Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2020, выпуск 4 » Статья стр. 652
<<<>>>
Фотоэлектрические поля и особенности вторичной структуры номинально чистых кристаллов ниобата лития, выращенных из шихты, легированной бором
DOI: 10.21883/JTF.2020.04.49091.30-19
Переводная версия: 10.1134/S1063784220040192
Сидоров Н.В., Теплякова Н.А., Титов Р.А., Палатников М.Н.
Email: epl_na@chemy.kolasc.net.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2019 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2019 г.
Принята к печати: 24 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
PDF версия
Показано, что применение для выращивания номинально чистых кристаллов ниобата лития расплава, структурированного неметаллическим элементом бором, позволяет регулировать особенности вторичной структуры, оптическую однородность, величины фотоэлектрических полей и ширину запрещенной зоны. По характеристикам фотоиндуцированного рассеяния света определены напряженности фотовольтаического и диффузионного полей в номинально чистых кристаллах LiNbO3:В. Показано, что величина диффузионного поля, определяющая концентрацию мелких электронных ловушек, для кристаллов LiNbO3:В имеет промежуточное значение между кристаллами конгруэнтного и стехиометрического составов и зависит от концентрации бора в шихте. При этом ширина запрещенной зоны в кристаллах LiNbO3:В соответствует значению для стехиометрического кристалла, но оптическая однородность кристаллов LiNbO3:В близка к оптической однородности конгруэнтного кристалла, концентрация ОН-групп в кристаллах LiNbO3:В меньше, а их расположение в структуре более упорядочено, чем в конгруэнтном кристалле. Ключевые слова: ниобат лития, расплав, фотоэлектрические поля, ИК-спектроскопия, оптическая спектроскопия.
  1. Сидоров Н.В., Палатников М.Н., Яничев А.А., Титов Р.А., Теплякова Н.А. // Опт. и спектр. 2016. Т. 121. N 1. С. 40--49. DOI: 10.7868/S0030403416070199 [ Sidorov N.V., Palatnikov M.N., Yanichev A.A., Titov R.A., Teplyakova N.A. // Opt. Spectr. 2016. Vol. 121. N 1. Р. 1024--1032. DOI: 10.1134/S0030400X16070195]
  2. Сидоров Н.В., Палатников М.Н., Яничев А.А., Титов Р.А., Теплякова Н.А. // ЖПС. 2016. Т. 83. N 5. С. 707--714. [ Sidorov N.V., Palatnikov M.N., Yanichev A.A., Titov R.A., Teplyakova N.A. // J. Appl. Spectr. 2016. Vol. 83.  N 5. P. 750--756.]
  3. Палатников М.Н., Сидоров Н.В., Титов Р.А., Теплякова Н.А., Макарова О.В. // Персп. матер. 2018. N 6. С. 5--15. DOI: 10.30791/1028-978X-2018-6-5-15
  4. Сидоров Н.В., Теплякова Н.А., Титов Р.А., Палатников М.Н. // Сибирский физический журн. 2018. Т. 13. N 2. С. 70--79. DOI: 10.25205/2541-9447-2018-13-2-70-79
  5. Сидоров Н.В., Теплякова Н.А., Титов Р.А., Палатников М.Н. // ЖТФ. 2018. Т. 88. Вып. 12. С. 1820--1828. DOI: 10.21883/JTF.2018.12.46783.39-18 [ Sidorov N.V., Teplyakova N.A., Titov R.A., Palatnikov M.N. // Tech. Phys. 2018. Vol. 63. N 12. P. 1758--1766. DOI: 10.1134/S1063784218120198]
  6. Макарова О.В., Палатников М.Н., Бирюкова И.В., Теплякова Н.А., Сидоров Н.В. // Неорган. матер. 2018. Т. 54. N 1. C. 53--58. DOI: 10.7868/S0002337X18010104 [ Makarova O.V., Palatnikov M.N., Biryukova I.V., Teplyakova N.A., Sidorov N.V. // Inorg. Mater. 2018. Vol. 54. N 1. P. 49--54. DOI: 10.1134/S0020168518010089]
  7. Сидоров Н.В., Палатников М.Н., Теплякова Н.А., Сюй А.В. // ЖПС. 2018. Т. 85. N 4. С. 666--672
  8. Shur V.Ya., Akhmatkhanov A.R., Baturin I.S. // Appl. Phys. Rev. 2015. Vol. 2. P. 040604--0406015. DOI: 10.1063/1.4928591
  9. Sidorov N.V., Serebryakov Yu.A. // Ferroelectrics. 1994. Vol. 160. Р. 101--105
  10. Lеngyel K., Peter A., Kovacs L., Corradi G., Palfavi L, Hebling J., Unferdorben M., Dravecz G., Hajdara I., Szaller Zs., Polgar K. // Appl. Phys. Rev. 2015. Vol. 2. Р. 040601--040628. doi.org/10.1063/1.4929917
  11. Cabrera J.M., Olivares J., Carrascosa M., Rams J., Muller R., Dieguez E. // Adv. Phys. 1996. Vol. 45. N 5. P. 349--392. DOI: 10.1080/00018739600101517
  12. Goulkov M., Imlau M., Woike Th. // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 77. P. 235110-1--23510-7. DOI: 10.1103/PhysRevB.77.235110
  13. Палатников М.Н., Сидоров Н.В., Бирюкова И.В., Щербина О.Б., Калинников В.Т. // Персп. матер. 2011. N 2. С. 93--97
  14. Палатников М.Н., Сидоров Н.В., Макарова О.В., Бирюкова И.В. Фундаментальные аспекты технологии сильно легированных кристаллов ниобата лития. Апатиты: Изд-во КНЦ РАН, 2017. 241 с
  15. Syuy A.V., Sidorov N.V., Gaponov A.Y., Palatnikov M.N., Efremenko V.G. // Optik. 2013. Vol. 124. N 21. Р. 5259--5261. DOI: 10.1016/j.ijleo.2013.03.082
  16. Сюй А.В., Сидоров Н.В., Палатников М.Н., Штарев Д.С., Антонычева Е.А., Гапонов А.Ю., Чехонин К.А. // Оптич. журн. 2015. Т. 82. N 5. С. 71--75
  17. Гурзадян Г.Г., Дмитриев В.Г., Никогосян Д.Н. Нелинейно-оптические кристаллы. Свойства и применение в квантовой электронике. М.: Радио и связь, 1991. 160 с
  18. Сидоров Н.В., Волк Т.Р., Маврин Б.Н., Калинников В.Т. Ниобат лития: дефекты, фоторефракция, колебательный спектр, поляритоны. М.: Наука, 2003. 255 с
  19. Автореф. канд. дис. Саллум М.И. Влияние стехиометрии и допирующих примесей на электрические и оптические свойства кристаллов ниобата лития. СПб, 2009. 19 с
  20. Nahm H.H., Park C.H. // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 78. N 18. P. 184108/1. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.78.184108
  21. Iyi N., Kitamura K., Izumi F., Yamamoto J.K., Hayashi T., Asano H., Kimura S. // J. Solid State Chem. 1992. Vol. 101. P. 340--352. DOI: 10.1016/0022-4596(92)90189-3
  22. Blumel J., Born E., Metzger T. // J. Phys. Chem. Solid. 1994. Vol. 55. P. 589--593. DOI: 10.1016/0022-3697(94)90057-4
  23. Volk Т., Wohlecke М. Lithium niobate. Defects, photorefraction and ferroelectric switching. Berlin: Springer, 2008. 250 р
  24. Блистанов А.А., Любченко В.М., Горюнова А.Н. // Кристаллография. 1998. Т. 43. N 1. С. 86--91
  25. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. 736 с
  26. Автореф. канд. дис. Обуховский В.В. Процессы фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах. Киев, 1989. 24 с.
  27. Ахмадуллин И.Ш., Голенищев-Кутузов В.А., Мигачев С.А., Миронов С.П. // ФТТ. 1998. Т. 40. Вып. 7. С. 1307--1309. [ Akhmadullin I.Sh., Golenishchev-Kutuzov V.A., Migachev S.A., Mironov S.P. // Phys. Sol. State. 1998. Т. 40.  N 7. С. 1190--1192. DOI: 10.1134/1.1130517]
  28. Fontana M.D., Bourson P. // Appl. Phys. Rev. 2015. N 2. P. 040602-1--040602-14. https://doi.org/10.1063/1.4934203
  29. Polgar K., Peter A., Kovacs L., Corradi G., Szaller Zs. // J. Cryst. Growth. 1997. Vol. 177. N 3.4. P. 211--216. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(96)01098-6
  30. Kong Y., Zhang W., Chen X., Xu J., Zhang G. // J. Phys. Cond. Matter. 1999. Vol. 11. Р. 2139--2143
  31. Kong Y., Zhang W., Xu J., Yan W., Liu H., Xie X., Li X., Shi L., Zhang G. // Infrared Phys. Techn. 2004. Vol. 45. P. 281--289. DOI: 10.1016/j.infrared.2003.12.001
  32. Klauer S., Wohlecke M., Kapphan S. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45. P. 2786--2799. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.45.2786

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme