Вышедшие номера
Изучение угловых зависимостей скоростей ионно-пучкового распыления металлов для синтеза заготовок фотошаблонов
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , Federal Scientific and Technical Program for the Development of Synchrotron and Neutron Research and Research Infrastructure for 2019-2027, 075-15-2021-1350
Михайленко М.С.1, Пестов А.Е.1, Чернышев А.К.1, Чхало Н.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: mikhaylenko@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 12 мая 2023 г.
Принята к печати: 12 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2023 г.

Рассмотрено применение никеля как альтернативного материала-поглотителя при изготовлении заготовки маски для литографии в окрестности длины волны 11.2 nm. Установлено значение оптимального угла для эффективного распыления источниками ускоренных ионов аргона мишеней из Ru, Be и Ni для изготовления многослойной структуры Ru/Be с верхним слоем из Ni. Показано, что при угле 60o скорость травления всех трех материалов составляет 35±5 nm/min для ионов аргона с энергией 800 eV при плотности ионного тока 0.5 mA/cm2. Ключевые слова: литография, фотошаблон, рентгеновское зеркало, ионное распыление, ионное травление.
  1. S. Bajt, R.D. Behymer, P.B. Mirkarimi, C. Montcalm, M.A. Wall. Experimental Investigation of Beryllium-Based Multilayer Coatings for Extreme Ultraviolet Lithography. Proc. SPIE 3767, 259 (1999)
  2. P.B. Mirkarimi. Opt. Eng., 38 (7), 1246 (1999)
  3. N.I. Chkhalo, N.N. Salashchenko. AIP Advances, 3, 082130 (2013)
  4. А.Н. Нечай, А.А. Перекалов, Н.Н. Салащенко, Н.И. Чхало. Опт. и спектр., 129 (3), 266 (2021). DOI: 10.21883/OS.2021.03.50652.282-20
  5. R.M. Smertin, N.I. Chkhalo, M.N. Drozdov, S.A. Garakhin, S.Yu. Zuev, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, P.A. Yunin. Opt. Express, 30 (26), 46749 (2022)
  6. P.-Y. Yan, G. Zhang, A. Ma, T. Liang. TaN EUVL Mask Fabrication and Characterization. Proc. SPIE 4343, Emerging Lithographic Technologies V, (2001). DOI: 10.1117/12.436668
  7. Электронный ресурс. Режим доступа: https://henke.lbl.gov/optical_constants/
  8. P.-Y. Yan, Y. Liu, M. Kamna, G. Zhang, R. Chen, F. Martinez. EUVL Multilayer Mask Blank Defect Mitigation for Defect-Free EUVL Mask Fabrication. Proc. SPIE 8322, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography III, 83220Z (2012). DOI: 10.1117/12.927018
  9. M.S. Mikhailenko, N.I. Chkhalo, I.A. Kaskov, I.V. Malyshev, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, M.N. Toropov, I.G. Zabrodin. Precision Engineering, 48, 338 (2017). DOI: 10.1016/j.precisioneng.2017.01.004
  10. W. Eckstein. Vacuum, 82 (9), 930 (2008). DOI: 10.1016/j.vacuum.2007.12.004
  11. R.E. Lee. J. Vacuum Sci. Technol., 16, 164 (1979). DOI: 10.1116/1.569897

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.