Вышедшие номера
Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO2(Y)/Ni
Антонов Д.А.1, Филатов Д.О.1, Новиков А.С.1, Круглов А.В.1, Антонов И.Н.1, Здоровейщев А.В.2, Горшков О.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: antonov@phys.unn.ru, dmitry_filatov@inbox.ru, antonov.dmitr@inbox.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 12 апреля 2021 г.
Принята к печати: 12 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 27 июня 2021 г.

Экспериментально изучен эффект резистивного переключения отдельных ферромагнитных филаментов мемристорных структур на основе функциональных слоев ZrO2(Y)/Ni. В качестве верхнего прижимного электрода виртуальной мемристорной структуры выступал проводящий зонд атомно-силового микроскопа. Обнаруженные особенности резистивного переключения биполярного типа связаны c разрушением и восстановлением филаментов, содержащих атомы Ni, в диэлектрической пленке ZrO2(Y) и предположительно обусловлены разной степенью металлизации филамента. Сформированные филаменты проявляются на изображениях, полученных с помощью магнитно-силовой микроскопии, как однодоменные ферромагнитные частицы. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, атомно-силовая микроскопия, ферромагнитные филаменты.