Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In

DOI: 10.21883/JTF.2021.06.50876.326-20

Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 20-02-00324

Ищенко Д.В.

¹, Акимов А.Н.¹, Ахундов И.О. ¹, Голяшов В.А.

¹, Климов А.Э.

¹, Логинов А.Б.

², Логинов Б.А.

³, Пащин Н.С.

¹, Тарасов А.С. ¹, Федосенко Е.В.

¹, Шерcтякова В.Н.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

³Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия National Research University of Electronic Technology (MIET), Zelenograd, Russia

National Research University of Electronic Technology (MIET), Zelenograd, Russia

Email: miracle4348@gmail.com, loginov.ab15@physics.msu.ru, b-loginov@mail.ru

Поступила в редакцию: 27 ноября 2020 г.

В окончательной редакции: 19 января 2021 г.

Принята к печати: 21 января 2021 г.

Выставление онлайн: 23 февраля 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом атомно-силовой микроскопии исследована топология поверхности эпитаксиальных пленок твердого раствора теллурида свинца и олова, в том числе с добавлением индия (Pb_1-xSn_xTe:In), выращенных на монокристаллических подложках BaF₂(111) и буферном слое CaF₂/BaF₂ на Si(111). Показано, что характерные статистические показатели рельефа обусловлены особенностями роста пленки и механизмом встраивания индия, избыточное содержание которого зарегистрировано на поверхности ex situ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Ключевые слова: топологический изолятор, поверхность, твердый раствор, A^IVB^VI, теллурид свинца и олова.

J.W. Liu, W.H. Duan, L. Fu. Phys. Rev. B, 88, 241303(R) (2013). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.241303
S.Y. Xu, C. Liu, N. Alidoust, M. Neupane, D. Qian, I. Belopolski, J.D. Denlinger, Y.J. Wang, H. Lin, L.A. Wray, G. Landolt, B. Slomski, J.H. Dil, A. Marcinkova, E. Morosan, Q. Gibson, R. Sankar, F.C. Chou, R.J. Cava, A. Bansil, M.Z. Hasan. Nature Communication, 3, 1192 (2012). DOI: 10.1038/ncomms2191
Г.А. Калюжная, К.В. Киселева. Труды физического института, 177, 5 (1987)
D.V. Shamshur, S.A. Nemov, R.V. Parfen'ev, M.S. Kononchuk, V.I. Nizhankovskii. Physic of Solid State, 50, 2028 (2008). DOI: https://doi.org/10.1134/S106378340811005X
Ruidan Zhong, John Schneeloch, Qiang Li, Wei Ku, John Tranquada, Genda Gu. Crystals, 7 (2), 55 (2017). DOI: https://doi.org/10.3390/cryst7020055
А.Н. Акимов, В.Г. Ерков, В.В. Кубарев, Е.Л. Молодцова, А.Э. Климов, В.Н. Шумский. ФТП, 40 (2), 169 (2006). [A.N. Akimov, V.G. Erkov, V.V. Kubarev, E.L. Molodtsova, A.E. Klimov, V.N. Shumski. Semiconductors, 40, 164 (2006). DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782606020096]
R.F.C. Farrow. In: Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures, ed. by L.L. Chang, K. Ploog (Dordrecht. Martinus Nijhoff Publishers, 1985), p. 227
R.S. Srinivasa, J.G. Edwards. Monatshefte fur Chemie, 117, 695 (1986)
A.E. Klimov, D.V. Krivopalov, I.G. Neizvestnyi, V.N. Shumsky, N.I. Petikov, M.A. Torlin, E.V. Fedosenko. Appl. Surf. Sci., 78, 413 (1994). DOI: https://doi.org/10.1016/0169-4332(94)90065-5
Б.А. Логинов, П.Б. Логинов, В.Б. Логинов, А.Б. Логинов. Наноиндустрия, 12 (6(92)), 352 (2019). DOI: 10.22184/1993-8578.2019.12.6.352.364
А.С. Тарасов, Д.В. Ищенко, А.Н. Акимов, О.И. Ахундов, В.А. Голяшов, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, Е.В. Федосенко, В.Н. Шерстякова, О.Е. Терещенко. ЖТФ, 11 (89), 1795 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2019.11.48347.128-19 [A.S. Tarasov, D.V. Ishchenko, A.N. Akimov, I.O. Akhundov, V.A. Golyashov, A.E. Klimov, N.S. Pashchin, S.P. Suprun, E.V. Fedosenko, V.N. Sherstyakova, O.E. Tereshchenko. Tech. Phys., 11 (64), 1704 (2019). DOI: 10.1134/S1063784219110264]
Е.И. Гиваргизов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 9, 89 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель