Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние комбинированного ионного и электронного облучения на полосу люминесценции 2 eV в гексагональном нитриде бора

DOI: 10.21883/JTF.2023.07.55746.62-23

Переводная версия: 10.61011/TP.2023.07.56627.62-23

Российский научный фонд, 23-22-00067

Петров Ю.В.

¹, Гогина О.А.¹, Вывенко О.Ф.

¹, Kovalchuk S.², Bolotin K.²

¹Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

²Free University of Berlin, Berlin, Germany

Email: y.petrov@spbu.ru

Поступила в редакцию: 30 марта 2023 г.

В окончательной редакции: 30 марта 2023 г.

Принята к печати: 30 марта 2023 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2023 г.

PDF версия

Точечные дефекты в широкозонных полупроводниках, в частности в гексагональном нитриде бора, являются перспективными кандидатами на роль источников одиночных фотонов, применяемых в квантовой информатике. Исследованы катодолюминесценция ионно-индуцированных дефектов в гексагональном нитриде бора, а также влияние продолжительного облучения электронами на интенсивность люминесценции. Показано, что интенсивность как зона-зонного, так и связанного с дефектами излучения уменьшается в результате облучения ионами, а в процессе последующего облучения электронами интенсивность полосы люминесценции 2 eV увеличивается, в то время как интенсивность остальных полос сохраняется. Ключевые слова: катодолюминесценция, ионное облучение, электронное облучение, гексагональный нитрид бора.

I. Aharonovich, D. Englund, M. Toth. Nat. Phot., 10, 631 (2016). DOI: 10.1038/NPHOTON.2016.186
N. Mizuochi, T. Makino, H. Kato, D. Takeuchi, M. Ogura, H. Okushi, M. Nothaft, P. Neumann, A. Gali, F. Jelezko, J. Wrachtrup, S. Yamasaki. Nat. Phot., 6, (2012). DOI: 10.1038/NPHOTON.2012.75
R. Bourrellier, S. Meuret, A. Tararan, O. Stephan, M. Kociak, L.H.G. Tizei, A. Zobelli. Nano Lett., 16, 4317 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01368
G. Cassabois, P. Valvin, B. Gil. Nat. Phot., 10, 262 (2016). DOI: 10.1038/nphoton.2015.277
S. Castelletto, F.A. Inam, S. Sato, A. Boretti. Beilstein J. Nanotechnol. 11, 740 (2020). DOI: 10.3762/bjnano.11.61
A. Vokhmintsev, I. Weinstein, D. Zamyatin. J. Lum., 208, 363 (2019). DOI: 10.1016/j.jlumin.2018.12.036
N. Chejanovsky, M. Rezai, F. Paolucci, Y. Kim, T. Rendler, W. Rouabeh, F. Favaro de Oliveira, P. Herlinger, A. Denisenko, S. Yang, I. Gerhardt, A. Finkler, J. H. Smet, J. Wrachtrup. Nano Lett., 16, 7037 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b03268
J. Ziegler, R. Klaiss, A. Blaikie, D. Miller, V.R. Horowitz, B.J. Aleman. Nano Lett., 19, 2121 (2019). DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b00357
N.-J. Guo, W. Liu, Z.-P. Li, Y.-Z. Yang, S. Yu, Y. Meng, Z.-A. Wang, X.-D. Zeng, F.-F. Yan, Q. Li, J.-F. Wang, J.-S. Xu, Y.-T. Wang, J.-S. Tang, C.-F. Li, G.-C. Guo. ACS Omega, 7, 1733 (2022). DOI: 10.1021/acsomega.1c04564
Ю.В. Петров, О.А. Гогина, О.Ф. Вывенко, S. Kovalchuk, K. Bolotin, K. Watanabe, T. Taniguchi. ЖТФ, 92 (8), 1166 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.08.54560.66-22 [Yu.V. Petrov, O.A. Gogina, O.F. Vyvenko, S. Kovalchuk, K. Bolotin, K. Watanabe, T. Taniguchi. Tech. Phys., 92 (8), 984 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.08.54560.66-22]
G. Grosso, H. Moon, B. Lienhard, S. Ali, D.K. Efetov, M.M. Furchi, P. Jarillo-Herrero, M.J. Ford, I. Aharonovich, D. Englund. Nat. Commun., 8, 705 (2017). DOI: 10.1038/s41467-017-00810-2
S. Choi, T. T. Tran, C. Elbadawi, C. Lobo, X. Wang, S. Juodkazis, G. Seniutinas, M. Toth, I. Aharonovich. ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 29642 (2016). DOI: 10.1021/acsami.6b09875
F. Bianco, E. Corte, S.D. Tchernij, J. Forneris, F. Fabbri. Nanomaterials, 13, 739 (2023). DOI: 10.3390/nano13040739
H. Zhang, M. Lan, G. Tang, F. Chen, Z. Shu, F. Chend, M. Li. J. Mater. Chem. C, 7, 12211 (2019). DOI: 10.1039/c9tc03695d
Yu.V. Petrov, O.F. Vyvenko, O.A. Gogina, K. Bolotin, S. Kovalchuk, K. Watanabe, T. Taniguchi. J. Phys. Conf. Ser., 2103 (1), 012065 (2021). DOI: 10.1088/1742-6596/2103/1/012065
Ю.В. Петров, О.Ф. Вывенко, О.А. Гогина, Т.В. Шаров, S. Kovalchuk, K. Bolotin. Изв. РАН. Сер. физ. (в печати)
T. Taniguchi, K. Watanabe. J. Crystal Growth, 303, 525 (2007). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.12.061
M.E. Turiansky, A. Alkauskas, L.C. Bassett, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. Lett., 123, 127401 (2019). DOI: 10.1103/PhysRevLett.123.127401
M.E. Turiansky, C.G. Van de Walle. J. Appl. Phys., 129, 064301 (2021). DOI: 10.1063/5.0040780
M.E. Turiansky, C.G. Van de Walle. 2D Mater., 8, 024002 (2021). DOI: 10.1088/2053-1583/abe4bb
J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instrum. Meth. B, 268, 1818 (2010). DOI: 10.1016/j.nimb.2010.02.091
T.T. Tran, K. Bray, M.J. Ford, M. Toth, I. Aharonovich. Nat. Nanotechnol., 11, 37 (2015). DOI: 10.1038/NNANO.2015.242
F. Wu, T.J. Smart, J. Xu, Y. Ping. Phys. Rev. B, 100, 081407 (2019). DOI: 10.1103/PhysRevB.100.081407
M. Abdi, J.-P. Chou, A. Cali, M.B. Plenio. ACS Photonics, 5, 1967 (2018). DOI: 10.1021/acsphotonics.7b01442
M. Kaminska, E.R. Weber. Semicond. Semimet., 38, 59 (1993). DOI: 10.1016/S0080-8784(08)62798-2
T.B. Ngwenya, A.M. Ukpong, N. Chetty. Phys. Rev. B, 84, 245425 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevB.84.245425
S.A. Tawfik, S. Ali, M. Fronzi, M. Kianinia, T.T. Tran, C. Stampfl, I. Aharonovich, M. Toth, M.J. Ford. Nanoscale, 9, 13575 (2017). DOI: 10.1039/C7NR04270A
A. Sajid, J.R. Reimers, M.J. Ford. Phys. Rev. B, 97, 064101 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevB.97.064101
A. Sajid, K.S. Thygesen. 2D Mater., 7, 031007 (2020). DOI: 10.1088/2053-1583/ab8f61
M. Fischer, J.M. Caridad, A. Sajid, S. Ghaderzadeh, M. Ghorbani-Asl, L. Gammelgaard, P. B ggild, K.S. Thygesen, A.V. Krasheninnikov, S. Xiao, M. Wubs, N. Stenger. Sci. Adv., 7, eabe7138 (2021). DOI: 10.1126/sciadv.abe7138

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель