"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства
Минобрнауки России, Проектная часть государственного задания, 8.1751.2017/ПЧ
РФФИ, Инициативные научные проекты, 15-02-07824
РФФИ, Инициативные научные проекты, 16-07-01102
РФФИ, Научные исследования под руководством ведущих учёных, 15-38-20642мол_а_вед
Минобрнауки России, Грант Президента РФ, МК- 8221.2016.2
Дорохин М.В. 1, Здоровейщев А.В. 1, Малышева Е.И. 1, Данилов Ю.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru, zdorovei@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Исследованы оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs, легированными атомами марганца или хрома в процессе выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии. Комбинированные измерения топографии поверхности и спектров люминесценции показали возможность управления спектральными характеристиками структур за счет изменения условий формирования и размеров квантовых точек в присутствии атомов примеси. Результаты объясняются особенностями формирования нанокластеров InAs на поверхности GaAs в присутствии атомов Mn или Cr. DOI: 10.21883/JTF.2017.09.44915.1988
  • Bimberg D., Ribbat C. Microelectronics J. 2003. Vol. 34. N 5-8. P. 323--328
  • Алферов Ж.И.. ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 1. С. 3--18
  • Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. ФТП. 1998. T. 32. Вып. 4. С. 385--410
  • Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Quantum Dot Heterostructures. Chichester: Wiley, 1999. P. 338
  • Жуков А.Е., Воловик Б.В., Михрин С.С., Малеев Н.А., Цацульников А.Ф., Никитина Е.В., Каяндер И.Н., Устинов В.М., Леденцов Н.Н. Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 17. С. 51--56
  • Huffaker D.L., Deppe D.G. Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. N 4. P. 520--522
  • Zubkov V.I., Kapteyn C.M.A., Solomonov A.V., Bimberg D. J. Physics: Condens. Matter. 2005. Vol. 17. P. 2435
  • Zvonkov B.N., Karpovich I.A., Baidus N.V., Filatov D.O., Morozov S.V., Gushina Yu.Yu. Nanotechnology. 2000. Vol. 11. N 4. P. 221--226
  • Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А, Демидов Е.С., Демина П.Б., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Подольский В.В., Сапожников М.В. Оптич. журн. 2008. Т. 75. Вып. 6. С. 56--61
  • Holub M., Chakrabarti S., Fathpour S., Bhattacharya P., Lei Y., Ghosh S. Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85. N 6. P. 973--1036
  • Буравлев А.Д., Неведомский В.Н., Убыйвовк Е.В., Сапега В.Ф., Хребтов А.И., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 8. P. 1033
  • Meng H.J., Lu J., Chen L., Xu P.F., Deng J.J., Zhao J.H. Phys. Lett. A. 2009. Vol. 373. N 15. P. 1379--1382
  • Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Шолина А.Е. Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. 2012. Вып. 6. C. 55--58
  • Karpovich I.A., Baidus N.V., Zvonkov B.N., Morozov S.V., Filatov D.O., Zdoroveishev A.V. Nanotechnology. 2001. Vol. 12. N 4. P. 425--429
  • Karpovich I.A., Zdoroveishev A.V., Gorshkov A.P., Filatov D.O., Skvortsov R.N. // Phys. Low-Dim. Struct. 2003. Vol. 3/4. P. 191
  • Автореф. канд. дис. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией: А.В. Здоровейщев. Н. Новгород. 2006. 22 с
  • Zaitsev S.V., Kulakovskii V.D., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Sapozhnikov M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. // Physica E. 2009. Vol. 41. N 4. P. 652--654
  • Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Danilov Yu.A., Podolskii V.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Malysheva E.I., Sapozhnikov M.V. Int. J. Nanoscience. 2007. Vol. 6. N 3--4. P. 221--224
  • Zhou Y.K., Asahi H., Asakura J., Okumura S., Asami K., Gonda S. J. Cryst. Growth. 2000. Vol. 221. N 1--4. P. 605--610
  • Nagahara S., Tsukamoto S., Arakawa Y. J. Cryst. Growth. 2007. Vol. 301-302. P. 797--800
  • Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б. Инновационные технологии / Под ред. проф. С.В. Булярского. Ульяновск: УлГУ, 2010. N 3. С. 84
  • Poggio M., Myers R.C., Stern N.P., Gossard A.C., Awschalom D.D. Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 235313
  • Шуберт Ф.Е. Светодиоды / М.: Физматлит, 2008. 496 c
  • Pavesi L., Guzzi M. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 10. P. 4779--4842.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.