Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние разориентации подложки на свойства p-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.10.54363.143-22 
Болдыревский П.Б.
1, Филатов Д.О.
1, Беляков В.А.1, Горшков А.П.1, Макарцев И.В.1, Нежданов А.В.1, Ревин М.В.1, Филатов А.Д.1, Юнин П.А.
1,2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: bpavel2@rambler.ru, dmitry_filatov@inbox.ru, dragon_bel@mail.ru, gorshkovap@mail.ru, ilya0296@gmail.com, nezhdanov@phys.unn.ru, revinmaxim@gmail.com, sasha.filatov.2017@bk.ru, yunin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 23 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 21 июня 2022 г.
Принята к печати: 22 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 28 июля 2022 г.
В качестве одного из подходов по совершенствованию p-HEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor) проведено исследование влияния разориентации подложек GaAs на морфологию поверхности, структуру и электрофизические свойства псевдоморфных гетероструктур, а также параметры транзисторов на их основе. Методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD) в едином технологическом цикле осуществлялось формирование гетероструктур на вицинальных подложках с ориентацией (100) и разориентированных на 2o к (110). Установлено, что на разориентированных подложках рост структурно-согласованных и напряженных эпитаксиальных слоев происходит по слоисто-ступенчатому механизму с образованием макроступеней. На вицинальных подложках наблюдалось формирование моноатомных ступеней роста. Рассмотрены сравнительные характеристики p-HEMT, полученных с использованием двух типов подложек. Ключевые слова: гетероструктуры GaAs/InGaAs/GaAlAs, МОСVD-эпитаксия, p-HEMT, разориентация подложек, сравнительные характеристики структур и p-HEMT на их основе.
- D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Electron. Dev. Lett., 31 (81), 80-806 (2010)
- S. Irvine, P. Capper, S. Kasap, A. Willoughby. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE): Growth, Materials Properties and Applications (Wiley, Hoboken, 2019), 424 p
- R.M. Biefeld, D.D. Koleske, J.G. Cederberg. The Science and Practice of Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) // Handbook of Crystal Growth: Thin Films and Epitaxy: 2nd Ed.-Ed. T.F. Kuech (Elsevier, Amsterdam, 2015), p. 95-160
- П.В. Середин, А.С. Леньшин, А.В. Федюкин, И.Н. Арсентьев, А.В. Жаботинский, Д.Н. Николаев, H. Leiste, M. Rinke. ФТП, 52 (1), 118 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45329.8565 [P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.V. Fedyukin, I.N. Arsentiev, A.V. Jabotinsky, D.N. Nikolaev, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 52 (1), 417 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45329.8565]
- В.А. Кульбачинский, Л.Н. Овешников, Р.А. Лунин, Н.А. Юзеева, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (7), 942 (2015). [V.A. Kulbachinskii, L.N. Oveshnikov, R.A. Lunin, N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimov, S.S. Pushkarev, P.P. Maltsev. Semiconductors, 49 (7), P. 942, (2015).]
- П.Б. Болдыревский, Д.О. Филатов, И.А. Казанцева, М.В. Ревин, Д.С. Cмотрин, П.А. Юнин. ЖТФ, 88 (2), 219 (2018). DOI: 10.21883/0000000000 [P.B. Boldyrevskii, D.O. Filatov, I.A. Kazantseva, M.V. Revin, D.S. Smotrin, P.A. Yunin. Tech. Phys., 63 (2), 211 (2018). DOI: 10.21883/0000000000]
- S.N. Magonov. Surface Analysis with STM and AFM. Experimental and Theotetical Aspects of Image Analysis (Wiley-VCH, Wienhelm, 1996), 323 p
- Pseudomorphic HEMT Technology and Applications, еd. by R.L. Ross, S.P. Svensson, P. Lugli (Springer, Berlin-Heidelberg, 1996), 320 p
- П.Б. Болдыревский, Д.О. Филатов, А.Д. Филатов, И.А. Казанцева, М.В. Ревин, П.А. Юнин. ЖТФ, 90 (5), 826 (2020). DOI: 10.21883/0000000000 [P.B. Boldyrevskii, D.O. Filatov, I.A. Kazantseva, M.V. Revin, P.A. Yunin, A.D. Filatov. Tech. Phys., 90 (5), 791 (2020). DOI: 10.21883/0000000000]
- R. Notzel, K.H. Ploog. Adv. Mater., 5 (22), 22-29 (1993)
- S. Irvine, P. Capper, S. Kasap, A. Willoughby. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE): Growth, Materials Properties and Applications (Wiley, Hoboken, 2019), 424 p
- G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, S.S. Pushkarev, E.A. Klimov, R.M. Imamov, P.A. Buffat, B. Dwir, E.I. Suvorova. J. Cryst. Growth, 366, 55 (2013)
- M.R. Brozel, G.E. Stillman. Properties of Gallium Arsenide (Institution Engineer. Technol., 1996), 350 p
- S. Adachi. Properties of Aluminium Gallium Arsenide (Institution Engineer. Technol., 1993), 325 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
