Вышедшие номера
Термополевая эмиссия в наноструктурах с резонансным туннелированием
Российский научный фонд , «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами», 21-19-00226.
Давидович М.В.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: davidovichmv@info.sgu.ru
Поступила в редакцию: 6 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 15 октября 2023 г.
Принята к печати: 18 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 25 декабря 2023 г.

Представлена модель термополевой эмиссии в наноструктурах с несколькими барьерами и потенциальными ямами между ними, основанная на строгом определении формы квантового потенциала и строгом решении уравнения Шредингера с учетом теплового баланса и влияния пространственного заряда. Рассмотрены вакуумные и полупроводниковые резонансно-туннельные диодные и триодные структуры с двумя, тремя и более электродами. Приведена формула для коррекции квантового потенциала за счет влияния пространственного заряда. Показано, что в общем случае необходимо рассматривать двустороннее туннелирование и разогрев электродов с разными температурами за счет протекания тока. Рассмотрены условия, когда вклад обратного тока мал, когда можно пренебречь термотоком или туннельным током. Подход может быть распространен на нестационарный случай. Ключевые слова: резонансное туннелирование, термополевая эмиссия, вакуумный нанотриод, потенциальный барьер, квантовая яма.