Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Деградация ультрафиолетовых светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN, вызванная кратковременными воздействиями током

DOI: 10.21883/JTF.2022.02.52019.229-21

Переводная версия: 10.21883/TP.2022.02.52953.229-21

Иванов А.М.¹, Клочков А.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru, alex.klo@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 4 августа 2021 г.

В окончательной редакции: 16 ноября 2021 г.

Принята к печати: 16 ноября 2021 г.

Выставление онлайн: 10 декабря 2021 г.

PDF версия

Проведен сравнительный анализ начальных стадий деградации ультрафиолетовых и синих светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN. В режиме ускоренного старения структуры подверглись кратковременному последовательному воздействию токами 80-190 mА при прямом смещении. Время воздействия не превышало трех часов. Наблюдался рост (до 20%) внешней квантовой эффективности. Представлены наиболее вероятные физические механизмы, объясняющие изменения в InGaN/GaN-светодиодах и намечены возможные пути замедления старения ультрафиолетовых светодиодов. Ключевые слова: деградация ультрафиолетовых светодиодов, возрастание квантовой эффективности, замедление старения.

J. Glaab, J. Haefke, J. Ruschel, M. Brendel, J. Rass, T. Kolbe, A. Knauer, M. Weyers, S. Einfeldt, M. Guttmann, C. Kuhn, J. Enslin, T. Wernicke, M. Kneissl. J. Appl. Phys., 123, 104502 (2018). DOI: 10.1063/1.5012608
J. Glaab, J. Ruschel, T. Kolbe, A. Knauer, J. Rass, H.K. Cho, N. Lobo Ploch, S. Kreutzmann, S. Einfeldt, M. Weyers, M. Kneissl. IEEE Photonics Technol. Lett., 31 (7), 529 (2019). DOI: 10.1109/LPT.2019.2900156
H. Xiu, Y. Zhang, J. Fu, Z. Ma, L. Zhao, J. Feng. Curr. Appl. Phys., 19, 20 (2019). DOI: 10.1016/j.cap.2018.10.019
Z. Ma, A. Almalki, X. Yang, X. Wu, X. Xi, J. Li, S. Lin, X. Li, S. Alotaibi, M. Al huwayz, M. Henini, L. Zhao. J. Alloys Compd., 845, 156177 (2020). DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.156177
Z. Ma, H. Cao, S. Lin, X. Li, L. Zhao. Solid State Electron., 156, 92 (2019). DOI: 10.1016/j.sse.2019.01.004
D. Monti, M. Meneghini, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni., J. Glaab, J. Rass, S. Einfeldt, F. Mehnke, J. Enslin, T. Wernicke, M. Kneissl. IEEE Trans. Electron Devices, 64 (1), 200 (2017). DOI: 10.1109/TED.2016.2631720
M. Meneghini, D. Barbisan, Y. Bilenko, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska, G. Meneghesso, E. Zanoni. Microelectron. Reliab., 50, 1538 (2010). DOI: 10.1016/j.microrel.2010.07.089
А.Л. Закгейм, М.Е. Левинштейн, В.П. Петров, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт. ФТП, 46 (2), 219 (2012). [A.L. Zakheim, M.E. Levinshtein, V.P. Petrov, A.E. Chernyakov, E.I. Shabunina, N.M. Shmidt. Semicond., 46 (2), 208 (2012). DOI: 10.1134/S106378261202025X
A. Pinos, S. Marcinkeviv cius, M.S. Shur. J. Appl. Phys., 109, 103108 (2011). DOI: 10.1063/1.3590149
Z. Gong, M. Gaevski, V. Adivarahan, W. Sun, M. Shatalov, M. Asif Khan. Appl. Phys. Lett., 88, 121106 (2006). DOI: 10.1063/1.2187429
J. Ruschel, J. Glaab, B. Beidoun, N.L. Ploch, J. Rass, T. Kolbe, A. Knauer, M. Weyers, S. Einfeldt, M. Kneissl. Photonics Res., 7 (7), B36 (2019). DOI: 10.1364/PRJ.7.000B36
H. Dong, T. Jia, J. Liang, A. Zhang, Z. Jia, W. Jia, X. Liu, G. Li, Y. Wu, B. Xu. Opt. Laser Technol., 129, 106309 (2020). DOI: 10.1016/j.optlastec.2020.106309
J. Huang, W. Liu, L. Yi, M. Zhou, D. Zhao, D. Jiang. Superlattices Microstruct., 113, 534 (2018). DOI: 10.1016/j.spmi.2017.11.036
L. Wang, W. He, T. Zheng, Z. Chen, S. Zheng. Superlattices Microstruct., 133, 106188 (2019). DOI: 10.1016/j.spmi.2019.106188
M.R. Kwon, T.H. Park, T.H. Lee, B.R. Lee, T.G. Kim. Superlattices Microstruct., 116, 215 (2018). DOI: 10.1016/j.spmi.2018.02.033
N. Liu, H. Gu, Y. Wei, S. Zheng. Superlattices Microstruct., 141, 106492 (2020). https://doi.org/10.1016/j.spmi.2020.106492
X. Wang, H.-Q. Sun, Z.-Y. Guo. Opt. Mater., 86, 133 (2018). DOI: 10.1016/j.optmat.2018.09.037
R.K. Mondal, V. Chatterjee, S. Pal. Opt. Mater., 104, 109846 (2020). DOI: /10.1016/j.optmat.2020.109846
W. Guo, F. Xu, Y. Sun, L. Lu, Z. Qin, T. Yu, X. Wang, B. Shen. Superlattices Microstruct., 100, 941 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2016.10.070
Q. Wang, L. He, L. Wang, C. Li, C. He, D. Xiong, D. Lin, J. Wang, N. Liu, Z. Chen, M. He. Opt. Commun., 478, 126380 (2021). DOI: 10.1016/j.optcom.2020.126380
Y. Zhang, L. Yu, K. Li, H. Pi, J. Diao, X. Wang, Y. Shen, C. Zhang, W. Hu, W. Song, S. Li. Superlattices Microstruct., 82, 151 (2015). DOI: 10.1016/j.spmi.2015.02.004
L. Wang, G. Li, W. Song, H. Wang, X. Luo, Y. Sun, B. Zhang, J. Jiang, S. Li. Superlattices Microstruct., 122, 608 (2018). DOI: 10.1016/j.spmi.2018.06.039
А.М. Иванов. ЖТФ, 91 (1), 76 (2021). DOI: 10.21883/JTF.2021.01.50276.447-18 [A.M. Ivanov. Tech. Phys., 66 (1), 71 (2021). DOI: 10.1134/S1063784221010114]
N. Renso, C. De Santi, A. Caria, F. Dalla Torre, L. Zecchin, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini. J. Appl. Phys., 127, 185701 (2020). DOI: 10.1063/1.5135633
F. Piva, C. De Santi, M. Deki, M. Kushimoto, H. Amano, H. Tomozawa, N. Shibata, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini. Microelectron. Reliab., 100--101, 113418 (2019). DOI: 10.1016/j.microrel.2019.113418
T. Yu, S. Shang, Z. Chen, Z. Qin, L. Lin, Z. Yang, G. Zhang. J. Lumin., 122--123, 696 (2007). DOI: 10.1016/j.jlumin.2006.01.263
M. Buffolo, C. De Santi, M. Meneghini, D. Rigon, G. Meneghesso, E. Zanoni. Microelectron. Reliab., 55, 1754 (2015). http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2015.06.098
J. Fu, L. Zhao, H. Cao, X. Sun, B. Sun, J. Wang, J. Li. AIP Adv. 6, 055219 (2016). http://dx.doi.org/10.1063/1.4953056
I.N. Yassievich. Semicond. Sci. Technol. 9, 1433 (1994)
M. La Grassa, M. Meneghini, C. De Santi, E. Zanoni, G. Meneghesso. Microelectron. Reliab., 64, 614 (2016). DOI: 10.1016/j.microrel.2016.07.131
Н.И. Бочкарева, А.М. Иванов, А.В. Клочков, В.А. Тарала, Ю.Г. Шретер. Письма в ЖТФ, 42 (22), 1 (2016). DOI: 10.21883/pjtf.2016.22.43932.16303 [N.I. Bochkareva, A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, V.A. Tarala, Y.G. Shreter. Tech. Phys. Lett., 42 (11), 1099 (2016). DOI: 10.1134/S1063785016110146]
S.Yu. Karpov. Opt. Quantum Electron. 47, 1293 (2015). DOI: 10.1007/s11082-014-0042-9
Q. Lv, J. Gao, X. Tao, J. Zhang, C. Mo, X. Wang, C. Zheng, J. Liu. J. Lumin., 222, 117186 (2020). DOI: 10.1016/j.jlumin.2020.117186
P. Sahare, B.K. Sahoo. Mater. Today: Proceedings, 28, 74 (2020). DOI: 10.1016/j.matpr.2020.01.303
N. Trivellin, D. Montia, C. De Santia, M. Buffoloa, G. Meneghessoa, E. Zanonia, M. Meneghinia. Microelectron. Reliab., 88--90, 868 (2018). DOI: 10.1016/j.microrel.2018.07.145
M. Meneghini, N. Trivellin, K. Orita, S. Takigawa, M. Yuri, T. Tanaka, D. Ueda, E. Zanoni, G. Meneghesso. IEEE Electron Device Lett., 30 (4), 356 (2009). DOI: 10.1109/LED.2009.2014570
J. Hu, L. Yang, M.W. Shin. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 035107 (2008). http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/41/3/035107
D. Monti, M. Meneghini, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Bojarska, P. Perlin. Microelectron. Reliab., 76--77, 584 (2017). DOI: 10.1016/j.microrel.2017.06.043
M. Meneghini, G. Meneghesso, N. Trivellin, E. Zanoni, K. Orita, M. Yuri, D. Ueda. IEEE Electron Device Lett., 29 (6), 578 (2008). DOI: 10.1109/LED.2008.921098
Н.И. Бочкарева, Ю.Г. Шретер. ФТП, 52 (7), 796 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46055.8790 [N.I. Bochkareva, Y.G. Shreter. Semicond., 52 (7), 934 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618070035]
N.I. Bochkareva, A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, Y.G. Shreter. J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012203 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012203
D. Zhu, J. Xu, A. Noemaun, J. Kim, E. Schubert, M. Crawford, D. Koleske. Appl. Phys. Lett., 94, 081113 (2009). DOI: 10.1063/1.3089687
M. Osinski, D.L. Barton. In coll.: Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes, ed. by S. Nakamura, S.F. Chichibu. (CRC Press, 2000), p. 386. ISBN 9780748408368
I-H. Lee, A.Y. Polyakov, S-M. Hwang, N.M. Shmidt, E.I. Shabunina, N.A. Tal'nishnih, N.B. Smirnov, I.V. Shchemerov, R.A. Zinovyev, S.A. Tarelkin, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 111, 062103 (2017). http://dx.doi.org/10.1063/1.4985190
H.R. Qi, S. Zhang, S.T. Liu, F. Liang, L.K. Yi, J.L. Huang, M. Zhou, Z.W. He, D.G. Zhao, D.S. Jiang. Superlattices Microstruct., 133, 106177 (2019). DOI: 10.1016/j.spmi.2019.106177
Q. Xu, S. Zhang, B. Liu, T. Tao, Z. Xie, X. Xiu, D. Chen, P. Chen, P. Ha, Y. Zheng, R. Zhang. Superlattices Microstruct., 119, 150 (2018). DOI: 10.1016/j.spmi.2018.04.053
A.V. Mazalov, D.R. Sabitov, V.A. Kureshov, A.A. Padalitsa, A.A. Marmalyuk, R.Kh. Akchurin. Mod. Electron. Mater., 2, 45 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.moem.2016.09.003

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель