Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрические свойства монокристаллов MnGaInS4
Переводная версия: 10.1134/S1063784220030160 
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан 
Email: namiq7@bk.ru
Поступила в редакцию: 22 января 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.
Исследовано спектральное распределение фотопроводимости и температурная зависимость фототока монокристаллов MnGaInS4. На спектре фотопроводимости выявлена собственная и примесная фотопроводимости. Область длин волн 0.640-0.760 μm проявляется при недостатке марганца в кристаллах и обусловлена акцепторным дефектом. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны в монокристаллах MnGaInS4 связана с электрон-фононным взаимодействием. В исследуемых температурах рост фототока связан с термическим опустошением уровней прилипания. Рассчитана энергия активации уровней прилипания. Ключевые слова: монокристалл, фотопроводимость, фототок, электрон-фононное взаимодействие, энергия активации.
- Torres T., Sagredo V., De Chalbaud L., Attolini G., Bolzoni F. // Physica B: Condensed Mater. 2006. Vol. 384. N 1--2. P. 100--102
- Myoung B.R., Lim J.T., Kim C.S. // J. Magn. Magnet. Mater. 2017. Vol. 438. P. 121--125
- Sagredo V., Moron M., Betancourt L., Delgado G. // J. Magn. Mater. 2007. Vol. 312. N 2. P. 294--297
- Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Мурадов М.Б., Мамедов Ф.М., Казымова Ф.А. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. Вып. 22. С. 79--83
- Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Мурадов М.Б., Мамедов Ф.М. // ЖТФ. 2012. Т. 82. Вып. 4. С. 147--149
- Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 11. С. 1549--1552
- Боднарь И.В., Павлюковец С.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 11. С. 1553--1556
- Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Нетяга В.В., Заслонкин А.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2007. N 5. С. 43--45
- Lu Q., Hu K., Tank K. et al. // Chem. Lett. 1999. Vol. 28. N 6. P. 481--482
- Xiangying C., Zhongjie Z., Xingta Z. Jianwei L., Yitai Q. // J. Cryst. Growth. 2005. Vol. 277. N 1--4. P. 524--528
- Lei S., Tang K., Fang Z., Qi Y., Zheng H. // Mater. Res. Bull. 2006. Vol. 41. N 12. P. 2325
- Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 1. С. 17--19
- Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 10. С. 49--53
- Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. // Неорган. матер. 2003. Т. 39. В. 6. С. 1--3
- Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. // Опт. и спектр. 2012. Т. 112. N 1. С. 96--99
- Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. // Опт. и спектр. 2017. Т. 122. N 6. С. 969--971
- Haeuseler H., Stork H. // J. Mater. Chem. 1992. N 2. P. 145--147
- Георгобиани А.Н., Радауцан С.И., Тигиняну И.М. // ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 2. С. 193--212
- Georgobiani A.N., Gruzintsev A.N., Radautsan S.I., Tiginyanu I.M. // Phys. St. Sol. A. 1983. Vol. 80. N 1. P. 45--48
- Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М.: Мир, 1976. 430 с
- Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: Мир, 1962. 558 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
