и магнитных состояний неодносвязных магнитных частиц, сформированных из пленок пермаллоя методами аналитической и лоренцевой просвечивающей электронной микроскопии. Экспериментальные результаты демонстрируют хорошее согласие с данными, полученными микромагнитным моделированием. Ключевые слова: электронная литография, ионное травление, лоренцева просвечивающая электронная микроскопия.
  1. R.P. Cowburn, D.K. Koltsov, A.O. Adeyeye, M.E. Welland, D.M. Tricker. Phys. Rev. Lett., 83, 1042 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevLett.83.1042
  2. K.L. Metlov, Y. Lee. Appl. Phys. Lett., 92, 11 (2008). DOI: 10.1063/1.2898888
  3. Д.А. Татарский, В.Л. Миронов, А.А. Фраерман. ЖЭТФ, 142, 366 (2023). DOI: 10.31857/S0044451023030082
  4. K.S. Buchanan, P.E. Roy, M. Grimsditch, F.Y. Fradin, K.Yu. Guslienko, S.D. Bader, V. Novosad. Nat. Phys., 1, 172 (2005). DOI: 10.1038/nphys173
  5. К.Л. Метлов. Письма в ЖЭТФ, 118, 95 (2023). DOI: 10.31857/S1234567823140057
  6. D.A. Tatarskiy, A.N. Orlova, E.V. Skorokhodov, I.Yu. Pashenkin, V.L. Mironov, S.A. Gusev. JMMM, 590, 171580 (2024). DOI: 10.1016/j.jmmm.2023.171580
  7. M. Schneider, H. Hoffmann, J. Zweck. Appl. Phys. Lett., 77, 2909 (2000). DOI: 10.1063/1.1320465
  8. S.A. Nepijko, G. Schonhense. Appl. Phys. A, 96, 671 (2009). DOI: 10.1007/s00339-009-5131-4
  9. M. Schneider, H. Hoffmann, J. Zweck. Appl. Phys. Lett., 79, 3113 (2001). DOI: 10.1063/1.1410873
  10. P. Vavassori, N. Zaluzec, V. Metlushko, V. Novosad, B. Ilic, M. Grimsditch. Phys. Rev. B, 69, 214404 (2004). DOI: 10.1103/PhysRevB.69.214404
  11. С.А. Гусев, Д.А. Татарский, А.Ю. Климов, В.В. Рогов, Е.В. Скороходов, М.В. Сапожников, Б.А. Грибков, И.М. Нефёдов, А.А. Фраерман. ФТТ, 55, 435 (2013)
  12. С.Н. Вдовичев, Б.А. Грибков, С.А. Гусев, В.Л. Миронов, Д.С. Никитушкин, А.А. Фраерман, В.Б. Швецов. ФТТ, 48, 1791 (2006)
  13. S. Ma, C. Con, M. Yavuz, Bo Cui. Nanoscale Res. Lett., 6 (1), 446 (2011). DOI: 10.1186/1556-276X-6-446
  14. B. Bilenberg, M. Sch ler, P. Shi, M.S. Schmidt, P. B ggild, M. Fink, C. Schuster, F. Reuther, C. Gruetzner, A. Kristensen. J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 1776 (2006). DOI: 10.1116/1.2210002
  15. S.M. Lewis, G.A. DeRose, H.R. Alty, M.S. Hunt, N. Lee, J.A. Mann, R. Grindell, A. Wertheim, L. De Rose, A. Fernandez, C.A. Muryn, G.F.S. Whitehead, G.A. Timco, A. Scherer, R.E.P. Winpenny. Adv. Func. Mater., 32, 2202710 (2022). DOI: 10.1002/adfm.202202710
  16. R. Andok, K. Vutova, A. Bencurova, I. Kostic, E. Koleva. J. Phys.: Conf. Ser., 2443, 012006 (2023). DOI: 10.1088/1742-6596/2443/1/012006
  17. K. Kato, Y. Liu, Sh. Murakami, Y. Morita, T. Mori, Nanotech., 32, 485301 (2021). DOI: 10.1088/1361-6528/ac201b
  18. I. Zailer, J.E.F. Frost, V. Chabasseur-Molyneux, C.J.B. Fordand, M. Pepper. Semicond. Sci. Technol., 11, 1235 (1996). DOI: 10.1088/0268-1242/11/8/021
  19. H. Yang, A. Jin, Q. Luo, J. Li, Ch. Gu, Z. Cui. Microelectron. Engineer., 85, 814 (2008). DOI: 10.1016/j.mee.2008.01.006
  20. P. Schnauber, R. Schmidt, A. Kaganskiy, T. Heuser, M. Gschrey, S. Rodt, S. Reitzenstein. Nanotech., 27, 195301 (2016). DOI: 10.1088/0957-4484/27/19/195301
  21. D.A. Tatarskiy, N.S. Gusev, S.A. Gusev. Ultramicroscopy, 253, 113822 (2023). https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2023.113822
  22. Д.Г. Реунов, Н.С. Гусев, М.С. Михайленко, Д.В. Петрова, И.В. Малышев, Н.И. Чхало. ЖТФ, 93 (7), 1032 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.07.55765.105-23
  23. R. Heilbronner. Tectonophysics, 212, 351 (1992). DOI: 10.1016/0040-1951(92)90300-U
  24. B. Zang, K. Suzuki, A. Liu. Mater. Characterization, 142, 577 (2018)
  25. A. Vansteenkiste, J. Leliaert, M. Dvornik, M. Helsen, F. Garcia-Sanchez, B. Van Waeyenberg. AIP Adv., 4, 107133 (2014). DOI: 10.1063/1.4899186
  26. S. McVitie, M. Cushley. Ultramicroscopy, 106, 423 (2006). DOI: 10.1016/j.ultramic.2005.12.001

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.