Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Моделирование детектора видимого и ближнего инфракрасного электромагнитного излучения на искусственном алмазе

DOI: 10.21883/JTF.2019.02.47080.181-18

Переводная версия: 10.1134/S1063784219020105

РФФИ, Конкурс проектов фундаментальных научных исследований, проводимый РФФИ, 16-02-00450-а

Кукушкин В.А.

^1,2

¹Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: vakuk@appl.sci-nnov.ru

Поступила в редакцию: 9 мая 2018 г.

Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Разработан метод расчета вольт-амперной характеристики детектора электромагнитного излучения видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на искусственном алмазе при вертикальной геометрии протекания через него электрического тока. Метод применим в случае, когда длина свободного пробега носителей заряда в алмазе меньше масштаба изменения их концентрации. На основе этого метода определены зависимость тока от напряжения, а также распределения концентрации носителей заряда и электростатического потенциала для конкретного варианта такого фотодетектора, основанного на поликристаллической алмазной пленке, состоящей из монокристаллов нанометровых размеров, допированных бором.

Collins A.T. CVD Diamond for Electronic Devices and Sensors / Ed. by R.S. Sussmann. Chichester: Wiley, 2009. P. 165--184
Гуляев Ю.В., Чучева Г.В., Набиев А.Э., Алтухов А.А., Попов А.В., Фещенко В.С., Шепелев В.А. // Радиотехника и электроника. 2016. Т. 61. N 4. С. 395--398. DOI: 10.7868/S0033849416040069 [ Gulyaev Y.V., Chucheva G.V., Nabiev A.E., Altukhov A.A., Popov A.V., Feshchenko V.S., Shepelev V.A. // J. Commun. Techn. Electron. 2016. Vol. 61. N 4. P. 449--452. https://doi.org/10.1134/S1064226916040069]
Ильичев Э.А., Кулешов А.Е., Набиев Р.М., Петрухин Г.Н., Рычков Г.С., Теверовская Е.Г. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. Вып. 7. С. 48--55. DOI: 10.21883/PJTF.2017.07.44468.16596 [ Il'ichev E.A., Kuleshov A.E., Nabiev R.M., Petrukhin G.N., Rychkov G.S., Teverovskaya E.G. // Tech. Phys. Lett. 2017. Vol. 43. P. 345-347. https://doi.org/10.1134/S1063785017040095]
Bruzzi M., Hartjes F., Lagomarsino S., Menichelli D., Mersi S., Miglio S., Scaringella M., Sciortino S. // Phys. Stat. Sol. A. 2003. Vol. 199. N 1. P. 138--144. DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.200303816
Majdi S., Kolahdouz M., Moeen M., Kovi K.K., Balmer R.S., Radamson H.H., Isberg J. // Appl. Phys. Lett. 2014. Vol. 105. P. 163510 (1--4). DOI: 10.1063/1.4899278
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 2. C. 357. [ Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. NY.: Wiley, 1981. P. 13.]
Butler J.E., Geis M.W., Krohn K.E., Lawless Jr.J., Deneault S., Lyszczarz T.M., Flechtner D., Wright R. // Semicond. Sci. Technol. 2003. Vol. 18. S67--S71. DOI: https://doi.org/10.1088/0268-1242/18/3/309
Кукушкин В.А., Радищев Д.Б., Лобаев М.А., Богданов С.А., Здоровейщев А.В., Чунин И.И. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. Вып. 24. С. 65--71. DOI: 10.21883/PJTF.2017.24.45343.16860 [ Kukushkin V.A., Radischev D.B., Lobaev M.A., Bogdanov S.A., Zdoroveischev A.V., Chunin I.I. // Techn. Phys. Lett. 2017. Vol. 43. N 12. P. 1121--1123. DOI: 10.1134/S1063785017120215]
Williams O.A., Nesladek M., Marev s J.J., Hubi k P. Physics and Applications of CVD Diamond / Ed. by S. Koizumi, C.E. Nebel, M. Nesladek. Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co.KGaA, 2008. Ch. 2
Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твeрдого тела. М.: Мир, 1979. Т. 2. Гл. 28, 29. [ Ashcroft N.W., Mermin N.D. Solid State Physics. NY.: Holt, Rinehart and Winston, 1976. Ch. 28, 29.]
Pernot J., Volpe P.N., Omn\`es F., Muret P., Mortet V., Haenen K., Teraji T. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81. P. 205203 (1--7). DOI: 10.1103/PhysRevB.81.205203
Kukushkin V.A., Snider G., Bogdanov S.A., Chernov V.V. // Phys. Status Solidi RRL. 2014. Vol. 8. N 10. P. 876--879. DOI: 10.1002/pssr.201409302
Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. Ч. 1. М.: Физматлит, 2001. 39. [ Landau L.D., Lifshitz E.M. Statistical Physics. Part 1. Oxford, UK: Butterworth-Heinemann, 1980. 39.]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель