Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2023, выпуск 2 » Статья стр. 271
<<<>>>
Синтез массивов наноструктурированных пористых кремниевых стержней в кремнии электронного типа электропроводности с кристаллографической ориентацией (111)
DOI: 10.21883/JTF.2023.02.54503.109-22
Переводная версия: 10.21883/TP.2023.02.55481.109-22
“Development program of ETU “LETI”, Program of strategic academic leadership” Priority-2030, 075-15-2021-1318
Гагарина А.Ю.1, Богословская Л.С.1, Спивак Ю.М.1, Новикова К.Н., Кузнецов А.1, Мошников В.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: gagarina.au@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 30 октября 2022 г.
Принята к печати: 31 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 14 января 2023 г.
PDF версия
Предложен метод модифицированного металл-стимулированного электрохимического травления и получены массивы наноструктурированных пористых кремниевых стержней на подложке монокристаллического кремния n-типа с кристаллографической ориентацией (111). Выявлено влияние состава электролита на втором этапе получения на морфологию стержней кремния методами сканирующей электронной микроскопии. Фазовый состав стержней пористого кремния контролировался методами рамановской спектроскопии. Ключевые слова: пористый кремний, кремниевые наноструктурированные стержни, МАСЕ, наноматериалы, спектроскопия комбинационного рассеяния света.
  1. S. Chen, Y. Tang, K. Zhan, D. Sun, X. Hou. Nano Today, 20, 84-100 (2018). DOI: 10.1016/j.nantod.2018.04.006
  2. O. v Zukovskaja, S. Agafilushkina, V. Sivakov, K. Weber, D. Cialla-May, L. Osminkina, J. Popp. J. Talanta, 202, 171-177 (2019). DOI: 10.1016/j.talanta.2019.04.047
  3. M.B. Gongalsky, U.A. Tsurikova, J.V. Samsonova, G.Z. Gvindzhiliiia, K.A. Gonchar, N.Y. Saushkin, A.A. Kudryavtsev, E.A. Kropotkina, A.S. Gambaryan, L.A. Osminkina. Res. Mater., 6, 100084 (2020). DOI: 10.1016/j.rinma.2020.100084
  4. A.D. Kartashova, K.A. Gonchar, D.A. Chermoshentsev, E.A. Alekseeva, M.B. Gongalsky, I.V. Bozhev, A.A. Eliseev, S.A. Dyakov, J.V. Samsonova, L.A. Osminkina. ACS Biomater. Sci. Eng., 8 (10), 4175-4184 (2022). DOI: 10.1021/acsbiomaterials.1c00728
  5. Y. Qin, Y. Wang, Y. Liu, Y.J. Mater. Sci. Mater. Electron., 27 (11), 11319-11324 (2016). DOI: 10.1007/s10854-016-5255-1
  6. Y. Wang, M. Hu, Z. Wang, X. Liu, L. Yuan. Mater. Sci. Semicond. Process., 56, 307-312 (2016). DOI: 10.1016/j.mssp.2016.09.002
  7. L. Pichon, A.C. Salaun, G. Wenga, R. Rogel, E. Jacques. Procedia Eng., 87, 1003-1006 (2014). DOI: 10.1016/j.proeng.2014.11.329
  8. L. Pichon, R. Rogel, E. Jacques, A.C. Salaun. Phys. Status Solidi, 11, 344-348 (2014). DOI: 10.1002/pssc.201300206
  9. G. Otnes, M.T. Borgstrom. Nano Today, 12, 31-45 (2017). DOI: 10.1016/j.nantod.2016.10.007
  10. G.Y. Abdel-Latif, M.F.O. Hameed, M. Hussein, M.A. Razzak, S.S.A. Obayya. J. Photon. Energy, 7 (4), 047501 (2017). DOI: 10.1117/1.JPE.7.047501
  11. F.M. Korany, M.F.O. Hameed, M. Hussein, R. Mubarak, M.I. Eladawy, S.S.A. Obayya, J. Nanophoton., 12 (1), 016019 (2018). DOI: 10.1117/1.JNP.12.016019
  12. D. Korolev, V. Postnov, I. Aleksandrov, I. Murin. Biomolecules, 11 (10), 1544 (2021). DOI: 10.3390/biom11101544
  13. Ю.М. Спивак, А.О. Белорус, А.А. Паневин, С.Г. Журавский, В.А. Мошников, К. Беспалова, П.А. Сомов, Ю.М. Жуков, А.С. Комолов, Л.В. Чистякова, Н.Ю. Григорьева. ЖТФ, 88 (9), 1394-1403 (2018). DOI: 10.21883/JTF.2018.09.46427.57-18
  14. M. Lv, S. Su, Y. He, Q. Huang, W. Hu, D. Li, C. Fan, S.T. Lee. Adv. Mater., 22 (48), 5463-5467 (2010). DOI: 10.1002/adma.201001934
  15. M.B. Rabha, L. Khezami, A.B. Jemai, R. Alhathlool, A. Ajbar. J. Cryst. Growth, 462, 35-40 (2017). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.01.021
  16. S. Li, W. Ma, X. Chen, K. Xie, Y. Li, X. He, X. Yang, Y. Lei. Appl. Surf. Sci., 369, 232-240 (2016). DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.02.028
  17. M. Jeon, K. Kamisako. Mater. Lett., 63 (9-10), 777-779 (2009). DOI: 10.1016/j.matlet.2009.01.001
  18. Y. Chen, Z. Guo, J. Xu, L. Shi, J. Li, Y. Zhang. Mater. Res. Bull., 47 (7), 1687-1692 (2012). DOI: 10.1016/j.materresbull.2012.03.049
  19. R. Blossey. Nature Mater., 2 (5), 301-306 (2003). DOI: 10.1038/nmat856
  20. L. Canham. Handbook of Porous Silicon (Springer International Publishing, Berlin, 2014)
  21. Y.M. Spivak, A.O. Belorus, P.A. Somov, S.S. Tulenin, K.A. Bespalova, V.A. Moshnikov. J. Phys. Conf. Ser. 643, 012022 (2015). DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012022
  22. Ю.М. Спивак, К.А. Беспалова, А.О. Белорус, А.А. Паневин, П.А. Сомов, Н.Ю. Григорьева, Л.В. Чистякова, С.Г. Журавский, В.А. Мошников. Биотехносфера, 3 (51), 69-75 (2017). DOI: 10.21883/JTF.2018.09.46427.57-18
  23. Y. Spivak. Proc. of the 2018 IEEE International Conference on Electrical Engineering and Photonics (St. Petersburg, Russia, 2018), p. 244-248. DOI: 10.1109/EExPolytech.2018.8564424
  24. R. Smerdov, A. Mustafaev, Y. Spivak, V. Moshnikov, I. Bizyaev, P. Somov, V. Gerasimov. Electronics, 10 (1), 1-13 (2021). DOI: 10.3390/electronics10010042
  25. A. Dey. Mat. Sci. Eng. B, 229, 206-217 (2018). DOI: 10.1016/j.mseb.2017.12.036
  26. F. Hossein-Babaei, A. Amini. Sens. Actuat. B Chem., 194, 156-163 (2014). DOI: 10.1016/j.snb.2013.12.061
  27. Y. Qin, Y. Liu, Y. Wang. ECS J. Solid State Sci. Technol., 5 (7), P380-P383 (2016). DOI: 10.1149/2.0051607
  28. A. Bobkov, V. Luchinin, V. Moshnikov, S. Nalimova, Y. Spivak. Sensors., 22 (4), 1530 (2022). DOI: 10.3390/s22041530
  29. V.A. Moshnikov, I. Gracheva, A.S. Lenshin, Y.M. Spivak, M.G. Anchkov, V.V. Kuznetsov, J.M. Olchowik. J. Non. Cryst. Solids, 358 (3), 590-595 (2012). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2011.10
  30. L.B. Ahmed, S. Naama, A. Keffous, A. Hassein-Bey, T. Hadjersi. Prog. Nat. Sci., 25 (2), 101-110 (2015). DOI: 10.1016/j.pnsc.2015.03.003
  31. S. Naama, T. Hadjersi, A. Keffous, G. Nezzal. Mat. Sci. Semicond. Process., 38, 367-372 (2015). DOI: 10.1016/j.mssp.2015.01.027
  32. Y. Qin, D. Liu, T. Zhang, Z. Cui. ACS Appl. Mater. Interfaces, 9 (34), 28766-28773 (2017). DOI: 10.1021/acsami.7b10584
  33. Y. Qin, D. Liu, Z. Wang, Y. Jiang. Sens. Actuat. B Chem., 258, 730-738 (2018). DOI: 10.1016/j.snb.2017.11.177
  34. J. Baek, B. Jang, M.H. Kim, W. Kim, J. Kim, H.J. Rim, S. Shin, T. Lee, S. Cho, W. Lee. Sens. Actuat. B Chem., 256, 465-471 (2018). DOI: 10.1016/j.snb.2017.10.109
  35. J.H. Ahn, J. Yun, D.I. Moon, Y.K. Choi, I. Park. Nanotechnology, 26 (9), 095501 (2015). DOI: 10.1088/0957-4484/26/9/095501
  36. J. Yun, J.H. Ahn, D.I. Moon, Y.K. Choi, I. Park. ACS Appl. Mater. Interfaces, 11 (45), 42349-42357 (2019). DOI: 10.1021/acsami.9b15111
  37. L.S. Zhu, J. Zhang, X.W. Xu, Y.Z. Yu, X. Wu, T. Yang, X.H. Wang. Sens. Actuat. B Chem., 227, 515-523 (2016). DOI: 10.1016/j.snb.2015.12.080
  38. L.B. Ahmed, S. Naama, A. Keffous, A. Hassein-Bey, T. Hadjersi. Prog. Nat. Sci., 25 (2), 101-110 (2015). DOI: 10.1016/j.pnsc.2015.03.003
  39. S. Naama, T. Hadjersi, A. Keffous, G. Nezzal. Mater. Sci. Semicond. Process., 38, 367-372 (2015). DOI: 10.1016/j.mssp.2015.01.027
  40. D. Liu, L. Lin, Q. Chen, H. Zhou, J. Wu. ACS Sens., 2, 1491-1497 (2017). DOI: 10.1021/acssensors.7b00459
  41. J. Liao, Z. Li, G. Wang, C. Chen, S. Lv, M. Li. Phys. Chem. Chem. Phys, 18 (6), 4835-4841 (2016). DOI: 10.1039/C5CP07036H
  42. C. Samanta, A. Ghatak, A.K. Raychaudhuri, B. Ghosh. Nanotechnology, 30, 305501 (2019). DOI: 10.1088/1361-6528/ab10f8
  43. В.А. Мошников, А.С. Леньшин, Ю.М. Спивак. Исследование, технология и использование нанопористых носителей лекарств в медицине (Химиздат, СПб., 2015), c. 70-116
  44. П.Г. Травкин, Н.В. Воронцова, С.А. Высоцкий, А.С. Леньшин, Ю.М. Спивак, В.А. Мошников. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 4, 3-9 (2011)
  45. Y.M. Spivak, A.Y. Gagarina, M.O. Portnova, A.V. Zaikina, V.A. Moshnikov. J. Phys. Conf. Ser., 1697, 012126 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012126
  46. B. Moumni, A.B. Jaballah. Appl. Surf. Sci., 425, 1-7 (2017)
  47. K.A. Gonchar, D.V. Moiseev, I.V. Bozhev, L.A. Osminkina. Mater. Sci. Semicond. Process., 125, 105644 (2021)
  48. Y. Chen, B. Peng, B. Wang. J. Phys. Chem. C, 111 (16), 5855-5858 (2007). DOI: 10.1021/jp0685028
  49. S. Piscanec, M. Cantoro, A.C. Ferrari, J.A. Zapien, Y. Lifshitz, S.T. Lee, S. Hofmann, J. Robertson. Phys. Rev. B, 68 (24), 241312 (2003). DOI: 10.1103/physrevb.68.241312
  50. R. Tsu, H. Shen, M. Dutta. Appl. Phys. Lett., 60 (1), 112-114 (1992). DOI: 10.1063/1.107364
  51. R.K. Biswas, P. Khan, S. Mukherjee, A.K. Mukhopadhyay, J. Ghosh, K. Muraleedharan. J. Non. Cryst. Solids, 488, 1-9 (2018). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2018.02.037
  52. P. McMillan. Am. Mineral., 69 (7-8), 622-644 (1984)
  53. A.S. Len'shin, V.M. Kashkarov, Y.M. Spivak, V.A. Moshnikov. Glass Phys. Chem., 38 (3), 315-321 (2012). DOI: 10.1134/s1087659612030091
  54. Q. Li, W. Qiu, H. Tan, J. Guo, Y. Kang. Opt. Lasers Eng., 48 (11), 1119-1125 (2010). DOI: 10.1016/j.optlaseng.2009.12.020
  55. R.K. Biswas, P. Khan, S. Mukherjee, A.K. Mukhopadhyay, J. Ghosh, K. Muraleedharan. J. Non. Cryst. Solids, 488, 1-9 (2018). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2018.02.037
  56. А.В. Кононина, Ю.В. Балакшин, К.А. Гончар, И.В. Божьев, А.А. Шемухин, В.С. Черныш. Письма в ЖТФ, 48 (2), 11-14 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.02.51912.18989
  57. I. Iatsunskyi, S. Jurga, V. Smyntyna, M. Pavlenko, V. Myndrul, A. Zaleska. Proc. SPIE, 9132, 913217 (2014). DOI: 10.1117/12.2051489
  58. M. Ivanda. Raman Spectroscopy of Porous Silicon. Handbook of Porous Silicon (Springer, 2018), p. 611-620. DOI: 10.1007/978-3-319-71381-6_120
  59. T.A. Harriman, D.A. Lucca, J.K. Lee, M.J. Klopfstein, K. Herrmann, M. Nastasi. Nucl. Instrum. Meth. B, 267 (8-9), 1232-1234 (2009). DOI: 10.1016/j.nimb.2009.01.021
  60. А.С. Качко, В.А. Володин, В.Р. Ваховский. Вестник НГУ, 5 (1), (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme