Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO2(Y)/Ni
Антонов Д.А.1, Филатов Д.О.1, Новиков А.С.1, Круглов А.В.1, Антонов И.Н.1, Здоровейщев А.В.2, Горшков О.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: antonov@phys.unn.ru, dmitry_filatov@inbox.ru, antonov.dmitr@inbox.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 12 апреля 2021 г.
Принята к печати: 12 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 27 июня 2021 г.
Экспериментально изучен эффект резистивного переключения отдельных ферромагнитных филаментов мемристорных структур на основе функциональных слоев ZrO2(Y)/Ni. В качестве верхнего прижимного электрода виртуальной мемристорной структуры выступал проводящий зонд атомно-силового микроскопа. Обнаруженные особенности резистивного переключения биполярного типа связаны c разрушением и восстановлением филаментов, содержащих атомы Ni, в диэлектрической пленке ZrO2(Y) и предположительно обусловлены разной степенью металлизации филамента. Сформированные филаменты проявляются на изображениях, полученных с помощью магнитно-силовой микроскопии, как однодоменные ферромагнитные частицы. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, атомно-силовая микроскопия, ферромагнитные филаменты.
- X. Tian, S. Yang, M. Zeng, L. Wang, J. Wei, Z. Xu, W. Wang, X. Bai. Adv. Mater., 26 (22), 3649 (2014). DOI: 10.1002/adma.201400127
- I. Valov, R. Waser, J.R. Jameson, M.N. Kozicki. Nanotechnology, 22, 254003 (2011). DOI: 10.1088/0957-4484/22/28/289502
- J.J. Yang, D.B. Strukov, D.R. Stewart. Nat. Nanotechnol., 8, 13 (2013). DOI: 10.1038/nnano.2012.240
- H.-J. Jang, O.A. Kirillov, O.D. Jurchescu, C.A. Richter. Appl. Phys. Lett., 100 (4), 43510 (2012). DOI: 10.1063/1.3679114
- F.Z. Wang, L. Li, L. Shi, H. Wu, L.O. Chua. J. Appl. Phys., 125 (5), 54504 (2019). DOI: 10.1063/1.5042281
- L. Li, Y. Liu, J. Teng, S. Long, Q. Guo, M. Zhang, Y. Wu, G. Yu, Q. Liu, H. Lv, M. Liu. Nanoscale Res. Lett., 12, 210 (2017). DOI: 10.1186/s11671-017-1983-2
- S. Otsuka, Y. Hamada, D. Ito, T. Shimizu, S. Shingubara. Jpn. J. Appl. Phys., 54 (5S), 05ED02 (2015). DOI: 10.7567/JJAP.54.05ED02
- Z. Yang, Q. Zhan, X. Zhu, Y. Liu, H. Yang, B. Hu, J. Shang, L. Pan, B. Chen, R.-W. Li. Europhys. Lett., 108 (5), 58004 (2014). DOI: 10.1209/0295-5075/108/58004
- S. Otsuka, Y. Hamada, T. Shimizu, S. Shingubara. Appl. Phys. A Mater. Sci. Process, 118, 613 (2015). DOI: 10.1007/s00339-014-8769-5
- M. Lubben, I. Valov. Adv. Electron. Mater., 5 (9), 1800933 (2019). DOI: 10.1002/aelm.201800933
- S. Ambrogio, B. Magyari-Kope, N. Onofrio, M.M. Islam, D. Duncan, Y. Nishi, A. Strachan. J. Electroceram., 39, 39 (2017). DOI: 10.1007/s10832-017-0093-y
- M. Lanza, Conductive Atomic Force Microscopy: Applications in Nanomaterials (Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, 2017)
- D.O. Filatov, D.A. Antonov, I.N. Antonov, A.P. Kasatkin, O.N. Gorshkov. J. Mater. Sci. Chem. Eng., 5, 8 (2017). DOI: 10.4236/msce.2017.51002
- R. Waser, J. Nanosci. Nanotechnol., 12, 7628 (2012). DOI: 10.1166/jnn.2012.6652
- D.V. Ovchinnikov, A.A. Bukharaev. In: AIP Conf. Proceed., 696, 634 (2003). DOI: 10.1063/1.1639762
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
