Управление электронным транспортом в квази-2D-слоистых ZnO-наночешуйках с позиции их эффективного применения в твердотельных сенсорах
Глухова О.Е.
1, Колесниченко П.А.
11Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: glukhovaoe@info.sgu.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 21 сентября 2023 г.
Принята к печати: 21 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 27 января 2024 г.
Рассмотрены электронные характеристики квази-2D-слоистых ZnO-наночeшуек, а также роль контроля их толщины с позиции повышения чувствительности поверхности этих наноструктур к аналитам (ацетон, бутанол и др.). Исследование проводилось с использованием метода SCC DFTB в программном комплексе DFTB+. В качестве объекта исследования были выбраны наночешуйки ZnO с гексагональной структурой (группа симметрии P63mc) с фазовой поверхностью (1120). Для данного объекта находилась оптимальная ширина 2D-слоя, после чего на его поверхность помещались различные аналиты и рассчитывалось сопротивление. Результатом исследования стала диаграмма изменения сопротивления (проводимости) оксида цинка при нахождении на его поверхности различных аналитов. Ключевые слова: оксид цинка, аналиты, проводимость, квантовый транспорт, SCC DFTB.
- M. Hellstrom, K. Jorner, M. Bryngelsson, S.E. Huber, J. Kullgren, T. Frauenheim, P. Broqvist. J. Phys. Chem. C, 117, 17004 (2013). DOI: 10.1021/jp404095x
- H. Morko, U. Ozgur. Zinc Oxide: Fundamentals, Materials, and Device Technology (Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, Weinheim, 2009), DOI: 10.1002/9783527623945
- C. Ratnasamy, J. Wagner. Catalys. Rev., 51, 325 (2009). DOI: 10.1080/01614940903048661
- Z.L. Wang. J. Phys. Condensed Matter, 16, 829 (2004). DOI: 10.1088/0953-8984/16/25/R01
- K. Schilling, B. Bradford, D. Castelli, E. Dufour, J.F. Nash, W. Pape, S. Schulte, I. Tooley, J. Van den Bosch, F. Schellauf. Photochem. Photobiolog. Sci., 9, 495 (2010). DOI: 10.1039/b9pp00180h
- T. Xia, M. Kovochich, M. Liong, L. Madler, B. Gilbert, H. Shi, J.I. Yeh, J.I. Zink, A.E. Nel. ACS Nano, 2, 2121 (2008). DOI: 10.1021/nn800511k
- K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono. Science, 300 (5623), 1269 (2003). DOI: 10.1126/science.1083212
- T. Nakada, Y. Hirabayashi, T. Tokado, D. Ohmori, T. Mise. Solar Energy, 77 (6), 739 (2004). DOI: 10.1016/j.solener.2004.08.010
- C. Zhou, J. Kang. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 19, 229 (2008). DOI: 10.1007/s10854-007-9561-5
- S.H. Overbury, P.V. Radulovic, S. Thevuthasan, G.S. Herman, M.A. Henderson, C.H.F. Peden. Surf. Sci., 410, 106 (1998). DOI: 10.1016/S0039-6028(98)00307-0
- C.B. Duke, A.R. Lubinsky. Surf. Sci., 50, 605 (1975). DOI: 10.1016/0039-6028(75)90049-7
- M. Sambi, G. Granozzi, G.A. Rizzi, M. Casarin, E. Tondello. Surf. Sci., 319, 149 (1994). DOI: 10.1016/0039-6028(94)90577-0
- M. Galeotti, A. Atrei, U. Bardi, G. Rovida, M. Torrini, E. Zanazzi, A. Santucci, A. Klimov. Chem. Phys. Lett., 222, 349 (1994). DOI: 10.1016/0009-2614(94)87073-X
- N.K. Plugotarenko, T.N. Myasoedova, S.P. Novikov, T.S. Mikhailova. Chemosensors, 10 (4), 126 (2022). DOI: 10.3390/chemosensors10040126
- S. Datta. Electronic Transport in Mesoscopic Systems (Cambridge University Press, Cambridge, 1995). DOI: 10.1017/CBO9780511805776
- O.E. Glukhova, D.S. Shmygin. Beilstein J. Nanotechnol., 9, 1254 (2018). DOI: 10.3762/bjnano.9.117
- O.E. Glukhova, G.V. Savostyanov, M.M. Slepchenkov. Proced. Mater. Sci., 6, 256 (2014). DOI: 10.1016/j.mspro.2014.07.032
- M. Elstner, D. Porezag, G. Jungnickel, J. Elsner, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Suhai, G. Seifert. Phys. Rev. B, 58, 7260 (1998). DOI: 10.1103/PhysRevB.58.7260
- O.E. Glukhova, M.M. Slepchenkov. J. Phys. Chem. C, 120, 17753 (2016). DOI: 10.1021/acs.jpcc.6b05058
- M.M. Slepchenkov, D.S. Shmygin, G. Zhang, O.E. Glukhova. Nanoscale, 11, 16414 (2019). DOI: 10.1039/C9NR05185F
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.