Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анализ вкладов различных факторов в магнитооптический сигнал трехмерных структур типа магнитофотонных кристаллов
Переводная версия: 10.1134/S1063784218060269 
Звездин Н.Ю.1, Папорков В.А.
1, Проказников А.В.
2, Царев И.С.1
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия 
2Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия
2Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия
Email: pva@univ.uniyar.ac.ru, prokaznikov@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
Впервые рассмотрено наложение эффектов разного уровня и порядков при формировании результирующего магнитооптического отклика от структур типа магнитофотонных кристаллов для различных длин волн падающего излучения в областях, далеких от плазмонных резонансов. Изучены вклады в магнитооптический отклик интерференционных и дифракционных явлений в максимумах различных порядков в трехмерных системах типа магнитофотонных кристаллов. Показано, что использование интегрального отклика для анализа магнитооптических эффектов приводит к исчезновению интерференционных явлений. Дифракционный максимум нулевого порядка адекватно отражает магнитную составляющую магнитооптического отклика. Проведены численные оценки наблюдаемых дифракционных и интерференционных эффектов.
- Еременко В., Жефруа О., Новосад В., Пантье Б., Пишко В., Суш И. // Письма в ЖЭТФ. 1997. Т. 66. Вып. 7. С. 466--469
- Chetvertukhin A.V., Grunin A.A., Dolgova T.V., Inoue M., Fedyanin A.A. // J. Appl. Phys. 2013. Vol. 113. P. 17A942
- Grimsditch M., Vavassori P. // J. Phys.: Condens. Matter. 2004. Vol. 16. P. R275-R294
- Joel K.W. Yang, Yunjie Chen, Tianli Huang, Huigao Duan, Naganivetha Thiyagarajah, Hui Kim Hui, Siang Huei Leong, Vivian Ng. // Nanotechnology. 2011. Vol. 22. P. 385301
- Costa-Kramer J.L., Alvarez-Sanchez R., Bengoechea A., Torres F., Garcia-Mochales P., Briones F. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71. 104420
- Vavassori P., Metlushko V., Osgood III R.M., Grimsditch M., Welp U., Crabtree G., Fan Wenjun, Brueck S.R.J., Ilic B., Hesketh P.J. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59. N 9. P. 6337--6343
- Grimsditch M., Vavassori P., Novosad V., Metlushko V., Shima H., Otani Y., Fukamichi K. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 172419
- Guedes I., Grimsditch M., Metlushko V., Vavassori P., Camley R., Ilic B., Neuzil P., Kumar R. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66. P. 014434
- Guedes I., Zaluzec N.J., Grimsditch M., Metlushko V., Vavassori P., Ilic B., Neuzil P., Kumar R. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62. N 17. P. 11719--11724
- Рахман Ф. Наноструктуры в электронике и фотонике. М.: Техносфера, 2010. 344 с
- Абрамова С.В., Звездин Н.Ю., Изюмов М.О., Папорков В.А., Проказников А.В. // Нано- и микросистемная техника. 2015. N 9. C. 7--23
- Laermer F., Schilp A. // Patent N 5501893. 26.03.1996
- Laermer F., Schilp A. // Patent N 6531068 B2. 11.03.2003
- Бучин Э.Ю., Ваганова Е.И., Наумов В.В., Папорков В.А., Проказников А.В. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. Вып. 13. С. 8--17
- Кричевцов Б.Б., Гастев С.В., Ильюшенков Д.С., Кавеев А.К., Соколов Н.С. // ФТТ. 2009. Т. 51. Вып. 1. С. 109--117
- Кособукин В.А., Кричевцов Б.Б. // ФТТ. 2010. Т. 52. Вып. 4. С. 759--765
- Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1973. 719 с
- Афанасьева Д.Е., Звездин Н.Ю., Папорков В.А., Проказников А.В. // Микроэлектроника. 2014. Т. 43. N 3. С. 207--211
- Guangyuan Si, Xiaoxiao Jiang, Jiangtao Lv, Qiongchan Gu, Fengwen Wang // Nanoscale Research Lett. 2014. Vol. 9. P. 299
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
