Выполнены исследования инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов на основе квантово-размерных гетероструктур AlGaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с множественными квантовыми ямами в активной области и с внутренними отражателями: с брэгговским отражателем, дополненным либо "отражающим" слоем Al_0.9Ga_0.1As, либо тыльным серебряным зеркалом. Исследованы постростовые технологии двух типов: планарная технология изготовления светоизлучающих диодов с сохранением ростовой подложки n-GaAs и технология "переноса" выращенной гетероструктуры на пластину-носитель p-GaAs с последующим стравливанием ростовой подложки. Максимальная внешняя квантовая эффективность более 37% при токах 0.1-0.2 A получена в светоизлучающих диодах на основе гетероструктуры с брэгговским отражателем и дополнительным Ag-зеркалом, встроенным в светоизлучающих диодах методом переноса гетероструктуры на пластину p-GaAs с использованием серебросодержащей пасты. Максимальная мощность излучения 275 mW при токе 1.2 A достигнута в светоизлучающих диодах, полученных методом "переноса" с использованием сплава Au + In. Ключевые слова: инфракрасный светоизлучающий диод, AlGaAs/GaAs-гетероструктура, брэгговский отражатель, квантовые ямы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.