Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зависимость рентгенодозиметрических характеристик монокристаллов AgGaS2xSe2-2x от состава
Переводная версия: 10.1134/S1063784218040047 
1Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана, A Баку, Азербайджан 
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 14 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.
Показано, что монокристаллы AgGaS2xSe2-2x, выращенные методом химических транспортных реакций, характеризуются высокими значениями коэффициентов рентгенопроводимости и рентгеночувствительности при комнатной температуре. Проведено сравнение рентгендозиметрических характеристик монокристаллов. Коэффициент рентгенопроводимости, например, для образцов AgGaS2 варьируется в пределах 0.22-3.20 min/R при эффективной жесткости излучения Va=25-50 keV мощностью дозы E=0.75-78.05 R/min. Монокристаллические образцы AgGaSе2 имеют более высокие рентгендозиметрические коэффициенты по сравнению с коэффициентами образцов на основе AgGaS2. Коэффициент рентгенопроводимости AgGaSe2 варьируется в пределах 1.2-8.5 min/R при эффективной жесткости излучения Va=25-50 keV мощностью дозы E=0.75-31.3 R/min. Определены зависимости стационарного рентгенотока в AgGaS2xSe2-2x от дозы рентгеновского излучения. DOI: 10.21883/JTF.2018.04.45724.2251
- Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Гусейнов Д.Т. // ЖТФ. 2011. T. 81. Вып. 1. C. 144--147
- Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г., Иванов Ю.М., Кудряшов А.А., Петров А.Г., Телегин А.А. // ЖТФ. 2011. T. 81. Вып. 5. C. 153--155
- Jackson A.G., Ohmer M.C., LeClair S.R. // Infrared Phys. Technol. 1997. Vol. 38. N 4. P. 233--244
- Асадов М.М., Мустафаева С.Н. // Изв. РАН. Сер. физ. 2015. T. 79. N 9. С. 1259--1262
- Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Guseinov D.T. // J. Mater. Vol. 2015. Article ID 956013, 4 pages. doi.org/10.1155/ 2015/956013
- Madelung O. Semiconductors. Basic Data. Springer--Verlag, Berlin Heidelberg: 1996. 319 с
- Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Гусейнов Д.Т. Перспективные материалы. 2010. N 1. C. 45--48
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
