Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2020, выпуск 5 » Статья стр. 795
<<<>>>
Влияние толщины пленки Pt на изменение текстуры и доли кристаллической фазы при ее отжиге
DOI: 10.21883/JTF.2020.05.49181.163-18
Переводная версия: 10.1134/S1063784220050229
Селюков Р.В.1, Наумов В.В. 1
1Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия
Email: rvselyukov@mail.ru, vvnau@rambler.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2018 г.
В окончательной редакции: 19 ноября 2019 г.
Принята к печати: 19 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
PDF версия
Текстурированные пленки Pt с толщиной 20-80 nm, нанесенные методом магнетронного распыления на окисленную пластину c-Si(100), подвергались отжигу в вакууме в режиме 500oC/60 min. С помощью методов рентгеноструктурного анализа найдены зависимости параметров кристаллической текстуры и доли кристаллической фазы от толщины для исходных пленок и пленок, подвергнутых отжигу. Для нахождения доли кристаллической фазы в текстурированных пленках предложена оригинальная методика, основанная на анализе кривых качания. Найдено, что для всех толщин отжиг привел к улучшению текстуры и увеличению доли кристаллической фазы тем большим, чем меньше толщина. Данный результат объяснен появлением в результате отжига крупных вторичных зерен, чья объемная доля растет с уменьшением толщины. Для исходных пленок Pt исследована неоднородность распределений параметров текстуры и доли кристаллической фазы по глубине пленки. Ключевые слова: платина, тонкие пленки, кристаллическая текстура, рентгеноструктурный анализ, кривые качания.
  1. Воротилов К.А., Жигалина О.М., Васильев В.А., Сигов А.С. // ФТТ. 2009. Т 51. Вып. 7. С. 1268--1271. [ Vorotilov K.A., Zhigalina O.M., Vasil'ev V.A., Sigov A.S. // Phys. Solid State. 2009. Vol. 51. N 7. P. 1337--1340. Doi: 10.1134/S106378340907004X]
  2. Chateigner D., Wenk H.-R., Patel A., Todd M., Barber D.J. // Int. Ferroelectrics 1998. Vol. 19. N 1--4. P. 121--140. Doi: 10.1080/10584589808012699
  3. Potrepka D.M., Fox G.R., Sanchez L.M., Polcawich R.G. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2011. Vol. 1299. P. 67--72. Doi: 10.1557/opl.2011.53
  4. Silva J.P.B., Sekhar K.C., Almeida A., Agostinho Moreira J., Martin-Sanchez J., Pereira M., Khodorov A., Gomes J.M. // J. Appl. Phys. 2012. Vol. 112. N 4. P. 044105. Doi: 10.1063/1.4748288
  5. Mirica E., Kowach G., Evans P., Du H. // Cryst. Growth \& Design. 2004. Vol. 4. N 1. P. 147--156. Doi: 10.1021/cg025595j
  6. Kim S.-K., Jeong S.-Y., Cho C.-R. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 82. N 4. P. 562--564. Doi: 10.1063/1.1536253
  7. Lin R.-C., Kao K.-S., Cheng C.-C., Chen Y.-C. // Thin Solid Films. 2008. Vol. 516. N 16. P. 5262--5265. Doi 10.1016/j.tsf.2007.07.105
  8. Caliendo C., Massimilano Latino P. // Thin Solid Films. 2011. Vol. 519. N 19. P. 6326-6329. Doi: 10.1016/j.tsf.2011.04.017
  9. Thompson C.V. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 58. N 2. P. 763-772. Doi: 10.1063/1.336194
  10. Keblinski P., Wolf D., Phillpot S.R., Gleiter H. // Scripta Mater. 1999. Vol. 41. N 6. P. 631--636. Doi: 10.1016/S1359-6462(99)00142-6
  11. Malek M.F., Mamat M.H., Khusaimi Z., Sahdan M.Z., Musa M.Z., Zainun A.R., Suriani A.B., Md Sin N.D., Abd Hamid S.B., Rusop M. // J. Alloys and Compounds. 2014. Vol. 582. N 5. P. 12--21. Doi: 10.1016/j.jallcom.2013.07.202
  12. Ho M.-Y., Gong H., Wilk G.D., Busch B.W., Green M.L., Voyles P.M., Muller D.A., Bude M., Lin W.H., See A., Loomans M.E., Lahiri S.K., Raisanen P.I. // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 93. N 3. P. 1477--1481. Doi: 10.1063/1.1534381
  13. Heiroth S., Frison R., Rupp J.L.M., Lippert T., Meier E.J.B., Gubler E.M., Dobeli M., Conder K., Wokaun A., Gauckler L.J. // Solid State Ionics. 2011. Vol. 191. N 1. P. 12--23. Doi: 10.1016/j.ssi.2011.04.002
  14. Palumbo G., Thorne S.J., Aust K.T. // Scr. Metall. Mater. 1990. Vol. 24. N 7. P. 1347--1350. Doi: 10.1016/0956-716X(90)90354-J
  15. Yamasaki T. // Scripta Mater. 2001. Vol. 44. N 8--9. P. 1497--1502. Doi: 10.1016/S1359- 6462(01)00720-5
  16. Roebben G., Sarbu C., Lubec T., Van der Biest O. // Mat. Sci. Eng. A. 2004. Vol. 370. N 1--2. P. 453--458. Doi: 10.1016/j.msea.2003.05.004
  17. Cullity B.D. Elements of X-ray diffraction. Addison-Wesley Publishing Company, Inc. 1956
  18. Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 632 с
  19. Платина, ее сплавы и композиционные материалы / Под ред. Е.В. Васильевой. М.: Металлургия, 1980. 296 с
  20. Schulz L.G. // J .Appl. Phys. 1949. Vol. 20. N 11. P. 1030-1033. Doi: 10.1063/1.1698268
  21. Физические величины. Справочник. / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с
  22. Fox A.J., Drawl B., Fox G.R., Gibbons B.J., Trolier-McKinstry S. // IEEE Trans. on UFFC. 2015. Vol. 62. N 1. P. 56--61. Doi: 10.1109/TUFFC.2014.006671
  23. Martin F., Muralt P., Dubois M.-A., Pezous A. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2004. Vol. 22. N 2. P. 361--365. Doi: 10.1116/1.1649343
  24. Petrov I., Barna P.B., Hultman L., Greene. J.E. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2003. Vol. 21. N 5. P. S117--S128. Doi: 10.1116/1.1601610
  25. Kuru Y., Welzel U., Mittemeijer E.J. // Appl. Phys. Lett. 2014. Vol. 105. N 22. P. 221902. Doi: 10.1063/1.4902940
  26. Селюков Р.В., Наумов В.В., Васильев С.В. // ЖТФ. 2018. Т. 88. Вып. 6. С. 926--933
  27. Wei Y., Su C., Anand L. // Acta Mater. 2006. Vol. 54. N 12. P. 3177--3190. Doi: 10.1016/j.actamat.2006.03.007
  28. Thompson C.V. // Annu. Rev. Mater. Sci. 2000. Vol. 30. P. 159-190. Doi: 10.1146/annurev.matsci.30.1.159
  29. Ruffino F., Grimaldi M.G., Bongiorno C., Giannazzo F., Roccaforte F., Raineri V., Spinella C. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 105. N 5. P. 054311. Doi: 10.1063/1.3093681
  30. Shen T.D., Koch C.C., Tsui T.Y., Pharr G.M. // J. Mater. Res. 1995. Vol. 10. N 11. P. 2892--2896. Doi: 10.1557/JMR.1995.2892

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme