Вышедшие номера
Высокочастотный магнетотранспорт в тонком металлическом слое с варьируемыми коэффициентами зеркальности границ
Кузнецов П.А. 1, Савенко О.В. 1, Юшканов А.А. 2
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
2Московский государственный областной университет, Москва, Россия
Email: p.kuznetsov@uniyar.ac.ru, o.savenko@uniyar.ac.ru, yushkanov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 28 января 2020 г.
В окончательной редакции: 3 апреля 2020 г.
Принята к печати: 7 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2020 г.

Построена теоретическая модель электропроводности тонкого металлического слоя в продольном постоянном магнитном и переменном электрическом полях с учетом диффузно-зеркальных граничных условий. Получено аналитическое выражение для интегральной проводимости, как функции безразмерных параметров: толщины слоя, частоты электрического поля, индукции магнитного поля и коэффициентов зеркальности поверхностей. Проанализированы зависимости проводимости слоя от вышеуказанных параметров. Проведено сравнение полученных результатов с известными экспериментальными данными. Ключевые слова: уравнение Больцмана, функция распределения, тонкий слой, электропроводность, коэффициент зеркальности.
  1. A. Kowsar, S.F.U. Farhad, S.N. Sakib. IJRER, 8, 2218 (2018)
  2. B. Godefroid, G. Kozyreff. Phys. Rev. Appl., 8 (034024), 1 (2017). https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.8.034024
  3. S. Bhattacharya, I. Baydoun, M. Lin, S. John. Phys. Rev. Appl., 2019. 11 (014005), 1 (2019). https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.11.014005
  4. Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, А.С. Пащенко, Д.Л. Алфимова, Д.А. Арустам, А.Е. Казакова Письма в ЖТФ, Т. 45 (6), 7 (2019). https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.06.47489.17635 [L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.S. Pashchenko, D.L. Alfimova, D.A. Arustamyan, A.E. Kazakova. Tech. Phys. Lett., 45 (6), 250 (2019). https://doi.org/10.1134/S1063785019030313]
  5. А.Б. Никольская, М.Ф. Вильданова, С.С. Козлов, О.И. Шевалеевский. ФТП, 52 (1), 93 (2018). https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45325.8591 [A.B. Nikolskaia, M.F. Vildanova, S.S. Kozlov, O.I. Shevaleevskiy. Semiconductors, 52 (1), 88 (2018). https://doi.org/10.1134/S1063782618010165]
  6. Ал.А. Никитин, Ан.А. Никитин, А.Б. Устинов, Е. Lahderanta, Б.А. Калиникос. ЖТФ. 86 (6), 115 (2016). [A.A. Nikitin, A.B. Ustinov, E. Lahderanta, B.A. Kalinikos. Tech. Phys. 61 (6), P. 913 (2016).] https://doi.org/10.1134/S106378421606013X
  7. Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, М.К. Мерданов, В.О. Горлицкий. ЖТФ, 86 (2), 65 (2016). [D.A. Usanov, A.V. Skripal', M.K. Merdanov, V.O. Gorlitskii. Tech. Phys., 61 (2), 221 (2016).] https://doi.org/10.1134/S1063784216020250
  8. L. Wang, M. Yin, A. Khan, S. Muhtadi, F. Asif, E.S. Choi, T. Datta. Phys. Rev. Appl., 9 (024006), 1 (2018). https://doi.org/10.1103/physrevapplied.9.024006
  9. M.A. Abeed, J.L. Drobitch, S. Bandyopadhyay. Phys. Rev. Appl., 11 (054069), 1 (2019)
  10. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. (Наука, М., 1978, 616 c.)
  11. И.М. Лифшиц, М.Я. Азбель, М.И. Каганов. Электронная теория металлов. (Наука, М., 1971, 415 c.)
  12. K. Fuchs. Proc. Camb. Phil. Soc., 34, 100 (1938). https://doi.org/10.1017/S0305004100019952
  13. E.H. Sondheimer. Adv. Phys., 50, 499 (2001). https://doi.org/10.1080/00018730110102187
  14. Y.S. Way, Y.H. Kao. Phys. Rev. B., 5, 2039 (1972). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.5.2039
  15. R.G. Chambers. Proc. Roy. Soc. Lond. A., 202, 378 (1950). https://doi.org/10.1098/rspa.1950.0107
  16. J. Peterseim, G. Thummes, H.H. Mende. Phys. Stat. Sol. (a), 59, K25 (1980). https://doi.org/10.1002/pssa.2210590160
  17. V. Kuckhermann, G. Thummes, H.H. Mende. Phys. Stat. Sol. (a), 73, 439 (1982). https://doi.org/10.1002/pssa.2210730218
  18. A.A. Yushkanov, O.V. Savenko, I.A. Kuznetsova. Physicascripta, 95 (045805), (2020). https://dx.doi.org/10.1088/1402-4896/ab635a
  19. L. Moraga, C. Arenas, R. Henriquez, S. Bravo, B. Solis. Physica B: Condens. Matter., 499, 17 (2016). https://doi.org/10.1016/j.physb.2016.07.001
  20. R. Henriquez, S. Oyarzun, M. Flores, M.A. Suarez, L. Moraga, G. Kremer, C.A. Gonzalez-Fuentes, M. Robles, R.C. Munoz. J. Appl. Phys., 108 (123704), 1 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3525704
  21. R.C. Munoz, M.A. Suarez, S. Oyarzun. Phys. Rev. B, 81 (165408), 1 (2010). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.165408
  22. S. Oyarzun, R. Henri quez, M.A. Suarez, L. Moraga, G. Kremer, R.C. Munoz. Appl. Surf. Sci. 289, 167 (2014). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2013.10.128
  23. А.И. Уткин, Э.В. Завитаев, А.А. Юшкановю Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 9, 85 (2016). https://doi.org/10.7868/S0207352816090158 [A.I. Utkin, E.V. Zavitaev, A.A. Yushkanov. J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 10, 962 (2016). https://doi.org/10.1134/S1027451016050153]
  24. А.И. Уткин, А.А. Юшканов. Микроэлектроника, 45 (5), 386 (2016). https://doi.org/10.7868/S0544126916050100 [A.I. Utkin, A.A. Yushkanov. Russ. Microelectronics, 45, 357 (2016). https://doi.org/10.1134/S1063739716050103]
  25. А.И. Уткин, А.А. Юшканов. ЖТФ, 86 (10), 15 (2016). [A.I. Utkin, A.A. Yushkanov. Tech. Phys., 61 (10), 1457 (2016). https://doi.org/10.1134/S1063784216100273]
  26. И.А. Кузнецова, О.В. Савенко, А.А. Юшканов. ЖТФ, 87 (12), 1769 (2017). https://doi.org/10.21883/JTF.2017.12.45196.1831 [I.A. Kuznetsova, O.V. Savenko, A.A. Yushkanov. Tech. Phys., 62 (12), 1766 (2017). https://doi.org/10.1134/S1063784217120143]
  27. И.А. Кузнецова, Д.Н. Романов, А.А. Юшканов. Микроэлектроника, 47 (3), 226 (2018). https://doi.org/10.7868/S0544126918030079 [I.A. Kuznetsova, D.N. Romanov, A.A. Yushkanov. Russ. Microelectronics, 47 (3), 201 (2018). https://doi.org/10.1134/S1063739718030071]
  28. А.И. Уткин, А.А. Юшканов. Опт. спектр., 124 (2), 250 (2018). https://doi.org/10.21883/OS.2018.02.45532.190-17 [A.I. Utkin, A.A. Yushkanov. Opt. Spectr., 124 (2), 247 (2018). https://doi.org/10.1134/S0030400X18020194]
  29. А.И. Уткин, А.А. Юшканов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 3, 62 (2019). https://doi.org/10.1134/S0207352819030181 [A.I. Utkin, A.A. Yushkanov. J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 13, 221 (2019). https://doi.org/10.1134/S1027451019020186]
  30. Э.В. Завитаев, К.Е. Харитонов, А.А. Юшканов. ЖТФ, 89 (5), 643 (2019). https://doi.org/10.21883/JTF.2019.05.47462.275-18 [E.V. Zavitaev, K.E. Kharitonov, A.A. Yushkanov. Tech. Phys., 64 (5), 593 (2019). https://doi.org/10.1134/S1063784219050268]
  31. I.A. Kuznetsova, D.N. Romanov, A.A. Yushkanov. Phys. Scr., 94 (115805), (2019). https://doi.org/10.1088/1402-4896/ab20e4
  32. И.А. Кузнецова, О.В. Савенко, А.А. Юшканов. Микроэлектроника, 45 (2), 126 (2016). https://doi.org/10.7868/S0544126916020071 [I.A. Kuznetsova, O.V. Savenko, A.A. Yushkanov. Russ. Microelectronics, 45 (2) 119 (2016). https://doi.org/10.1134/S1063739716020074]
  33. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 8. (Физматлит, М, 2005. 656 с.)
  34. J.S. Chawla, F. Gstrein, K.P. O'Brien, J.S. Clarke, D. Gall. Phys. Rev. B, 84 (235423), 1 (2011). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.235423

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.