Теория термоэмиссионных и вторично-эмиссионных свойств палладий-бариевых катодов электровакуумных сверхвысокочастотных приборов
Капустин В.И.1,2, Ли И.П.2, Москаленко С.О.1,2, Шуманов А.В.1,2
1МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
2АО "Плутон", Москва, Россия
Email: kapustin@mirea.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2019 г.
В окончательной редакции: 14 мая 2019 г.
Принята к печати: 5 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.
Предложена модель структуры поверхности палладий-бариевого катода, и на основе модели вторичной электронной эмиссии Дайона проведен расчет зависимости коэффициента вторичной электронной эмиссии кристаллитов оксида бария, формирующихся на поверхности катода при его термическом активировании, от температуры и концентрации кислородных вакансий в оксиде. Показано, что эмиссионные свойства палладий-бариевого катода существенно зависят не только от эмиссионных свойств кристаллитов оксида бария, но и от относительной площади поверхности катода, занятой указанными кристаллитами. Построены теоретические номограммы, связывающие измеряемые усредненные по поверхности величины работы выхода и коэффициента вторичной электронной эмиссии палладий-бариевого катода, при этом параметрами номограмм являются температура, концентрация кислородных вакансий в кристаллитах оксида бария и относительная площадь поверхности катода, занятая кристаллитами оксида бария. Ключевые слова: термоэлектронная эмиссия, вторичная электронная эмиссия, палладий-бариевый катод, оксид бария.
- Ли И.П. // Электроника. Наука. Технологии. Бизнес. 2018. N 5. С. 144--151
- Коржавый А.П. // Электронная промышленность. 1986. Вып. 3(151). С. 48--49
- Дюбуа Б.Ч., Поливникова О.В. // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2013. Вып. 4(519). С. 187--190
- Дюбуа Б.Ч., Королев А.Н. // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2011. Вып. 1(509). С. 5--25
- Капустин В.И., Ли И.П., Шуманов А.В., Москаленко С.О. // ЖТФ. 2019. Т. 89. Вып. 5. С. 771--780. [ Kapustin V.I., Li I.P., Shumanov A.V., Moskalenko S.O. // Tech. Phys. 2019. Vol. 64. N 5. Р. 460--466.]
- Савицкий Е.М., Буров И.В., Пирогова С.В., Литвак Л.Н. Электрические и эмиссионные свойства сплавов. М.: Наука, 1978. 294 с
- Dionne G. // J. Appl. Phys. 1973. Vol. 44. P. 5361--5365
- Dionne G. // J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46. Р. 3347--3351
- Koshikawa T., Shimizi R.J. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1974. N 7. P. 1303--1315
- Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия. М.: Наука, 1969. 408 с
- Капустин В.И. // Перспективные материалы. 2000. N 2. С. 5--17
- Лазарев В.Б., Соболев В.В., Шаплыгин И.С. Химические и физические свойства простых оксидов металлов. М.: Наука, 1983. 240 с
- Абрамов М.А., Аляев В.А. // Вестник технологического университета. 2015. Т. 18. N 10. C. 50--51
- Капустин В.И., Ли И.П., Шуманов А.В., Лебединский Ю.Ю., Заблоцкий А.В. // ЖТФ. 2017. Т. 87. Вып. 1. С. 105--115. [ Kapustin V.I., Li I.P., Shumanov A.V., Lebedinskii Yu.Yu., Zablotskii A.V. // Tech. Phys. 2017. Vol. 62. N 1. P. 116--126.]
- Капустин В.И. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1991. Т. 55. N 12. С. 2455--2458
- Капустин В.И., Ли И.П., Шуманов А.В. // ЖТФ. 2018. Т. 88. Bып. 3. С. 472--478. [ Kapustin V.I., Li I.P., Shumanov A.V. // Tech. Phys. 2018. Vol. 63. N 3. P. 460--466.]
- Капустин В.И., Марин В.П. // Радиотехника и электроника. 1983. N 6. С. 1159--1162
- Капустин В.И., Ли И.П., Шуманов А.В. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. Bып. 12. С. 12--20 [ Kapustin V.I., Li I.P., Shumanov A.V. // Tech. Phys. Lett. 2017. Vol. 43. N 10. P. 875--878.]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
