Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2022, выпуск 2 » Статья стр. 283
<<<>>>
Деградация ультрафиолетовых светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN, вызванная кратковременными воздействиями током
DOI: 10.21883/JTF.2022.02.52019.229-21
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.02.52953.229-21
Иванов А.М.1, Клочков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru, alex.klo@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 16 ноября 2021 г.
Принята к печати: 16 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 10 декабря 2021 г.
PDF версия
Проведен сравнительный анализ начальных стадий деградации ультрафиолетовых и синих светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN. В режиме ускоренного старения структуры подверглись кратковременному последовательному воздействию токами 80-190 mА при прямом смещении. Время воздействия не превышало трех часов. Наблюдался рост (до 20%) внешней квантовой эффективности. Представлены наиболее вероятные физические механизмы, объясняющие изменения в InGaN/GaN-светодиодах и намечены возможные пути замедления старения ультрафиолетовых светодиодов. Ключевые слова: деградация ультрафиолетовых светодиодов, возрастание квантовой эффективности, замедление старения.
  1. J. Glaab, J. Haefke, J. Ruschel, M. Brendel, J. Rass, T. Kolbe, A. Knauer, M. Weyers, S. Einfeldt, M. Guttmann, C. Kuhn, J. Enslin, T. Wernicke, M. Kneissl. J. Appl. Phys., 123, 104502 (2018). DOI: 10.1063/1.5012608
  2. J. Glaab, J. Ruschel, T. Kolbe, A. Knauer, J. Rass, H.K. Cho, N. Lobo Ploch, S. Kreutzmann, S. Einfeldt, M. Weyers, M. Kneissl. IEEE Photonics Technol. Lett., 31 (7), 529 (2019). DOI: 10.1109/LPT.2019.2900156
  3. H. Xiu, Y. Zhang, J. Fu, Z. Ma, L. Zhao, J. Feng. Curr. Appl. Phys., 19, 20 (2019). DOI: 10.1016/j.cap.2018.10.019
  4. Z. Ma, A. Almalki, X. Yang, X. Wu, X. Xi, J. Li, S. Lin, X. Li, S. Alotaibi, M. Al huwayz, M. Henini, L. Zhao. J. Alloys Compd., 845, 156177 (2020). DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.156177
  5. Z. Ma, H. Cao, S. Lin, X. Li, L. Zhao. Solid State Electron., 156, 92 (2019). DOI: 10.1016/j.sse.2019.01.004
  6. D. Monti, M. Meneghini, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni., J. Glaab, J. Rass, S. Einfeldt, F. Mehnke, J. Enslin, T. Wernicke, M. Kneissl. IEEE Trans. Electron Devices, 64 (1), 200 (2017). DOI: 10.1109/TED.2016.2631720
  7. M. Meneghini, D. Barbisan, Y. Bilenko, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska, G. Meneghesso, E. Zanoni. Microelectron. Reliab., 50, 1538 (2010). DOI: 10.1016/j.microrel.2010.07.089
  8. А.Л. Закгейм, М.Е. Левинштейн, В.П. Петров, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт. ФТП, 46 (2), 219 (2012). [A.L. Zakheim, M.E. Levinshtein, V.P. Petrov, A.E. Chernyakov, E.I. Shabunina, N.M. Shmidt. Semicond., 46 (2), 208 (2012). DOI: 10.1134/S106378261202025X
  9. A. Pinos, S. Marcinkeviv cius, M.S. Shur. J. Appl. Phys., 109, 103108 (2011). DOI: 10.1063/1.3590149
  10. Z. Gong, M. Gaevski, V. Adivarahan, W. Sun, M. Shatalov, M. Asif Khan. Appl. Phys. Lett., 88, 121106 (2006). DOI: 10.1063/1.2187429
  11. J. Ruschel, J. Glaab, B. Beidoun, N.L. Ploch, J. Rass, T. Kolbe, A. Knauer, M. Weyers, S. Einfeldt, M. Kneissl. Photonics Res., 7 (7), B36 (2019). DOI: 10.1364/PRJ.7.000B36
  12. H. Dong, T. Jia, J. Liang, A. Zhang, Z. Jia, W. Jia, X. Liu, G. Li, Y. Wu, B. Xu. Opt. Laser Technol., 129, 106309 (2020). DOI: 10.1016/j.optlastec.2020.106309
  13. J. Huang, W. Liu, L. Yi, M. Zhou, D. Zhao, D. Jiang. Superlattices Microstruct., 113, 534 (2018). DOI: 10.1016/j.spmi.2017.11.036
  14. L. Wang, W. He, T. Zheng, Z. Chen, S. Zheng. Superlattices Microstruct., 133, 106188 (2019). DOI: 10.1016/j.spmi.2019.106188
  15. M.R. Kwon, T.H. Park, T.H. Lee, B.R. Lee, T.G. Kim. Superlattices Microstruct., 116, 215 (2018). DOI: 10.1016/j.spmi.2018.02.033
  16. N. Liu, H. Gu, Y. Wei, S. Zheng. Superlattices Microstruct., 141, 106492 (2020). https://doi.org/10.1016/j.spmi.2020.106492
  17. X. Wang, H.-Q. Sun, Z.-Y. Guo. Opt. Mater., 86, 133 (2018). DOI: 10.1016/j.optmat.2018.09.037
  18. R.K. Mondal, V. Chatterjee, S. Pal. Opt. Mater., 104, 109846 (2020). DOI: /10.1016/j.optmat.2020.109846
  19. W. Guo, F. Xu, Y. Sun, L. Lu, Z. Qin, T. Yu, X. Wang, B. Shen. Superlattices Microstruct., 100, 941 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2016.10.070
  20. Q. Wang, L. He, L. Wang, C. Li, C. He, D. Xiong, D. Lin, J. Wang, N. Liu, Z. Chen, M. He. Opt. Commun., 478, 126380 (2021). DOI: 10.1016/j.optcom.2020.126380
  21. Y. Zhang, L. Yu, K. Li, H. Pi, J. Diao, X. Wang, Y. Shen, C. Zhang, W. Hu, W. Song, S. Li. Superlattices Microstruct., 82, 151 (2015). DOI: 10.1016/j.spmi.2015.02.004
  22. L. Wang, G. Li, W. Song, H. Wang, X. Luo, Y. Sun, B. Zhang, J. Jiang, S. Li. Superlattices Microstruct., 122, 608 (2018). DOI: 10.1016/j.spmi.2018.06.039
  23. А.М. Иванов. ЖТФ, 91 (1), 76 (2021). DOI: 10.21883/JTF.2021.01.50276.447-18 [A.M. Ivanov. Tech. Phys., 66 (1), 71 (2021). DOI: 10.1134/S1063784221010114]
  24. N. Renso, C. De Santi, A. Caria, F. Dalla Torre, L. Zecchin, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini. J. Appl. Phys., 127, 185701 (2020). DOI: 10.1063/1.5135633
  25. F. Piva, C. De Santi, M. Deki, M. Kushimoto, H. Amano, H. Tomozawa, N. Shibata, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini. Microelectron. Reliab., 100--101, 113418 (2019). DOI: 10.1016/j.microrel.2019.113418
  26. T. Yu, S. Shang, Z. Chen, Z. Qin, L. Lin, Z. Yang, G. Zhang. J. Lumin., 122--123, 696 (2007). DOI: 10.1016/j.jlumin.2006.01.263
  27. M. Buffolo, C. De Santi, M. Meneghini, D. Rigon, G. Meneghesso, E. Zanoni. Microelectron. Reliab., 55, 1754 (2015). http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2015.06.098
  28. J. Fu, L. Zhao, H. Cao, X. Sun, B. Sun, J. Wang, J. Li. AIP Adv. 6, 055219 (2016). http://dx.doi.org/10.1063/1.4953056
  29. I.N. Yassievich. Semicond. Sci. Technol. 9, 1433 (1994)
  30. M. La Grassa, M. Meneghini, C. De Santi, E. Zanoni, G. Meneghesso. Microelectron. Reliab., 64, 614 (2016). DOI: 10.1016/j.microrel.2016.07.131
  31. Н.И. Бочкарева, А.М. Иванов, А.В. Клочков, В.А. Тарала, Ю.Г. Шретер. Письма в ЖТФ, 42 (22), 1 (2016). DOI: 10.21883/pjtf.2016.22.43932.16303 [N.I. Bochkareva, A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, V.A. Tarala, Y.G. Shreter. Tech. Phys. Lett., 42 (11), 1099 (2016). DOI: 10.1134/S1063785016110146]
  32. S.Yu. Karpov. Opt. Quantum Electron. 47, 1293 (2015). DOI: 10.1007/s11082-014-0042-9
  33. Q. Lv, J. Gao, X. Tao, J. Zhang, C. Mo, X. Wang, C. Zheng, J. Liu. J. Lumin., 222, 117186 (2020). DOI: 10.1016/j.jlumin.2020.117186
  34. P. Sahare, B.K. Sahoo. Mater. Today: Proceedings, 28, 74 (2020). DOI: 10.1016/j.matpr.2020.01.303
  35. N. Trivellin, D. Montia, C. De Santia, M. Buffoloa, G. Meneghessoa, E. Zanonia, M. Meneghinia. Microelectron. Reliab., 88--90, 868 (2018). DOI: 10.1016/j.microrel.2018.07.145
  36. M. Meneghini, N. Trivellin, K. Orita, S. Takigawa, M. Yuri, T. Tanaka, D. Ueda, E. Zanoni, G. Meneghesso. IEEE Electron Device Lett., 30 (4), 356 (2009). DOI: 10.1109/LED.2009.2014570
  37. J. Hu, L. Yang, M.W. Shin. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 035107 (2008). http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/41/3/035107
  38. D. Monti, M. Meneghini, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Bojarska, P. Perlin. Microelectron. Reliab., 76--77, 584 (2017). DOI: 10.1016/j.microrel.2017.06.043
  39. M. Meneghini, G. Meneghesso, N. Trivellin, E. Zanoni, K. Orita, M. Yuri, D. Ueda. IEEE Electron Device Lett., 29 (6), 578 (2008). DOI: 10.1109/LED.2008.921098
  40. Н.И. Бочкарева, Ю.Г. Шретер. ФТП, 52 (7), 796 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46055.8790 [N.I. Bochkareva, Y.G. Shreter. Semicond., 52 (7), 934 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618070035]
  41. N.I. Bochkareva, A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, Y.G. Shreter. J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012203 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012203
  42. D. Zhu, J. Xu, A. Noemaun, J. Kim, E. Schubert, M. Crawford, D. Koleske. Appl. Phys. Lett., 94, 081113 (2009). DOI: 10.1063/1.3089687
  43. M. Osinski, D.L. Barton. In coll.: Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes, ed. by S. Nakamura, S.F. Chichibu. (CRC Press, 2000), p. 386. ISBN 9780748408368
  44. I-H. Lee, A.Y. Polyakov, S-M. Hwang, N.M. Shmidt, E.I. Shabunina, N.A. Tal'nishnih, N.B. Smirnov, I.V. Shchemerov, R.A. Zinovyev, S.A. Tarelkin, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 111, 062103 (2017). http://dx.doi.org/10.1063/1.4985190
  45. H.R. Qi, S. Zhang, S.T. Liu, F. Liang, L.K. Yi, J.L. Huang, M. Zhou, Z.W. He, D.G. Zhao, D.S. Jiang. Superlattices Microstruct., 133, 106177 (2019). DOI: 10.1016/j.spmi.2019.106177
  46. Q. Xu, S. Zhang, B. Liu, T. Tao, Z. Xie, X. Xiu, D. Chen, P. Chen, P. Ha, Y. Zheng, R. Zhang. Superlattices Microstruct., 119, 150 (2018). DOI: 10.1016/j.spmi.2018.04.053
  47. A.V. Mazalov, D.R. Sabitov, V.A. Kureshov, A.A. Padalitsa, A.A. Marmalyuk, R.Kh. Akchurin. Mod. Electron. Mater., 2, 45 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.moem.2016.09.003

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme