Изучение влияния энергии ионов неона на шероховатость поверхности основных срезов монокристаллического кремния при ионном травлении
Russian science foundation, 21-72-30029
Михайленко М.С.1, Пестов А.Е.1, Чернышев А.К.1, Зорина М.В.1, Чхало Н.И.1, Салащенко Н.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: mikhaylenko@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 12 мая 2023 г.
Принята к печати: 12 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2023 г.
Приведены результаты изучения энергетических зависимостей коэффициента распыления и величины эффективной шероховатости поверхности монокристаллического кремния при облучении ионами неона с энергией 100-1000 eV. Определены параметры ионно-пучкового травления ускоренными ионами Ne, обеспечивающие высокий коэффициент распыления (скорость травления). Установлено значение эффективной шероховатости в диапазоне пространственных частот 4.9·10-2-6.3·101 μm-1, составившее менее 0.3 nm для основных срезов монокристаллического кремния <100>, <110> и <111>. Ключевые слова: поверхность, шероховатости, распыление, ионное травление.
- R.E. Riveros, M.P. Biskach, K.D. Allgood, J.D. Kearney, M. Hlinka, A. Numata, W.W. Zhang. Fabrication of Lightweight Silicon x-ray Mirrors for High-Resolution x-ray Optics. SPIE Astronomical Telescopes + Instrumentation, 2018, Austin, Texas, United States. Proceedings, 10699, 106990P (2018). DOI: 10.1117/12.2313409
- P.Z. Takacs. Synchrotron Radiation News, 2 (26), 24 (1989)
- E. Spiller, D. Stearns, M. Krumrey. J. Appl. Phys., 74, 107 (1993). DOI: 10.1063/1.354140
- A. Rack, T. Weitkamp, M. Riotte, D. Grigoriev, T. Rack, L. Helfen, T. Baumbach, R. Dietsch, T. Holz, M. KrAamer, F. Siewert, M. Meduna, P. Cloetens, E. Ziegler. J. Synchrotron Rad., 17, 496 (2010). DOI: 10.1107/S0909049510011623
- D. Zhu, Y. Feng, S. Stoupin, S.A. Terentyev, H.T. Lemke, D.M. Fritz, M. Chollet, J.M. Glownia, R. Alonso-Mori, M. Sikorski, S. Song, T.B. van Driel, G.J. Williams, M. Messerschmidt, S. Boutet, V.D. Blank, Yu.V. Shvyd'ko, A. Robert. Rev. Sci. Instrum., 85, 063106 (2014). DOI: 10.1063/1.4880724
- K. Li, Y. Liu, M. Seaberg, M. Chollet, Th.M. Weiss, A. Sakdinawat. Opt. Express, 28 (8), 10939 (2020). DOI: 10.1364/OE.380534
- M. Polikarpov, V. Polikarpov, I. Snigireva, A. Snigirev. Phys. Procedia, 84, 213 (2016). DOI: 10.1016/j.phpro.2016.11.037
- М.С. Михайленко, А.Е. Пестов, А.К. Чернышев, М.В. Зорина, Н.И. Чхало, Н.Н. Салащенко. ЖТФ, 92 (8), 1219 (2022)
- M. Demmler, M. Zeuner, F. Allenstein, Th. Dunger, M. Nestler, S. Kiontke. Ion Beam Figuring (IBF) for High Precision Optics. SPIE MOEMS-MEMS, 2010, San Francisco, California, United States. Proceedings, 7591, 75910Y (2010). DOI: 10.1117/12.840908
- W. Liao, Y. Dai, X. Xie, L. Zhou. Appl. Opt., 53 (19), 4275 (2014). DOI: 10.1364/AO.53.004275
- D.J. Mazey, R.S. Nelson, R.S. Barnes. Philosophical Magazine, 17 (150), 1145 (1968). DOI: 10.1080/14786436808223192
- G. Carter, V. Vishnyakov. Surface and Interface Analysis, 23(7-8), 514 (1995). DOI: 10.1002/sia.740230711
- M.S. Mikhailenko, N.I. Chkhalo, I.A. Kaskov, I.V. Malyshev, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, M.N. Toropov, I.G. Zabrodin. Precision Engineering, 48, 338 (2017). DOI: 10.1016/j.precisioneng.2017.01.004
- Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.telstv.ru/?page=en_silicon_wafers
- N.I. Chkhalo, S.A. Churin, M.S. Mikhailenko, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, M.V. Zorina. Appl. Opt., 55 (6), 1249 (2016). DOI: 10.1364/AO.55.001249
- N.I. Chkhalo, N.N. Salashchenko, M.V. Zorina. Rev. Sci. Instrum., 86, 016102 (2015)
- J. Ziegler, J.P. Biersack, M.D. Ziegler. SRIM-The Stopping and Ranges of Ions in Solids (SRIM Co., Chester, 2008), www.srim.org
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
