Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние наночастиц, тонких пленок Ag, Au на генерацию носителей заряда в структурах с множественными квантовыми ямами на основе InGaN/GaN и в кристаллических пленках ZnO
Переводная версия: 10.1134/S1063784218040151 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3ООО НТИ ТПТ, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3ООО НТИ ТПТ, Санкт-Петербург, Россия
Email: margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.
Показано, что влияние наночастиц и тонких пленок Ag, Au на генерацию носителей заряда в структурах с множественными квантовыми множественными ямами (MQW) на основе InGaN/GaN и в кристаллических пленках ZnO определяется гетерогенностью морфологии поверхности полупроводниковых материалов. В структурах с MQW на основе InGaN/GaN с меньшими неоднородностями морфологии поверхности по сравнению с пленками ZnO при нанесении наночастиц с размерами 10<d<20 nm наблюдается существенное увеличение интенсивности излучения вследствие реализации плазмонного резонанса с участием локализованных плазмонов. Нанесение пленок Ag, Au на поверхность структур приводит к существенному уменьшению интенсивности излучения. В кристаллических пленках ZnO, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, вследствие большей гетерогенности морфологии поверхности не наблюдается существенного увеличения интенсивности излучения при нанесении наночастиц Ag, Au в коротковолновой области спектра. DOI: 10.21883/JTF.2018.04.45725.1975
- Maier S.A. Plasmonics: Fundamental and Applications. Berlin: Springer, 2007. 223 p
- Wiere J.J., Kramers M.R., Epler J.E., Gardner N.F., Kraford M.G., Wendt J.R., Simmons J.A., Sigals M.M. // Appl. Phys. Lett., Vol. 84 ( 2004). P. 855
- Yamado M., Mitani T., Nakamura S., Shioji S., Niki T., Saniba S., Sano N., Mikai T. // Jap. J. Appl. Phys. Vol. 41 ( 2002). P. 431
- Бочкарева Н.И., Ребане И.Г., Шретер Ю.Г.. // ФТП. T. 48. Вып. 4 ( 2014). C. 165
- Криволапчук В.В., Мездрогина М.М. // ФТТ. Т. 48. Вып. 11 (2006). С. 2067
- Мездрогина М.М., Еременко М.В., Смирнов А.Н., Петров В.Н., Теруков Е.И. // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 8. C. 1016
- Ivanova S., Pelle F. // J. Opt. Soc. Am. B. 2009. Vol. 26. N 10. P. 1930
- Klingshirn B.K., Meyer S.A., Waag A., Hoffman A., Geurts J. // Zink Oxide, N. Y.: Springer, 2010
- Xue X., Liu L., Wang Zh., Wu Y. // J. Appl. Phys., 2014. Vol. 115. P. 033902
- Calwa S., Saroha M., Kotnala R.K. // Electron Mater.Lett. (2014). Vol. 10. N 1. P. 63
- Мездрогина М.М., Еременко М.В., Левицкий В.С., Петров В.Н., Теруков Е.И., Кайдашев Е.М., Лянгузов Н.В. // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 11. С. 1521
- Климов В.В. //УФН. 2008. Т. 178. Вып. 8. С. 875
- Raether H. Surface Plasmons on Smooth and Rough Surface and on Gratings. Berlin: Springer --Verlag, 1988
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
