Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2023, выпуск 7 » Статья стр. 921
<<<>>>
Влияние комбинированного ионного и электронного облучения на полосу люминесценции 2 eV в гексагональном нитриде бора
DOI: 10.21883/JTF.2023.07.55746.62-23
Переводная версия: 10.61011/TP.2023.07.56627.62-23
Российский научный фонд, 23-22-00067
Петров Ю.В. 1, Гогина О.А.1, Вывенко О.Ф. 1, Kovalchuk S.2, Bolotin K.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Free University of Berlin, Berlin, Germany
Email: y.petrov@spbu.ru
Поступила в редакцию: 30 марта 2023 г.
В окончательной редакции: 30 марта 2023 г.
Принята к печати: 30 марта 2023 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2023 г.
PDF версия
Точечные дефекты в широкозонных полупроводниках, в частности в гексагональном нитриде бора, являются перспективными кандидатами на роль источников одиночных фотонов, применяемых в квантовой информатике. Исследованы катодолюминесценция ионно-индуцированных дефектов в гексагональном нитриде бора, а также влияние продолжительного облучения электронами на интенсивность люминесценции. Показано, что интенсивность как зона-зонного, так и связанного с дефектами излучения уменьшается в результате облучения ионами, а в процессе последующего облучения электронами интенсивность полосы люминесценции 2 eV увеличивается, в то время как интенсивность остальных полос сохраняется. Ключевые слова: катодолюминесценция, ионное облучение, электронное облучение, гексагональный нитрид бора.
  1. I. Aharonovich, D. Englund, M. Toth. Nat. Phot., 10, 631 (2016). DOI: 10.1038/NPHOTON.2016.186
  2. N. Mizuochi, T. Makino, H. Kato, D. Takeuchi, M. Ogura, H. Okushi, M. Nothaft, P. Neumann, A. Gali, F. Jelezko, J. Wrachtrup, S. Yamasaki. Nat. Phot., 6, (2012). DOI: 10.1038/NPHOTON.2012.75
  3. R. Bourrellier, S. Meuret, A. Tararan, O. Stephan, M. Kociak, L.H.G. Tizei, A. Zobelli. Nano Lett., 16, 4317 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01368
  4. G. Cassabois, P. Valvin, B. Gil. Nat. Phot., 10, 262 (2016). DOI: 10.1038/nphoton.2015.277
  5. S. Castelletto, F.A. Inam, S. Sato, A. Boretti. Beilstein J. Nanotechnol. 11, 740 (2020). DOI: 10.3762/bjnano.11.61
  6. A. Vokhmintsev, I. Weinstein, D. Zamyatin. J. Lum., 208, 363 (2019). DOI: 10.1016/j.jlumin.2018.12.036
  7. N. Chejanovsky, M. Rezai, F. Paolucci, Y. Kim, T. Rendler, W. Rouabeh, F. Favaro de Oliveira, P. Herlinger, A. Denisenko, S. Yang, I. Gerhardt, A. Finkler, J. H. Smet, J. Wrachtrup. Nano Lett., 16, 7037 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b03268
  8. J. Ziegler, R. Klaiss, A. Blaikie, D. Miller, V.R. Horowitz, B.J. Aleman. Nano Lett., 19, 2121 (2019). DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b00357
  9. N.-J. Guo, W. Liu, Z.-P. Li, Y.-Z. Yang, S. Yu, Y. Meng, Z.-A. Wang, X.-D. Zeng, F.-F. Yan, Q. Li, J.-F. Wang, J.-S. Xu, Y.-T. Wang, J.-S. Tang, C.-F. Li, G.-C. Guo. ACS Omega, 7, 1733 (2022). DOI: 10.1021/acsomega.1c04564
  10. Ю.В. Петров, О.А. Гогина, О.Ф. Вывенко, S. Kovalchuk, K. Bolotin, K. Watanabe, T. Taniguchi. ЖТФ, 92 (8), 1166 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.08.54560.66-22 [Yu.V. Petrov, O.A. Gogina, O.F. Vyvenko, S. Kovalchuk, K. Bolotin, K. Watanabe, T. Taniguchi. Tech. Phys., 92 (8), 984 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.08.54560.66-22]
  11. G. Grosso, H. Moon, B. Lienhard, S. Ali, D.K. Efetov, M.M. Furchi, P. Jarillo-Herrero, M.J. Ford, I. Aharonovich, D. Englund. Nat. Commun., 8, 705 (2017). DOI: 10.1038/s41467-017-00810-2
  12. S. Choi, T. T. Tran, C. Elbadawi, C. Lobo, X. Wang, S. Juodkazis, G. Seniutinas, M. Toth, I. Aharonovich. ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 29642 (2016). DOI: 10.1021/acsami.6b09875
  13. F. Bianco, E. Corte, S.D. Tchernij, J. Forneris, F. Fabbri. Nanomaterials, 13, 739 (2023). DOI: 10.3390/nano13040739
  14. H. Zhang, M. Lan, G. Tang, F. Chen, Z. Shu, F. Chend, M. Li. J. Mater. Chem. C, 7, 12211 (2019). DOI: 10.1039/c9tc03695d
  15. Yu.V. Petrov, O.F. Vyvenko, O.A. Gogina, K. Bolotin, S. Kovalchuk, K. Watanabe, T. Taniguchi. J. Phys. Conf. Ser., 2103 (1), 012065 (2021). DOI: 10.1088/1742-6596/2103/1/012065
  16. Ю.В. Петров, О.Ф. Вывенко, О.А. Гогина, Т.В. Шаров, S. Kovalchuk, K. Bolotin. Изв. РАН. Сер. физ. (в печати)
  17. T. Taniguchi, K. Watanabe. J. Crystal Growth, 303, 525 (2007). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.12.061
  18. M.E. Turiansky, A. Alkauskas, L.C. Bassett, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. Lett., 123, 127401 (2019). DOI: 10.1103/PhysRevLett.123.127401
  19. M.E. Turiansky, C.G. Van de Walle. J. Appl. Phys., 129, 064301 (2021). DOI: 10.1063/5.0040780
  20. M.E. Turiansky, C.G. Van de Walle. 2D Mater., 8, 024002 (2021). DOI: 10.1088/2053-1583/abe4bb
  21. J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instrum. Meth. B, 268, 1818 (2010). DOI: 10.1016/j.nimb.2010.02.091
  22. T.T. Tran, K. Bray, M.J. Ford, M. Toth, I. Aharonovich. Nat. Nanotechnol., 11, 37 (2015). DOI: 10.1038/NNANO.2015.242
  23. F. Wu, T.J. Smart, J. Xu, Y. Ping. Phys. Rev. B, 100, 081407 (2019). DOI: 10.1103/PhysRevB.100.081407
  24. M. Abdi, J.-P. Chou, A. Cali, M.B. Plenio. ACS Photonics, 5, 1967 (2018). DOI: 10.1021/acsphotonics.7b01442
  25. M. Kaminska, E.R. Weber. Semicond. Semimet., 38, 59 (1993). DOI: 10.1016/S0080-8784(08)62798-2
  26. T.B. Ngwenya, A.M. Ukpong, N. Chetty. Phys. Rev. B, 84, 245425 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevB.84.245425
  27. S.A. Tawfik, S. Ali, M. Fronzi, M. Kianinia, T.T. Tran, C. Stampfl, I. Aharonovich, M. Toth, M.J. Ford. Nanoscale, 9, 13575 (2017). DOI: 10.1039/C7NR04270A
  28. A. Sajid, J.R. Reimers, M.J. Ford. Phys. Rev. B, 97, 064101 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevB.97.064101
  29. A. Sajid, K.S. Thygesen. 2D Mater., 7, 031007 (2020). DOI: 10.1088/2053-1583/ab8f61
  30. M. Fischer, J.M. Caridad, A. Sajid, S. Ghaderzadeh, M. Ghorbani-Asl, L. Gammelgaard, P. B ggild, K.S. Thygesen, A.V. Krasheninnikov, S. Xiao, M. Wubs, N. Stenger. Sci. Adv., 7, eabe7138 (2021). DOI: 10.1126/sciadv.abe7138

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme