Вышедшие номера
Фотоиндуцированные дефекты в аморфных пленках a-Si : H и в структурах с квантовыми ямами MQW на основе InGaN/GaN, легированных Eu, Sm, Eu + Sm
Мездрогина М.М., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Кожанова Ю.В.1
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: Margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Появление фотоиндуцированных дефектов в пленках a-Si : H связано с увеличением плотности состояний в середине запрещенной зоны вследствие конверсии слабых, напряженных связей кремния с водородом (Si : H) в оборванные Si-Si-связи, с наличием пространственно разделенных областей с различной концентрацией и типами связей Si-H. В структурах с квантовыми ямами (MQW) на основе InGaN/GaN, легированных РЗИ, фотоиндуцированные дефекты появляются в результате увеличения интенсивности возбуждения при измерениях спектров микрофотолюминесценции, что является причиной реализации сложного пространственного рельефа случайного потенциала в основном в латеральной плоскости, вследствие чего возможно появление кластеров с отличающимся от среднего составом In вплоть до разделения фаз InN и GaN.
  1. Spear W.E. // J. Non-Cryst. Sol. 1983. Vol. 59--60. P. 1
  2. Wronsk С.R, Peare J.M., Deny J., Ylanos V., Collins R.W. // Thin Sol. Films. 2004. Vol. 451--452. P. 470
  3. Мездрогина М.М., Абрамов А.С., Мосина Г.Н., Трапезникова И.Н., Пацекин А.В. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 5. С. 620
  4. Курова И.А., Ормонт Н.Н. // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 12. С. 1624
  5. Емельянов В.М., Абрамов А.С., Бобыль А.В., Гудовских А.С., Орехов Д.Л., Теруков Е.И., Тимошина Н.Х., Честа О.И., Шварц М.З. // ФТП. 2003. Т. 47. Вып. 5. С. 667
  6. Гудовских А.С., Абрамов А.С., Бобыль А.В., Вербицкий В.Н., Зеленцов К.С., Кудряшов Д.А., Кудряшов С.А., Монастыренко А.О., Терра А.Р., Теруков Е.И. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 8. С. 1094
  7. Cheng S.R., Liao R.X., Kong G.L., Han H.X. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. P. 336
  8. Mikai T., Yamado M., Nakamura S. // Jap. J. Appl. Phys. 1999. Vol. 38. P. 3976
  9. Yamado M., Mitani T., Nakamura S., Shioji S., Niki T., Saniba S., Sano N., Mikai T. // Jap. J. Appl. Phys. 2002. Vol. 41. P. 431
  10. Рожанский И.В., Закгейм Д.А. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 8. С. 851
  11. Бочкарева Н.И., Ребане И.Г., Шретер Ю.Г. // ФТП. 2014. Т. 48. Вып. 8. С. 1107
  12. Грузинцев А.Н., Волков В.Т. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 11. С. 1476
  13. Шаблаев С.И., Грачев А.И. // ФТТ. 2014. Т. 56. Вып. 4. С. 655
  14. Криволапчук В.В., Мездрогина М.М. // ФТТ. 2006. Т. 48. Вып. 11. С. 2067
  15. Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Насонов А.В., Родин А. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 9. С. 1556
  16. Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Даниловский Э.Ю., Кузьмин Р.В. // ФТТ. 2009. Т. 51. Вып. 2. С. 365
  17. Hite Y.J., Thaler O.T., Khawa R., Abemchthy C.B., Pearton S.J., Park J.H., Zavada A. // J. Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. 132 119.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.