Вышедшие номера
Использование планарных пермаллоевых микрочастиц для детектирования механических напряжений
Переводная версия: 10.1134/S1063784219110215
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-08-00915
Нургазизов Н.И. 1, Бизяев Д.А.1, Бухараев А.А.1, Русских И.В.1, Садчиков Ю.В.1,2
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
2Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева --- КАИ, Казань, Россия
Email: niazn@mail.ru, dbiziaev@inbox.ru, a_bukharaev@kfti.knc.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2019 г.
В окончательной редакции: 28 марта 2019 г.
Принята к печати: 15 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Приведены результаты исследования изменения магнитной структуры планарных пермаллоевых микрочастиц под действием механического напряжения. Частицы были сформированы на стеклянных подложках и имели квадратную форму в плоскости образца. Было показано, что по изображениям таких частиц, полученным с помощью магнитно-силового микроскопа, можно детектировать одноосные механические напряжения. В зависимости от геометрических размеров частиц были определены диапазоны напряжений, для детектирования которых они могут эффективно использоваться. Ключевые слова: планарные магнитные микрочастицы, магнитно-силовая микроскопия, магнитоупругий эффект.
  1. Морозов А.И. // ФТТ. 2014. Т. 56. Вып. 5. C. 833--840. [ Morosov A.I. // Phys. Solid State. 2014. Vol. 56. N 5. P. 865--872. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783414050199]
  2. Bur A., Wu T., Hockel J., Hsu C., Kim H., Chung T., Wong K., Wang K., Carma G. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 109. P. 123903. DOI: https://doi.org/10.1063/1.3592344
  3. Nikonov D.E., Young I.A. // J. Mater. Res. 2014. Vol. 29. N 18. P. 2109--2115. DOI: https://doi.org/10.1557/jmr.2014.243
  4. Бухараев А.А., Звездин А.К., Пятаков А.П., Фетисов Ю.К. // УФН. 2018. Т. 188. N 12. С. 1288--1330. DOI: 10.3367/UFNr.2018.01.038279 [ Bukharaev A.A., Zvezdin A.K., Pyatakov A.P., Fetisov Yu.K. // Phys. Usp. 2018. Vol. 61. P. 1175--1212. DOI: 10.3367/UFNe.2018.01.038279]
  5. Finizio S., Foerster M., Buzzi M., Kruger B., Jourdan M., Vaz C., Hockel J., Miyawaki T., Tkach A., Valencia S., Kronast F., Carman G., Nolting F., Klaui M. // Phys. Rev. Appl. 2014. Vol. 1. P. 021001. DOI: 10.1103/PhysRevApplied.1.021001
  6. Dai G., Zhan Q., Yang H., Liu Y., Zhang X., Zuo Z., Chen B., Li R. // J. Appl. Phys. 2013. Vol. 114. P. 173913. DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4829670
  7. Беляев Б.А., Изотов А.В. // ФТТ. 2007. Т. 49. Вып. 9. C. 1651--1659. [ Belyaev B.A., Izotov A.V. // Phys. Solid State. 2007. Vol. 49. N 9. P. 1731--1739. https://doi.org/10.1134/S106378340709020X]
  8. Cao D., Wang Z., Pan L. // Appl. Phys. A. 2016. Vol. 122. P. 938. DOI: 10.1007/s00339-016-0468-y
  9. Wolf I. // Semicond. Sci. Technol. 1996. Vol. 11. P. 139--154
  10. Srikaret V., Swan A., Unlu M., Goldberg B., Spearing S. // J-MEMS. 2003. Vol. 12. N 6. P. 779--787
  11. Satohet A., Tada T., Poborchiial V., Kanayama T., Satoh S., Arimoto H. // Jpn. J. Appl. Phys. 2012. Vol. 51. P. 016603. DOI: 10.1143/JJAP.51.016603
  12. Donahue M.J., Porter D.G. OOMMF. http://math.nist.gov/oommf/
  13. Овчинников Д.В., Бухараев А.А. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 8. С. 85--91. [ Ovchinnikov D.V., Bukharaev A.A. // Tech. Phys. 2001 Vol. 46. N 8. P. 1014--1019. DOI: https://doi.org/10.1134/1.1395123]
  14. Боровик Е.С., Еременко В.В., Мильнер А.С. Лекции по магнетизму. М.: Физматлит, 2005. 512 с
  15. NX Nastran. Theoretical Manual. // Siemens Product Lifecycle Management Software Inc. 2008

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.