Вышедшие номера
Изучение влияния энергии ионов неона на шероховатость поверхности основных срезов монокристаллического кремния при ионном травлении
Russian science foundation, 21-72-30029
Михайленко М.С.1, Пестов А.Е.1, Чернышев А.К.1, Зорина М.В.1, Чхало Н.И.1, Салащенко Н.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: mikhaylenko@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 12 мая 2023 г.
Принята к печати: 12 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2023 г.

Приведены результаты изучения энергетических зависимостей коэффициента распыления и величины эффективной шероховатости поверхности монокристаллического кремния при облучении ионами неона с энергией 100-1000 eV. Определены параметры ионно-пучкового травления ускоренными ионами Ne, обеспечивающие высокий коэффициент распыления (скорость травления). Установлено значение эффективной шероховатости в диапазоне пространственных частот 4.9·10-2-6.3·101 μm-1, составившее менее 0.3 nm для основных срезов монокристаллического кремния <100>, <110> и <111>. Ключевые слова: поверхность, шероховатости, распыление, ионное травление.
  1. R.E. Riveros, M.P. Biskach, K.D. Allgood, J.D. Kearney, M. Hlinka, A. Numata, W.W. Zhang. Fabrication of Lightweight Silicon x-ray Mirrors for High-Resolution x-ray Optics. SPIE Astronomical Telescopes + Instrumentation, 2018, Austin, Texas, United States. Proceedings, 10699, 106990P (2018). DOI: 10.1117/12.2313409
  2. P.Z. Takacs. Synchrotron Radiation News, 2 (26), 24 (1989)
  3. E. Spiller, D. Stearns, M. Krumrey. J. Appl. Phys., 74, 107 (1993). DOI: 10.1063/1.354140
  4. A. Rack, T. Weitkamp, M. Riotte, D. Grigoriev, T. Rack, L. Helfen, T. Baumbach, R. Dietsch, T. Holz, M. KrAamer, F. Siewert, M. Meduna, P. Cloetens, E. Ziegler. J. Synchrotron Rad., 17, 496 (2010). DOI: 10.1107/S0909049510011623
  5. D. Zhu, Y. Feng, S. Stoupin, S.A. Terentyev, H.T. Lemke, D.M. Fritz, M. Chollet, J.M. Glownia, R. Alonso-Mori, M. Sikorski, S. Song, T.B. van Driel, G.J. Williams, M. Messerschmidt, S. Boutet, V.D. Blank, Yu.V. Shvyd'ko, A. Robert. Rev. Sci. Instrum., 85, 063106 (2014). DOI: 10.1063/1.4880724
  6. K. Li, Y. Liu, M. Seaberg, M. Chollet, Th.M. Weiss, A. Sakdinawat. Opt. Express, 28 (8), 10939 (2020). DOI: 10.1364/OE.380534
  7. M. Polikarpov, V. Polikarpov, I. Snigireva, A. Snigirev. Phys. Procedia, 84, 213 (2016). DOI: 10.1016/j.phpro.2016.11.037
  8. М.С. Михайленко, А.Е. Пестов, А.К. Чернышев, М.В. Зорина, Н.И. Чхало, Н.Н. Салащенко. ЖТФ, 92 (8), 1219 (2022)
  9. M. Demmler, M. Zeuner, F. Allenstein, Th. Dunger, M. Nestler, S. Kiontke. Ion Beam Figuring (IBF) for High Precision Optics. SPIE MOEMS-MEMS, 2010, San Francisco, California, United States. Proceedings, 7591, 75910Y (2010). DOI: 10.1117/12.840908
  10. W. Liao, Y. Dai, X. Xie, L. Zhou. Appl. Opt., 53 (19), 4275 (2014). DOI: 10.1364/AO.53.004275
  11. D.J. Mazey, R.S. Nelson, R.S. Barnes. Philosophical Magazine, 17 (150), 1145 (1968). DOI: 10.1080/14786436808223192
  12. G. Carter, V. Vishnyakov. Surface and Interface Analysis, 23(7-8), 514 (1995). DOI: 10.1002/sia.740230711
  13. M.S. Mikhailenko, N.I. Chkhalo, I.A. Kaskov, I.V. Malyshev, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, M.N. Toropov, I.G. Zabrodin. Precision Engineering, 48, 338 (2017). DOI: 10.1016/j.precisioneng.2017.01.004
  14. Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.telstv.ru/?page=en_silicon_wafers
  15. N.I. Chkhalo, S.A. Churin, M.S. Mikhailenko, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, M.V. Zorina. Appl. Opt., 55 (6), 1249 (2016). DOI: 10.1364/AO.55.001249
  16. N.I. Chkhalo, N.N. Salashchenko, M.V. Zorina. Rev. Sci. Instrum., 86, 016102 (2015)
  17. J. Ziegler, J.P. Biersack, M.D. Ziegler. SRIM-The Stopping and Ranges of Ions in Solids (SRIM Co., Chester, 2008), www.srim.org

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.