Проведены исследования возможности интеграции эпитаксиальных SiC- и AlN-технологий с использованием противоположных граней общей SiC-подложки (эпитаксия AlN осуществлялась на заключительном этапе) с точки зрения сохранения исходного качества ранее полученных SiC-слоев. В частности, исследовано влияние AlN-гетероэпитаксии и сопутствующих ей упругих напряжений на перераспределение концентрации легирующей примеси в SiC-слоях, а также связанную с этим процессом трансформацию распределения локальных значений напряжения пробоя барьерных диодов. В качестве диагностической процедуры изучения возможных негативных последствий длительного роста (~3 h, ~60 μm) использовались измерения обратных ветвей вольт-амперных характеристик матриц поверхностно-барьерных диодов типа Au-SiC, которые преднамеренно создавались до и непосредственно после проведения процесса AlN-эпитаксии и удалялись после осуществления соответствующего комплекса измерений. Статистическая обработка значений напряжений пробоя, в том числе и вычисление гистограмм, показала, что изменение средних значений и дисперсии как для слоев n-, так и для слоев p-типа оказалось незначительным. Ключевые слова: широкозонные полупроводники, SiC, AlN, высокотемпературная электроника, функциональная электроника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.