Вышедшие номера
Фотоэлектрические поля и особенности вторичной структуры номинально чистых кристаллов ниобата лития, выращенных из шихты, легированной бором
Переводная версия: 10.1134/S1063784220040192
Сидоров Н.В., Теплякова Н.А., Титов Р.А., Палатников М.Н.
Email: epl_na@chemy.kolasc.net.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2019 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2019 г.
Принята к печати: 24 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

Показано, что применение для выращивания номинально чистых кристаллов ниобата лития расплава, структурированного неметаллическим элементом бором, позволяет регулировать особенности вторичной структуры, оптическую однородность, величины фотоэлектрических полей и ширину запрещенной зоны. По характеристикам фотоиндуцированного рассеяния света определены напряженности фотовольтаического и диффузионного полей в номинально чистых кристаллах LiNbO3:В. Показано, что величина диффузионного поля, определяющая концентрацию мелких электронных ловушек, для кристаллов LiNbO3:В имеет промежуточное значение между кристаллами конгруэнтного и стехиометрического составов и зависит от концентрации бора в шихте. При этом ширина запрещенной зоны в кристаллах LiNbO3:В соответствует значению для стехиометрического кристалла, но оптическая однородность кристаллов LiNbO3:В близка к оптической однородности конгруэнтного кристалла, концентрация ОН-групп в кристаллах LiNbO3:В меньше, а их расположение в структуре более упорядочено, чем в конгруэнтном кристалле. Ключевые слова: ниобат лития, расплав, фотоэлектрические поля, ИК-спектроскопия, оптическая спектроскопия.