"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние коронного разряда на формирование голографических дифракционных решеток в тонкопленочной структуре Cu-As2Se3
Настас А.М.1, Йову М.С.1, Присакар А.М.1, Тридух Г.М.1
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Email: nastas_am@rambler.ru
Поступила в редакцию: 19 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Показано, что использование отрицательного коронного разряда в процессе записи приводит к увеличению голографической чувствительности структуры Cu-As2Se3 и увеличению дифракционной эффективности как записанных голографических дифракционных решеток, так и рельефных, полученных с помощью химического травления. Использование положительного коронного разряда приводит к ослаблению процесса записи голографических решеток в структуре Cu-As2Se3. Обнаружено, что структура Cu-As2Se3 при облучении в поле отрицательного коронного разряда проявляла себя как отрицательный фоторезист. Наряду с этим наблюдалось значительное увеличение селективности растворения по сравнению с обычной записью, т. е. без коронного разряда. DOI: 10.21883/JTF.2017.09.44916.2137
  1. Венгер Е.Ф., Мельничук А.В., Стронский А.В. Фотостимулированые процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение. Киев: Академпериодика, 2007. 285 с
  2. Sergeev S.A., Iovu M.S. // J. Nanoelectron. Optoelectron. 2012. Vol. 7. P. 740--743
  3. Nastas A., Andries A., Bivol V., Prisacari A., Triduh G. // J. Optoelectron. Advanc. Mater. 2005. Vol. 7. N 4. P. 1887
  4. Настас А.М., Андриеш А.М., Бивол В.В., Присакар А.М., Тридух Г.М. // ЖТФ. 2009. Т. 79. Вып. 2. С. 139 -142
  5. Настас А.М., Иову М.С., Тридух Г.М., Присакар А.М. // ЖТФ. 2015. Т. 85. Вып. 3. С. 148--150
  6. Настас А.М., Иову М.С., Присакар А.М. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. Вып. 9. С. 80--85
  7. Кольер Р., Беркхард К., Лин Л. Оптическая голография. М.: Мир, 1973. 686 с
  8. Колобов А.В., Любин В.М., Тагирджанов М.А. // ФТТ. 1991. Т. 33. Вып. 1. С. 221--224
  9. Stetsun A.I., Dvorina L.A. // Semiconductors. 2011. Vol. 45. N 10. P. 1291--1296

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.