Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2020, выпуск 11 » Статья стр. 1825
<<<>>>
Исследование резонансной активации резистивного переключения в пленках ZrO2(Y) методом атомно-силовой микроскопии
DOI: 10.21883/JTF.2020.11.49969.109-20
Переводная версия: 10.1134/S1063784220110079
Филатов Д.О.1, Антонов Д.А.1, Антонов И.Н.1, Рябова М.А. 1, Горшков О.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dmitry_filatov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 2 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 2 апреля 2020 г.
Принята к печати: 2 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июля 2020 г.
PDF версия
Исследовано локальное резистивное переключение в контакте зонда атомно-силового микроскопа (АСМ) к пленкам ZrO2(Y) (в том числе - с подслоем Та2O5) на проводящих подложках. Переключение проводилось треугольными импульсами напряжения с наложением высокочастотного синусоидального сигнала. На зависимостях разности силы тока через АСМ зонд в низкоомном и высокоомном состояниях диэлектрических пленок от частоты высокочастотного синусоидального сигнала наблюдались максимумы при частотах, соответствующих характерным частотам перескоков ионов О2- по кислородным вакансиям в ZrO2(Y) и Та2O5 при 300 K. Эффект связан с резонансной активацией миграции ионов O2- по вакансиям кислорода внешним высокочастотным электрическим полем. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, атомно-силовая микроскопия, резонансная активация.
  1. Resistive Switching: From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications / Eds. D. Ielmini, R. Waser. Weinheim: Wiley-VCH, 2016. 784 p
  2. Waser R., Aono M. // Nature Mater. 2007. Vol. 6. P. 833--840. DOI: 10.1038/nmat2023
  3. Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature. 2008. Vol. 453. N 7191. P. 80--83. DOI: 10.1038/nature06932
  4. Riess I. // J. Electroceram. 2017. Vol. 39. N 1?4. P. 61--72. DOI: 10.1007/s10832-017-0092-z
  5. Ouyang J. Emerging Resistive Switching Memories. Berlin--Heidelberg: Springer, 2016. 93 p
  6. Huang A., Zhang X., Li R., Chi Y. // Memristor and Memristive Neural Networks / Ed. A. James. Rijeka: InTech Open, 2018. P. 249--281. DOI: 10.5772/intechopen.69929
  7. Yi W., Savel'ev S E., Medeiros-Ribeiro G., Miao F., Zhang M.-X., Yang J.J., Bratkovsky A.M., Williams R.S. // Nature Commun. 2016. Vol. 7. P. 11142. DOI: 10.1038/ncomms11142
  8. Parreira P., Paterson G.W., McVitie S., MacLaren D.A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2016. Vol. 49. P. 09511. DOI: 10.1088/0022-3727/49/9/095111
  9. Sun Y., Song C., Yin J., Chen X., Wan Q., Zeng F., Pan F. // ACS Appl. Mater. Interf. 2017. Vol. 9. P. 34064. DOI: 10.1021/acsami.7b09710
  10. Trapatseli M., Cortese S., Serb A., Khiat A., Prodromakis T. // J. Appl. Phys. 2017. Vol. 121. P. 184505. DOI: 10.1063/1.4983006
  11. Wu W., Wu H., Gao B., Deng N., Qian H. // J. Appl. Phys. 2018. Vol. 124. P. 152108. DOI: 10.1063/1.5037896
  12. Alibart F., Gao L., Hoskins B.D., Strukov D.B. // Nanotechnology. 2012. Vol. 23. P. 075201. DOI: 10.1088/0957-4484/23/7/075201
  13. Lanza M. // Materials. 2014. Vol. 7. P. 2155. DOI: 10.3390/ma7032155
  14. Филатов Д.О., Коряжкина М.Н., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Лискин Д.А., Рябова М.А., Горшков О.Н. // ЖТФ. 2019. Т. 89. Вып. 11. С. 1669--1673. DOI: 10.21883/JTF.2019.11.48326.127-19
  15. Leggett A.J. // Phys. Rev. Lett. 1984. Vol. 53. P. 1096. DOI: 10.1103/PhysRevLett.53.1096
  16. Arrayas M., Dykman M.I., Mannella R., McClintock P.V.E., Stein N.D. // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 84. P. 5470. DOI: 10.1103/PhysRevLett.84.5470
  17. Mantegna R.N., Spagnolo B. // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 84. P. 3025. DOI: 10.1103/PhysRevLett.84.3025
  18. Muthukumar M. // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 86. P. 3188. DOI: 10.1103/PhysRevLett.86.3188
  19. Dubkov A.A., Agudov N.V., Spagnolo B. // Phys. Rev. E. 2004. Vol. 69. P. 061103. DOI: 10.1103/PhysRevE.69.061103
  20. Mikhaylov A., Belov A., Korolev D., Antonov I., Kotomina V., Kotina A., Gryaznov E., Sharapov A., Koryazhkina M., Kryukov R., Zubkov S., Sushkov A., Pavlov S., Tikhov S., Morozov O., Tetelbaum D. // Adv. Mater. Technol. 2019. P. 1900607. DOI: 10.1002/admt.201900607
  21. Filatov D., Tikhov S., Gorshkov O., Antonov I., Koryazhkina M., Morozov A. // Adv. Cond. Mat. Phys. 2018. P. 2028491. DOI: 10.1155/2018/2028491
  22. Yakimov A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Belyakov A.V., Klyuev A.V., Carollo A., Spagnolo B. // Appl. Phys. Lett. 2019. Vol. 114. P. 253506. DOI: 10.1063/1.5098066
  23. Gries U.N., Schraknepper H., Skaja K., Gunkel F., Hoffmann-Eifert S., Waser R., De Souza R.A. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2018. Vol. 20. P. 989?996. DOI: 10.1039/C7CP07441G
  24. Hur J.-H. // Sci. Rep. 2019. Vol. 9. P. 17019. DOI: 10.1038/s41598-019-53498-3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme