Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2020, выпуск 3 » Статья стр. 456
<<<>>>
Светодиодные структуры на основе ZnO-пленок, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, для УФ области спектра
DOI: 10.21883/JTF.2020.03.48931.378-18
Переводная версия: 10.1134/S1063784220030159
Мездрогина М.М.1, Виноградов А.Я.1, Кожанова Ю.В.2, Борсук Е.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.
PDF версия
Представлены результаты исследований влияния различных дефектов на вид спектров фото- и электролюминесценции (интенсивность и длину волны излучения) структур n-ZnO/p-GaN. Ключевые слова: пленки ZnO, p-GaN, спектры фотолюминесценции в УФ области спектра.
  1. Lupan O., Pauporte T., Viana B. // Adv. Mater. 2010. Vol. 22. P. 3298
  2. Wang T., Wu H., Wang Z., Chen C., Liu C. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 101. P. 161905
  3. Huang H.H., Fang G.J., Mo X.M., Long H., Wang H.N., Li S.Z., Li Y., Zhang Y.P., Pan C.X., Caroll D.L. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 101. P. 223504
  4. Chichibu S.F., Ohmori T., Shibata N., Koyama T., Onuma T. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85. P. 013509
  5. Мездрогина М.М., Еременко М.В., Смирнов А.Н., Петров В.Н., Теруков Е.И. // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 8. С. 1016
  6. Huang H.H., Fang G.J., Li Y., Li S.Z., Mo X.M., Long H., Wang H.N., Caroll L., Zhao X.Z. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 100. P. 233502
  7. Iwan S., Bambeng S., Zhao J.L., Tan S.T., Fan H.M., San L., Zhang S., Ryu H.H., Sun X.W. // Physica. B. 2012. Vol. 407. P. 2721
  8. Мездрогина М.М., Виноградов А.Я., Левицкий В.С., Терукова Е.Е., Кожанова Ю.В., Агликов А.С. // ФТП. 2017. Т. 51. Вып. 5. С. 588
  9. Мездрогина М.М., Еременко М.В., Левицкий В.С., Петров В.Н., Теруков Е.И., Кайдышев Е.М., Лянгузов Н.В. // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 11. С. 1016
  10. Мездрогина М.М., Виноградов А.Я., Кожанова Ю.В. // ФТП. 2018. Т. 52. Вып. 10. С. 1115
  11. Мездрогина М.М., Еременко М.В., Голубенко С.М., Разумов С.М. // ФТТ. 2012. Т. 54. Вып. 6. С. 1155
  12. Li S.Z., Lin W.W., Fang G.I., Huang F., Huang H.H., Long H., Mo X.M., Wang H.N., Guan W.J., Zhao X.Z. // J. Lumin. 2013. Vol. 140. P. 110
  13. Alilov Y.I., Van Nostrand J.E., Look D.C., Chukichev M.V., Ataev B.M. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. P. 2943
  14. Jeong M.-Ch., Oh B.-Y., Ham M.-H., Myong J.-M. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 202105
  15. Dellivers T., Leite D.M.G., Dias da Silva J.H., Bonanni A. // Appl. Phys. Lett. 2013. Vol. 103. P. 211909
  16. Avramenko K.A., Romanjuk A.S., Strelchuk V.V., Kolomys O.F., Zavialova L.V., Sveshnikov S.V., Snopok B.A.,.Roshina N.N. Pros. Interna. Conf. Nanomaterials: Applications and Properties. 2012. Vol. 1. N 3. P. 03TF12
  17. Rogers D., Teherani F.H., Yasan A., Minder K., Kung P., Razehi M. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 141918
  18. Yuk J.M., Lee J.Y., Jung J.H., Kim T.W., Son D.I., Choi W.K. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 031907
  19. Han S.K., Hong S.K., Lee J.W., Song J.H., Nam Y.S., Chang S.K., Minegishi T., Yao T. // J. Cryst. Growth. 2007. Vol. 309. P. 121
  20. Reshnikov M., Markos H. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 97. P. 061301

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme