"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с n+-p-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления
Переводная версия: 10.1134/S1063784219050232
Минобрнауки России , 3.9506.2017/8.9
Трегулов В.В. 1, Литвинов В.Г. 2, Ермачихин А.В. 2
1Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия
2Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
Email: trww@yandex.ru, vglit@yandex.ru, al.erm@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2019 г.

Исследованы экспериментальные образцы фотоэлектрических преобразователей с n+-p-переходом на основе монокристаллического кремния и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего химического травления в травителе HF:KMnO4:C2H5OH. Показано, что при концентрациях окислителя KMnO4 0.025 и 0.040 M длительность роста пленки пористого кремния, при которой достигается наибольшая эффективность фотоэлектрического преобразователя, может быть существенно увеличена по сравнению с методом анодного электрохимического травления. Для исследования механизмов токопрохождения измерялась температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперных характеристик. Обнаружено наличие нескольких механизмов токопрохождения. Установлено, что на процессы токопрохождения существенное влияние оказывают ловушки, с энергиями активации, распределенными в непрерывном диапазоне значений. -18
  1. Handbook of Porous Silicon / Ed. by L. Canham. Springer International Publishing, 2014. 1017 p
  2. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 456 с
  3. Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 9. С. 1130--1134
  4. Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 3. С. 327--331
  5. Венгер Е.Ф., Голиней Р.Ю., Матвеева Л.А., Васин А.В. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 1. С. 104--109
  6. Chaoui R., Messaoud A. // Desalination. 2007. Vol. 209. P. 118--121
  7. Chaoui R., Mahmoudi B., Si Ahmed Y. // Revue des Energies Renouvelables. 2013. Vol. 16. N 2. P. 347--356
  8. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с
  9. Шарма Б.Л. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио, 1979. 232 с
  10. Евтух А.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Семененко Н.А. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 2. С. 180--184
  11. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: учеб. для вузов. М.: Высшая школа, 1987. 479 с
  12. Трегулов В.В., Степанов В.А., Литвинов В.Г., Ермачихин А.В. // ЖТФ. 2016. Т. 86. Вып. 11. С. 91--94

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.