Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2023, выпуск 3 » Статья стр. 403
<<<>>>
Рекордно толстые эпитаксиальные слои kappa(ε)-Ga2O3, выращенные на GaN/c-сапфире
DOI: 10.21883/JTF.2023.03.54853.231-22
Переводная версия: 10.21883/TP.2023.03.55813.231-22
Russian Science Foundation , 19-19-00409
Николаев В.И.1,2, Поляков А.Я.3, Степанов С.И.1,2, Печников А.И.1, Николаев В.В.2, Якимов Е.Б.4, Щеглов М.П.1, Чикиряка А.В.1, Гузилова Л.И.1, Тимашов Р.Б.1, Шапенков С.В.1, Бутенко П.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
4Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (ИПТМ РАН), Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: nikolaev.v@mail.ioffe.ru, guzilova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 30 декабря 2022 г.
Принята к печати: 10 января 2022 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2023 г.
PDF версия
Рекордно толстые (до 100 μm) слои перспективного полупроводникового кристалла оксида галлия, kappa(ε)-Ga2O3-полиморфа, получены путем эпитаксиального роста на буферных слоях GaN на c-сапфире методом HVPE (Halide Vapor Phase Epitaxy). Спектры рентгеновской дифракции слоев показывают, что структура слоя - чистый kappa(ε)-Ga2O3-полиморф, без примеси иных фаз. При этом отмечается организация доменной структуры, которая проявляется в виде псевдогексагональных областей с наследованием ориентации подслоя нитрида галлия. Были изготовлены диоды Шоттки с никелевым контактом и исследованы электрические и фотоэлектрические свойства слоев. Исследованы вольт-фарадные C-V) и частотно-емкостные (C-f) зависимости, измерены спектры фототока и фотоемкости. Ключевые слова: оксид галлия, HVPE, эпитаксиальные слои, сапфировые подложки.
  1. S.J. Pearton, F. Ren, M. Tadjer, J. Kim. J. Appl. Phys., 124 (22), 220901 (2018). DOI: 10.1063/1.5062841
  2. M. Higashiwaki, S. Fujita. Gallium Oxide: Materials Properties, Crystal Growth, and Devices (Springer, 2020)
  3. J. Xu, W. Zheng, F. Huang. J. Mater. Chem. C, 7 (29), 8753 (2019). DOI: 10.1039/C9TC02055A
  4. A. Polyakov, V. Nikolaev, A. Pechnikov, S. Stepanov, E. Yakimov, M. Scheglov, I.V. Shchemerov, A. Vasilev, A. Kochkova, A. Chernykh, A.V. Chikiryaka, S.J. Pearton. APL Mater., 10 (6), 061102 (2022). DOI: 10.1063/5.0091653
  5. M.B. Maccioni, V. Fiorentini. Appl. Phys. Express, 9 (4), 041102 (2016). DOI: 10.7567/APEX.9.041102
  6. E. Ahmadi, Y. Oshima. J. Appl. Phys., 126 (16), 160901 (2019). DOI: 10.1063/1.5123213
  7. A.Y. Polyakov, V.I. Nikolaev, E.B. Yakimov, F. Ren, S.J. Pearton, J. Kim. J. Vac. Sci. Technol. A, 40 (2), 020804 (2022). DOI: 10.1116/6.0001701
  8. M. Biswas, H. Nishinaka. APL Mater., 10, 060701 (2022). DOI: 10.1063/5.0085360
  9. J. Kim, D. Tahara, Y. Miura, B.G. Kim. Appl. Phys. Express, 11 (6), 061101 (2018). DOI: 10.7567/APEX.11.061101
  10. С.Ю. Давыдов. ФТТ, 51 (6), 1161 (2009). [S.Yu. Davydov. Physics Solid State, 51 (6), 1231 (2009). DOI: 10.1134/S1063783409060249]
  11. M. Kneib, D. Splith, P. Schlupp, A. Hassa, H. von Wenckstern, M. Lorenz, M. Grundmann. J. Appl. Phys, 130, 084502 (2021). DOI: 10.1063/5.0056630
  12. Y. Oshima, K. Kawara, T. Oshima, T. Shinohe. Jpn. J. Appl. Phys., 59 (11), 115501 (2020). DOI: 10.35848/1347-4065/abbc57
  13. X.H. Wu, L.M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 80 (6), 3228 (1996). DOI: 10.1063/1.363264
  14. A.Y. Polyakov, V.I. Nikolaev, S.I. Stepanov, A.I. Pechnikov, E.B. Yakimov, N.B. Smirnov, I.V. Shchemerov, A.A. Vasilev, A.I. Kochkova, A.V. Chernykh, S.J. Pearton. ECS J. Solid State Sci. Technol., 9, 045003 (2020). DOI: 10.1149/2162-8777/ab89bb
  15. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, I.V. Shchemerov, E.B. Yakimov, V.I. Nikolaev, S.I. Stepanov, A.I. Pechnikov, A.V. Chernykh, K.D. Shcherbachev, A.S. Shikoh, A. Kochkova, A.A. Vasilev, S.J. Pearton. APL Mater., 7 (5), 051103 (2019). DOI: 10.1063/1.5094787
  16. V.I. Nikolaev, S.I. Stepanov, A.I. Pechnikov, S.V. Shapenkov, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka, O.F. Vyvenko. ECS J. Solid State Sci. Technol., 9 (4), 045014 (2020). DOI: 10.1149/2162-8777/ab8b4c
  17. I. Cora, F. Mezzadri, F. Boschi, M. Bosi, M. vCaplovivcova, G. Calestani, I. Dodony, B. Pecz, R. Fornari. Cryst. Eng. Comm., 19, 1509 (2017). DOI: 10.1039/C7CE00123A
  18. V. Montedoro, A. Torres, S. Dadgostar, J. Jimenez, M. Bosi, A. Parisini, R. Fornari. Mater. Sci. Eng. B, 264, 114918 (2021). DOI: 10.1016/j.mseb.2020.114918
  19. S. Shapenkov, O. Vyvenko, V. Nikolaev, S. Stepanov, A. Pechnikov, M. Scheglov, G. Varygin. Phys. Status Solidi B, 259 (2), 2100331 (2021). DOI: 10.1002/pssb.202100331
  20. J.V. Li, G. Ferrari. Capacitance Spectroscopy of Semiconductors (Jenny Stanford Publishing, 2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme