"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Рентгеновская диагностика дефектов микроструктуры кристаллов кремния, облученных ионами водорода
Переводная версия: 10.1134/S1063784219050049
Асадчиков В.Е.1, Дьячкова И.Г.1, Золотов Д.А.1, Кривоносов Ю.С.1, Чуховский Ф.Н.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Email: sig74@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 сентября 2018 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2019 г.

Изучены особенности образования и трансформации радиационных дефектов в приповерхностных слоях кремниевых пластин, имплантированных ионами водорода. Используя метод рентгеновской двухкристальной дифрактометрии высокого разрешения, определены значения основных параметров, таких как средняя эффективная толщина Leff и средняя относительная деформация Delta a/a легированного слоя в зависимости от дозы имплантации и температуры подложки. -18
  • Козловский В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов. СПб.: Наука, 2003. 268 с
  • Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 284 с.
  • Дьячкова И.Г. Формирование нарушенных слоев в кристаллах кремния, имплантированных протонами. Дис. канд. 01.04.07. М., 2004. 172 c. РГБ ОД, 61:04-1/500
  • Афанасьев А.М., Александров П.А., Имамов Р.М. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев. М.: Наука, 1989. 152 с
  • Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с
  • Afanas'ev A.M., Kovalchuk M.V., Kov'ev E.K., Kohn V.G. // Phys. Stat. Sol. А. 1977. Vol. 42. P. 415--422
  • Александров П.А., Баранова Е.К., Баранова И.В., Бударагин В.В., Литвинов В.Л. Влияние температуры отжига на выход имплантированного водорода из блистеров в кремнии // Труды XII Междунар. совещания "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 1-6 июля 2002 г.) / Под ред. Г.Г. Бондаренко. М.: НИИ ПМТ МГИЭМ (ТУ), 2002. С. 149
  • Вавилов B.C., Челядинский А.Р. // УФН. 1995. Т. 165. No 3. С. 347--358. [ Vavilov V.S. et al. // Phys. Usp. 1995. Vol. 38. N 3. P. 333--343.] DOI: 10.3367/UFNr.0165.199503g.0347
  • Tokmoldin S.Zh., Mukashev B.N. // Physica B. 2001. Vol. 308--310. P. 167--170
  • Leitch A.W.R., Alex V., Weber J. // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 81. N 2. P. 421--424
  • Estreicher S.K. // Mater. Sci. Eng. R. 1995. Vol. 14. N 7--8. P. 319--412
  • Watkins G.D. // Mater. Sci. Semicond. Proc. 2000. Vol. 3. P. 227--235.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.