Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов
Переводная версия: 10.1134/S1063784219020154 
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия 
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
Проведен теоретический анализ возможностей использования теплопроводящих покрытий для охлаждения мощных полевых транзисторов на основе гетероструктур с арсенид-галлиевой подложкой. При сохранении базовой технологии изготовления транзисторов и без дополнительных мер по уменьшению теплового сопротивления подложки введение дополнительного теплового интерфейса в виде диэлектрического теплопроводящего покрытия позволяет значительно уменьшить перегрев канала транзистора. В зависимости от толщины покрытия, конструкции транзистора и режима его работы перегрев канала может быть снижен в несколько раз.
- Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Журавлев К.С., Торопов А.И., Лапин В.Г., Соколов А.Б. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. Вып. 17. С. 84-89
- Журавлев К.С., Лапин В.Г., Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Соколов А.Б., Торопов А.И. // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2012. Вып. 1. N 512. С. 55-61
- Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Журавлев К.С., Торопов А.И., Лапин В.Г., Голант Е.И., Капралова А.А. // ФТП. 2014. Т. 48. Вып. 5. С. 684-692
- Воробьев А.А., Галдецкий А.В. // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2011. Вып. 3. N 510. С. 42-54
- Chao P.C. et al. // MRS Advances. 2016. Vol. 1. N 2. P. 147-155
- Chao P.C. et al. // CS MANTECH Conf. Digest. 2013. P. 179-182
- Altman D. // Raytheon Technol. Today. 2012. N 1. P. 18
- Дудинов К.В., Ипполитов В.М., Пашковский А.Б. // Электронная техника, Сер. 1. СВЧ-техника. 2006. Вып. 2. N 488. С. 5-7
- Бережнова П.В., Лукашин В.М., Ратникова А.К., Пашковский А.Б. // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2007. Вып. 4. N 492. С. 21-24
- Воробьев А.А., Воробьева Е.В., Галдецкий А.В. // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2011. Вып. 3. N 510. С. 37-41
- IEEE Electron Device Letters, 2014. Vol. 35. N 10. P. 1013-1015
- MORGaN final brochure Nov-2011
- Гиппиус А.А. и др. Патент N 2244983 С1 (RU) от 14.07.2003
- Seok O. et al. // CS MANTECH Conf. May 17th-20th, 2010, Portland, Oregon, USA, P. 229-231
- Королев А.Н., Климова А.В., Красник В.А., Ляпин Л.В., Малыщик В.М., Манченко Л.В., Пчелин В.А., Трегубов В.Б. // Радиотехника. 2007. N 3. С. 53-56.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
