Вышедшие номера
Исследование резонансной активации резистивного переключения в пленках ZrO2(Y) методом атомно-силовой микроскопии
Переводная версия: 10.1134/S1063784220110079
Филатов Д.О.1, Антонов Д.А.1, Антонов И.Н.1, Рябова М.А. 1, Горшков О.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dmitry_filatov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 2 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 2 апреля 2020 г.
Принята к печати: 2 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июля 2020 г.

Исследовано локальное резистивное переключение в контакте зонда атомно-силового микроскопа (АСМ) к пленкам ZrO2(Y) (в том числе - с подслоем Та2O5) на проводящих подложках. Переключение проводилось треугольными импульсами напряжения с наложением высокочастотного синусоидального сигнала. На зависимостях разности силы тока через АСМ зонд в низкоомном и высокоомном состояниях диэлектрических пленок от частоты высокочастотного синусоидального сигнала наблюдались максимумы при частотах, соответствующих характерным частотам перескоков ионов О2- по кислородным вакансиям в ZrO2(Y) и Та2O5 при 300 K. Эффект связан с резонансной активацией миграции ионов O2- по вакансиям кислорода внешним высокочастотным электрическим полем. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, атомно-силовая микроскопия, резонансная активация.