Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности взаимодействия молекул германа с поверхностью германия в вакууме и в присутствие потока водорода

DOI: 10.21883/JTF.2021.06.50875.82-20

Ивина Н.Л.¹, Кондрашина К.А.¹

¹ООО "МЕРА HH", Нижний Новгород, Россия LIMITED LIABILITY COMPANY "MERA NN" Nizni Novgorod, Russia

Email: nataivina@mail.ru

Поступила в редакцию: 23 ноября 2020 г.

В окончательной редакции: 24 ноября 2020 г.

Принята к печати: 5 января 2021 г.

Выставление онлайн: 23 февраля 2021 г.

PDF версия

В диапазоне ростовых температур (300-700)^oС проведен анализ температурного поведения основных кинетических параметров, ответственных за скорости протекания на поверхности растущего слоя германия процессов пиролиза адсорбируемых молекул германа. Проведена оценка степени покрытия поверхности германия водородом и радикалами молекул германа. Установлена взаимосвязь характерной частоты пиролиза молекул гидридов со скоростью захвата молекул поверхностью и скоростью встраивания атомов Ge в растущий слой. Температурная зависимость скорости распада фрагментов молекул на поверхности германия обнаруживает немонотонное поведение, характер которого различен в разных температурных режимах и зависит от того, на каком этапе процесса сорбции происходит захват поверхностью водорода с адсорбируемой молекулы гидрида. Характеристики пиролиза германа сопоставляются с аналогичными характеристиками для пиролиза молекул силана. Обнаружено, что повышение концентрации рабочих газов в камере роста заметным образом сказывается на каталитических свойствах ростовой поверхности. Ключевые слова: химическая эпитаксия, гидриды германия, поверхностный пиролиз, молекулярный и поверхностный водород, кинетические коэффициенты.

J. Shi, E.S. Tok, H.C. Kang. J. Chem. Phys., 127, 164713 (2007). DOI: 10.1063/1.2799980
R.Q.M. Ng, E.S. Tok., H.C. Hang. J. Chem. Phys., 131, 044707 (2009). DOI: 10.1063/1.3191780
M. Shinohara, A. Seyama, Y. Kimura, M. Niwano. Phys. Rev. B, 65, 075319 (2002). DOI: 10.1103/PhysRevB.65.075319
R.D. Smardon, G.P. Srivastava. J. Chem. Phys., 123, 174703 (2005). DOI: 10.1063/1.2087347
N. Taylor, H. Kim, P. Desjardins, Y.L. Foo., J.E. Greene. Appl. Phys. Lett., 76, 2853 (2000). DOI: 10.1063/1.126495
Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, Т.Н. Смыслова. ЖОХ, 83 (12), 1975 (2013). [L.K. Orlov, N.L. Ivina, T.N. Smyslova. Russ. J. General Chem., 83 (12), 2240 (2013). DOI: 10.1134/S1070363213120037]
J.M. Hartmann, V. Mazzocchi, F. Pierre, J.P. Barnes. ECS Transactions., 86, 219 (2018)
H. Kim, J.E. Greene. Surf. Sci., 504, 108 (2002)
T.I. Kammins, E.C. Carr, R.S. Williams, S.J. Rosner. J. Appl. Phys., 81, 211 (1997). DOI: 10.1063/1.364084
B. Cunningham, J.O. Chu, S. Akbar. Appl. Phys. Lett., 59, 3574 (1991). DOI: 10.1063/1.105636
M. Halbwax, D. Bouchier, V. Yam, D. Debarre, L.H. Nguyen, Y. Zheng, P. Rosner, M. Benamara, H.P. Strunk, C. Clerc. J. Appl. Phys., 97, 064907 (2005). DOI: 10.1063/1.1854723
J.M. Hartmann, F. Bertin, G. Rolland, M.N. Semeria, G. Bremond. Thin Solid Films., 479, 113 (2005). DOI:10.1016/j.tsf.2004.11.204
C. Li, S. John, E.S. Quinones. J. Vac. Sci. Technol., A14, 170 (1996). DOI: 10.1116/1.579915
K.J. Kim, M. Suemitsu, M. Yamanaka, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 62, 3461(1993). DOI: 10.1063/1.109049
Л.К. Орлов, С.В. Ивин. Химическая физика, 35 (3), 36 (2016). DOI: 10.7868/S0207401X16030055 [L.K. Orlov, S.V. Ivin. Russ. J. Phys. Chem. B, 10 (2), 219 (2016). DOI: 10.1134/S1990793116020056]
Л.К. Орлов, С.В. Ивин. ЖОХ, 85 (12), 1951 (2015). [L.K. Orlov, S.V. Ivin. Russ. J. General Chem., 85 (12), 2686 (2015). DOI: 10.1134/S107036321512004X]
J.M. Hartmann, A. Abbadie, A.M. Papon, P. Holliger, G. Rolland, T. Billon, J.M. Fedeli, M. Rouviere, L. Vivien, S. Laval. J. Appl. Phys., 95, 5905 (2004). DOI: 10.1063/1.1699524
Л.К. Орлов, В.А. Толомасов, А.В. Потапов, В.И. Вдовин. Изв. вузов. Материалы электронной техники, 2, 30 (1998)
L.K. Orlov, V.A. Tolomasov, A.V. Potapov, Yu.N. Drozdov., V.I. Vdovin. IEEE Trans. Semicond. Manufacturing, V. SIMC-9. 215 (1996)
P.M. Garone, J.C. Sturm, P.W. Schwartz. Appl. Phys. Lett., 56, 1275 (1990). DOI:10.1063/1.102535
S. Kobayashi, N. Mikoshiba, T. Matsuura, M. Sakuraba, J. Murota. J. Cryst. Growth., 174, 686 (1997)
T.N. Adam. In the book: SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices / еd. J.D. Gressler. (CRC Press, Tailor \& Francis Groop, London, NY., 2008), р. 7
J. Aubin, J.M. Hartmann, V. Benevent. Thin Solid Films, 602, 36 (2016). DOI:10.1016/j.tsf.2015.07.024
J. Aubin, J.M. Hartmann, M. Bauer, S. Moffatt. J. Cryst. Growth., 445, 65 (2016). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.04.018
F. Leys, R. Bonzom, R. Loo, O. Richard., B. De Jaeger., J. Van Steenbergen, K. Dessein, T. Conard, J. Rip., H. Bender, W. Vandervorst, M. Meuris, M. Caymax. Thin Solid Films, 508, 292 (2006). DOI:10.1016/j.tsf.2005.08.411
T. Bramblett, Q. Lu, N. Lee, N. Taylor, M. Hasan, J.E. Green. J. Appl. Phys., 77, 1504 (1995). DOI: 10.1063/1.358901
Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ФТП, 39 (11), 1320 (2005). [L.K. Orlov, T.N. Smyslova. Semiconductors, 39 (11), 1275 (2005).]
L. Surnev, M. Tikhov. Surf. Sci., 138, 40 (1984)
L.B. Lewis., J. Segall, K.C. Janda. J. Chem. Phys., 102, 7222 (1995). DOI: 10.1063/1.469117
E.S. Tok, S.W. Ong, H.Ch. Kang. J. Chem. Phys., 120, 5424 (2004). DOI: 10.1063/1.1645510
B.A. Ferguson, C.T. Reeves, D.J. Safarik, C.B. Mullins. J. Phys. Chem., 113, 2470 (2000)
J.S. Lin, L.F. Lee. Int. J. Quantum Chem., 97, 736 (2004)
J.S. Lin, Y.T. Kuo. Thin Solid Films, 370, 192 (2000)
J.K. Kang, C.B. Musgrave. Phys. Rev. B, 64, 245330 (2001). DOI: 10.1103/PhysRevB.64.245330
A.R. Brown, D.J. Doren. J. Chem. Phys., 110, 2643 (1999). DOI: 10.1063/1.477986
Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, В.А. Боженкин. ФТП, 53 (7), 995 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2021.06.50875.82-20 [L.K. Orlov, N.L. Ivina, V.A. Bozhenkin. Semiconductors, 53 (7), 979 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619070182]
Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ЖТФ. 82 (11), 83 (2012). [L.K. Orlov, T.N. Smyslova. Tech. Phys., 57 (11), 1547 (2012). DOI: 10.1134/S1063784212110187]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель