Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2021, выпуск 6 » Статья стр. 1028
<<<>>>
Особенности взаимодействия молекул германа с поверхностью германия в вакууме и в присутствие потока водорода
DOI: 10.21883/JTF.2021.06.50875.82-20
Ивина Н.Л.1, Кондрашина К.А.1
1ООО "МЕРА HH", Нижний Новгород, Россия
Email: nataivina@mail.ru
Поступила в редакцию: 23 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 24 ноября 2020 г.
Принята к печати: 5 января 2021 г.
Выставление онлайн: 23 февраля 2021 г.
PDF версия
В диапазоне ростовых температур (300-700)oС проведен анализ температурного поведения основных кинетических параметров, ответственных за скорости протекания на поверхности растущего слоя германия процессов пиролиза адсорбируемых молекул германа. Проведена оценка степени покрытия поверхности германия водородом и радикалами молекул германа. Установлена взаимосвязь характерной частоты пиролиза молекул гидридов со скоростью захвата молекул поверхностью и скоростью встраивания атомов Ge в растущий слой. Температурная зависимость скорости распада фрагментов молекул на поверхности германия обнаруживает немонотонное поведение, характер которого различен в разных температурных режимах и зависит от того, на каком этапе процесса сорбции происходит захват поверхностью водорода с адсорбируемой молекулы гидрида. Характеристики пиролиза германа сопоставляются с аналогичными характеристиками для пиролиза молекул силана. Обнаружено, что повышение концентрации рабочих газов в камере роста заметным образом сказывается на каталитических свойствах ростовой поверхности. Ключевые слова: химическая эпитаксия, гидриды германия, поверхностный пиролиз, молекулярный и поверхностный водород, кинетические коэффициенты.
  1. J. Shi, E.S. Tok, H.C. Kang. J. Chem. Phys., 127, 164713 (2007). DOI: 10.1063/1.2799980
  2. R.Q.M. Ng, E.S. Tok., H.C. Hang. J. Chem. Phys., 131, 044707 (2009). DOI: 10.1063/1.3191780
  3. M. Shinohara, A. Seyama, Y. Kimura, M. Niwano. Phys. Rev. B, 65, 075319 (2002). DOI: 10.1103/PhysRevB.65.075319
  4. R.D. Smardon, G.P. Srivastava. J. Chem. Phys., 123, 174703 (2005). DOI: 10.1063/1.2087347
  5. N. Taylor, H. Kim, P. Desjardins, Y.L. Foo., J.E. Greene. Appl. Phys. Lett., 76, 2853 (2000). DOI: 10.1063/1.126495
  6. Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, Т.Н. Смыслова. ЖОХ, 83 (12), 1975 (2013). [L.K. Orlov, N.L. Ivina, T.N. Smyslova. Russ. J. General Chem., 83 (12), 2240 (2013). DOI: 10.1134/S1070363213120037]
  7. J.M. Hartmann, V. Mazzocchi, F. Pierre, J.P. Barnes. ECS Transactions., 86, 219 (2018)
  8. H. Kim, J.E. Greene. Surf. Sci., 504, 108 (2002)
  9. T.I. Kammins, E.C. Carr, R.S. Williams, S.J. Rosner. J. Appl. Phys., 81, 211 (1997). DOI: 10.1063/1.364084
  10. B. Cunningham, J.O. Chu, S. Akbar. Appl. Phys. Lett., 59, 3574 (1991). DOI: 10.1063/1.105636
  11. M. Halbwax, D. Bouchier, V. Yam, D. Debarre, L.H. Nguyen, Y. Zheng, P. Rosner, M. Benamara, H.P. Strunk, C. Clerc. J. Appl. Phys., 97, 064907 (2005). DOI: 10.1063/1.1854723
  12. J.M. Hartmann, F. Bertin, G. Rolland, M.N. Semeria, G. Bremond. Thin Solid Films., 479, 113 (2005). DOI:10.1016/j.tsf.2004.11.204
  13. C. Li, S. John, E.S. Quinones. J. Vac. Sci. Technol., A14, 170 (1996). DOI: 10.1116/1.579915
  14. K.J. Kim, M. Suemitsu, M. Yamanaka, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 62, 3461(1993). DOI: 10.1063/1.109049
  15. Л.К. Орлов, С.В. Ивин. Химическая физика, 35 (3), 36 (2016). DOI: 10.7868/S0207401X16030055 [L.K. Orlov, S.V. Ivin. Russ. J. Phys. Chem. B, 10 (2), 219 (2016). DOI: 10.1134/S1990793116020056]
  16. Л.К. Орлов, С.В. Ивин. ЖОХ, 85 (12), 1951 (2015). [L.K. Orlov, S.V. Ivin. Russ. J. General Chem., 85 (12), 2686 (2015). DOI: 10.1134/S107036321512004X]
  17. J.M. Hartmann, A. Abbadie, A.M. Papon, P. Holliger, G. Rolland, T. Billon, J.M. Fedeli, M. Rouviere, L. Vivien, S. Laval. J. Appl. Phys., 95, 5905 (2004). DOI: 10.1063/1.1699524
  18. Л.К. Орлов, В.А. Толомасов, А.В. Потапов, В.И. Вдовин. Изв. вузов. Материалы электронной техники, 2, 30 (1998)
  19. L.K. Orlov, V.A. Tolomasov, A.V. Potapov, Yu.N. Drozdov., V.I. Vdovin. IEEE Trans. Semicond. Manufacturing, V. SIMC-9. 215 (1996)
  20. P.M. Garone, J.C. Sturm, P.W. Schwartz. Appl. Phys. Lett., 56, 1275 (1990). DOI:10.1063/1.102535
  21. S. Kobayashi, N. Mikoshiba, T. Matsuura, M. Sakuraba, J. Murota. J. Cryst. Growth., 174, 686 (1997)
  22. T.N. Adam. In the book: SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices / еd. J.D. Gressler. (CRC Press, Tailor \& Francis Groop, London, NY., 2008), р. 7
  23. J. Aubin, J.M. Hartmann, V. Benevent. Thin Solid Films, 602, 36 (2016). DOI:10.1016/j.tsf.2015.07.024
  24. J. Aubin, J.M. Hartmann, M. Bauer, S. Moffatt. J. Cryst. Growth., 445, 65 (2016). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.04.018
  25. F. Leys, R. Bonzom, R. Loo, O. Richard., B. De Jaeger., J. Van Steenbergen, K. Dessein, T. Conard, J. Rip., H. Bender, W. Vandervorst, M. Meuris, M. Caymax. Thin Solid Films, 508, 292 (2006). DOI:10.1016/j.tsf.2005.08.411
  26. T. Bramblett, Q. Lu, N. Lee, N. Taylor, M. Hasan, J.E. Green. J. Appl. Phys., 77, 1504 (1995). DOI: 10.1063/1.358901
  27. Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ФТП, 39 (11), 1320 (2005). [L.K. Orlov, T.N. Smyslova. Semiconductors, 39 (11), 1275 (2005).]
  28. L. Surnev, M. Tikhov. Surf. Sci., 138, 40 (1984)
  29. L.B. Lewis., J. Segall, K.C. Janda. J. Chem. Phys., 102, 7222 (1995). DOI: 10.1063/1.469117
  30. E.S. Tok, S.W. Ong, H.Ch. Kang. J. Chem. Phys., 120, 5424 (2004). DOI: 10.1063/1.1645510
  31. B.A. Ferguson, C.T. Reeves, D.J. Safarik, C.B. Mullins. J. Phys. Chem., 113, 2470 (2000)
  32. J.S. Lin, L.F. Lee. Int. J. Quantum Chem., 97, 736 (2004)
  33. J.S. Lin, Y.T. Kuo. Thin Solid Films, 370, 192 (2000)
  34. J.K. Kang, C.B. Musgrave. Phys. Rev. B, 64, 245330 (2001). DOI: 10.1103/PhysRevB.64.245330
  35. A.R. Brown, D.J. Doren. J. Chem. Phys., 110, 2643 (1999). DOI: 10.1063/1.477986
  36. Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, В.А. Боженкин. ФТП, 53 (7), 995 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2021.06.50875.82-20 [L.K. Orlov, N.L. Ivina, V.A. Bozhenkin. Semiconductors, 53 (7), 979 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619070182]
  37. Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ЖТФ. 82 (11), 83 (2012). [L.K. Orlov, T.N. Smyslova. Tech. Phys., 57 (11), 1547 (2012). DOI: 10.1134/S1063784212110187]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme