Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Предельная толщина стенок пор, формирующихся в процессах анодного травления сильнолегированных полупроводников

DOI: 10.21883/JTF.2023.02.54504.224-22

Переводная версия: 10.21883/TP.2023.02.55482.224-22

Зегря Г.Г.¹, Улин В.П.¹, Зегря А.Г.¹, Фрейман В.М.¹, Улин Н.В.¹, Фадеев Д.В.², Савенков Г.Г.^1,3

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²АО "Муромский приборостроительный завод", Муром, Владимирская обл., Россия JSC “Murom apparatus producing plant”, Murom, Vladimir region, Russia

³Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Email: zegrya@theory.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 20 сентября 2022 г.

В окончательной редакции: 18 ноября 2022 г.

Принята к печати: 19 ноября 2022 г.

Выставление онлайн: 14 января 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С уменьшением толщин стенок, разделяющих пространство пор в пористых полупроводниках, потенциальная энергия взаимодействия в них электрона с донором (или дырки с акцептором) может становиться больше кинетической энергии свободного носителя заряда. Как следствие, такие прослойки теряют проводимость и переходят в состояние диэлектрика (фазовый переход Мотта). Применительно к условиям электрохимического порообразования это означает, что при сближении в ходе анодного травления каналов пор на расстояние, при котором протекание тока по разделяющей их стенке прекращается, потенциал ее поверхности перестает определяться внешним электрическим смещением и электрохимический процесс, приводящий к дальнейшему уменьшению толщины такой стенки, останавливается. Получены выражения для предельной толщины стенок пор, образующихся в вырожденных полупроводниках n- и p-типа проводимости. В отличие от известной модели, связывающей потерю проводимости стенками пор с объединением слоев объемного заряда, предлагаемая модель позволяет непротиворечиво объяснить экспериментальные данные для кремния как n-, так и p-типа проводимости с уровнями легирования выше 10¹⁸ cm^-3. Ключевые слова: лимитация толщин, порообразование, кремний, донор, акцептор. DOI: 10.21883/JTF.2023.02.54504.224-22

X.G. Zhang. Electrochemistry of Silicon and Its Oxide (Kluwer Academic Publishers NY., Boston-Dordrecht-London-Moscow,, 2004)
Ed. by G. Korotcenkov. Porous Silicon. From Formation to Aplication (CRC Press, 2020), v. 1, 440 р
L. Santinacci, T. Djenizian. Comptes Rendus Chimie, 11 (9), 964 (2008). https://doi.org/10.1016/j.crci.2008.06.004
V. Parkhutik, Sol. St. El., 43, 1121 (1999)
J.-N. Chazalviel, R.B. Wehrspohn, F. Ozanam. Mater. Sci. Eng. B, 69-70, 1 (2000)
V. Lehmann, R. Stengl, A. Luigart. Mater. Sci. Eng. B, 69, 11 (2000)
K.W. Kolasinski. Surf. Sci., 603, 1904 (2009). DOI:10.1016/j.susc.2008.08.031
H. Foll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse. Mater. Sci. Eng., R39, 93-141 (2002)
P.M. Fauchet, J. von Behren. Phys. Stat. Sol. (b), 204, R7 (1997)
A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott, J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
D. Kovalev, V.Y. Timoshenko, N. Kunzner, E. Gross, F. Koch. Phys. Rev. Lett., 87 (6), 068301/1 (2001)
Ю.Я. Гуревич, Ю.Я. Плесков. Фотоэлектрохимия полупроводников (Наука, М., 1983)
G.S. Higashi, Y.J. Chabal, G.W. Trucks, K. Raghavachari. Appl. Phys. Lett., 56, 656 (1990)
В.П. Улин, С.Г. Конников. ФТП, 41 (7), 854, 867 (2007)
В.П. Улин, Н.В. Улин, Ф.Ю. Солдатенков, ФТП, 51, 481 (2017)
В.М. Фрейман, Г.Г. Зегря, В.П. Улин, А.Г. Зегря, Н.В. Улин, Ю.М. Михайлов. ЖТФ, 89 (10), 1575 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2023.02.54504.224-22
Г.Г. Зегря, В.И. Перель. Основы физики полупроводников (Физматлит, М., 2009)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства сильнолегированных полупроводников (Физматлит, М., 1979)
В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах (Физматлит, М., 2003)
New Semiconductor Materials. Biology systems. Characteristics and Properties. http://www.matprop.ru/Si

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель