Вышедшие номера
Влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием ионного облучения, на сверхпроводящие переходы нанопроводников из нитрида ниобия
Гурович Б.А.1, Приходько К.Е.1,2, Гончаров Б.В.1, Дементьева М.М.1, Кутузов Л.В.1, Комаров Д.А.1, Домантовский А.Г.1, Столяров В.Л.1, Ольшанский Е.Д.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: goncharov_bv@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 1 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 1 апреля 2020 г.
Принята к печати: 1 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июля 2020 г.

Исследовано влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием облучения в нанопроводе, на его сверхпроводящие переходы. Рассмотрены нанопровода из нитрида ниобия шириной 75-20000 nm, изготовленные из пленки NbN толщиной 5 nm на подложках из монокристаллического кремния, покрытого слоем термического оксида кремния толщиной 0.3 μm и на подложках из сапфира. Описано влияние встроенной резистивной области на величину критического тока перехода из сверхпроводящего состояния в нормальное. Ключевые слова: тонкие сверхпроводящие пленки NbN, критические токи перехода сверхпроводящих нанопроводов, криоэлектронные устройства, интегрированные криогенные резисторы, ионное облучение.
  1. McCaughan A.N., Berggren K.K. // Nano Lett. 2014. Vol. 14. N 10. P. 5748
  2. Пат. N 2694799 РФ. Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное / Б.А. Гурович, К.Е. Приходько, А.Г. Домантовский, Е.А. Кулешова, Л.В. Кутузов. заявл. 25.10.2018; опубл. 16.07.2019. Б. 20. 11 с
  3. Gurovich B.A., Prikhodko K.E., Tarkhov M.A., Domantovsky A.G., Komarov D.A., Goncharov B.V., Kuleshova E.A. // Micro Nanosystems. 2015. Vol. 8. P. 1--8
  4. Gurovich B.A., Goncharov B.V., Dementyeva M.M., Prikhodko K.E., Kutuzov L.V., Komarov D.A., Domantovsky A.G. // IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng. 2019. Vol. 699. P. 012016
  5. Gurovich B.A., Prikhod'ko K.E., Tarkhov M.A., Kuleshova E.A., Komarov D.A., Stolyarov V.L., Ol'shanskii E.D., Goncharov B.V., Goncharova D.A., Kutuzov L.V., Domantovskii A.G., Lavrukhina Z.V., Dement'eva M.M. // Nanotechnol. Russ. 2015. Vol. 10. N 7--8. P. 530
  6. Tinkham M., Free J.U., Lau C.N., Markovic N. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 68. P. 134515

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.