Вышедшие номера
Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO2(Y)/Ni
Антонов Д.А.1, Филатов Д.О.1, Новиков А.С.1, Круглов А.В.1, Антонов И.Н.1, Здоровейщев А.В.2, Горшков О.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: antonov.dmitr@inbox.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 12 апреля 2021 г.
Принята к печати: 12 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 27 июня 2021 г.

Экспериментально изучен эффект резистивного переключения отдельных ферромагнитных филаментов мемристорных структур на основе функциональных слоев ZrO2(Y)/Ni. В качестве верхнего прижимного электрода виртуальной мемристорной структуры выступал проводящий зонд атомно-силового микроскопа. Обнаруженные особенности резистивного переключения биполярного типа связаны c разрушением и восстановлением филаментов, содержащих атомы Ni, в диэлектрической пленке ZrO2(Y) и предположительно обусловлены разной степенью металлизации филамента. Сформированные филаменты проявляются на изображениях, полученных с помощью магнитно-силовой микроскопии, как однодоменные ферромагнитные частицы. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, атомно-силовая микроскопия, ферромагнитные филаменты.
  1. X. Tian, S. Yang, M. Zeng, L. Wang, J. Wei, Z. Xu, W. Wang, X. Bai. Adv. Mater., 26 (22), 3649 (2014). DOI: 10.1002/adma.201400127
  2. I. Valov, R. Waser, J.R. Jameson, M.N. Kozicki. Nanotechnology, 22, 254003 (2011). DOI: 10.1088/0957-4484/22/28/289502
  3. J.J. Yang, D.B. Strukov, D.R. Stewart. Nat. Nanotechnol., 8, 13 (2013). DOI: 10.1038/nnano.2012.240
  4. H.-J. Jang, O.A. Kirillov, O.D. Jurchescu, C.A. Richter. Appl. Phys. Lett., 100 (4), 43510 (2012). DOI: 10.1063/1.3679114
  5. F.Z. Wang, L. Li, L. Shi, H. Wu, L.O. Chua. J. Appl. Phys., 125 (5), 54504 (2019). DOI: 10.1063/1.5042281
  6. L. Li, Y. Liu, J. Teng, S. Long, Q. Guo, M. Zhang, Y. Wu, G. Yu, Q. Liu, H. Lv, M. Liu. Nanoscale Res. Lett., 12, 210 (2017). DOI: 10.1186/s11671-017-1983-2
  7. S. Otsuka, Y. Hamada, D. Ito, T. Shimizu, S. Shingubara. Jpn. J. Appl. Phys., 54 (5S), 05ED02 (2015). DOI: 10.7567/JJAP.54.05ED02
  8. Z. Yang, Q. Zhan, X. Zhu, Y. Liu, H. Yang, B. Hu, J. Shang, L. Pan, B. Chen, R.-W. Li. Europhys. Lett., 108 (5), 58004 (2014). DOI: 10.1209/0295-5075/108/58004
  9. S. Otsuka, Y. Hamada, T. Shimizu, S. Shingubara. Appl. Phys. A Mater. Sci. Process, 118, 613 (2015). DOI: 10.1007/s00339-014-8769-5
  10. M. Lubben, I. Valov. Adv. Electron. Mater., 5 (9), 1800933 (2019). DOI: 10.1002/aelm.201800933
  11. S. Ambrogio, B. Magyari-Kope, N. Onofrio, M.M. Islam, D. Duncan, Y. Nishi, A. Strachan. J. Electroceram., 39, 39 (2017). DOI: 10.1007/s10832-017-0093-y
  12. M. Lanza, Conductive Atomic Force Microscopy: Applications in Nanomaterials (Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, 2017)
  13. D.O. Filatov, D.A. Antonov, I.N. Antonov, A.P. Kasatkin, O.N. Gorshkov. J. Mater. Sci. Chem. Eng., 5, 8 (2017). DOI: 10.4236/msce.2017.51002
  14. R. Waser, J. Nanosci. Nanotechnol., 12, 7628 (2012). DOI: 10.1166/jnn.2012.6652
  15. D.V. Ovchinnikov, A.A. Bukharaev. In: AIP Conf. Proceed., 696, 634 (2003). DOI: 10.1063/1.1639762

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.