Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием ионного облучения, на сверхпроводящие переходы нанопроводников из нитрида ниобия
Переводная версия: 10.1134/S1063784220110146 
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: goncharov_bv@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 1 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 1 апреля 2020 г.
Принята к печати: 1 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июля 2020 г.
Исследовано влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием облучения в нанопроводе, на его сверхпроводящие переходы. Рассмотрены нанопровода из нитрида ниобия шириной 75-20000 nm, изготовленные из пленки NbN толщиной 5 nm на подложках из монокристаллического кремния, покрытого слоем термического оксида кремния толщиной 0.3 μm и на подложках из сапфира. Описано влияние встроенной резистивной области на величину критического тока перехода из сверхпроводящего состояния в нормальное. Ключевые слова: тонкие сверхпроводящие пленки NbN, критические токи перехода сверхпроводящих нанопроводов, криоэлектронные устройства, интегрированные криогенные резисторы, ионное облучение.
- McCaughan A.N., Berggren K.K. // Nano Lett. 2014. Vol. 14. N 10. P. 5748
- Пат. N 2694799 РФ. Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное / Б.А. Гурович, К.Е. Приходько, А.Г. Домантовский, Е.А. Кулешова, Л.В. Кутузов. заявл. 25.10.2018; опубл. 16.07.2019. Б. 20. 11 с
- Gurovich B.A., Prikhodko K.E., Tarkhov M.A., Domantovsky A.G., Komarov D.A., Goncharov B.V., Kuleshova E.A. // Micro Nanosystems. 2015. Vol. 8. P. 1--8
- Gurovich B.A., Goncharov B.V., Dementyeva M.M., Prikhodko K.E., Kutuzov L.V., Komarov D.A., Domantovsky A.G. // IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng. 2019. Vol. 699. P. 012016
- Gurovich B.A., Prikhod'ko K.E., Tarkhov M.A., Kuleshova E.A., Komarov D.A., Stolyarov V.L., Ol'shanskii E.D., Goncharov B.V., Goncharova D.A., Kutuzov L.V., Domantovskii A.G., Lavrukhina Z.V., Dement'eva M.M. // Nanotechnol. Russ. 2015. Vol. 10. N 7--8. P. 530
- Tinkham M., Free J.U., Lau C.N., Markovic N. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 68. P. 134515
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
