Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоиндуцированные дефекты в аморфных пленках a-Si : H и в структурах с квантовыми ямами MQW на основе InGaN/GaN, легированных Eu, Sm, Eu + Sm
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.
Появление фотоиндуцированных дефектов в пленках a-Si : H связано с увеличением плотности состояний в середине запрещенной зоны вследствие конверсии слабых, напряженных связей кремния с водородом (Si : H) в оборванные Si-Si-связи, с наличием пространственно разделенных областей с различной концентрацией и типами связей Si-H. В структурах с квантовыми ямами (MQW) на основе InGaN/GaN, легированных РЗИ, фотоиндуцированные дефекты появляются в результате увеличения интенсивности возбуждения при измерениях спектров микрофотолюминесценции, что является причиной реализации сложного пространственного рельефа случайного потенциала в основном в латеральной плоскости, вследствие чего возможно появление кластеров с отличающимся от среднего составом In вплоть до разделения фаз InN и GaN.
- Spear W.E. // J. Non-Cryst. Sol. 1983. Vol. 59--60. P. 1
- Wronsk С.R, Peare J.M., Deny J., Ylanos V., Collins R.W. // Thin Sol. Films. 2004. Vol. 451--452. P. 470
- Мездрогина М.М., Абрамов А.С., Мосина Г.Н., Трапезникова И.Н., Пацекин А.В. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 5. С. 620
- Курова И.А., Ормонт Н.Н. // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 12. С. 1624
- Емельянов В.М., Абрамов А.С., Бобыль А.В., Гудовских А.С., Орехов Д.Л., Теруков Е.И., Тимошина Н.Х., Честа О.И., Шварц М.З. // ФТП. 2003. Т. 47. Вып. 5. С. 667
- Гудовских А.С., Абрамов А.С., Бобыль А.В., Вербицкий В.Н., Зеленцов К.С., Кудряшов Д.А., Кудряшов С.А., Монастыренко А.О., Терра А.Р., Теруков Е.И. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 8. С. 1094
- Cheng S.R., Liao R.X., Kong G.L., Han H.X. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. P. 336
- Mikai T., Yamado M., Nakamura S. // Jap. J. Appl. Phys. 1999. Vol. 38. P. 3976
- Yamado M., Mitani T., Nakamura S., Shioji S., Niki T., Saniba S., Sano N., Mikai T. // Jap. J. Appl. Phys. 2002. Vol. 41. P. 431
- Рожанский И.В., Закгейм Д.А. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 8. С. 851
- Бочкарева Н.И., Ребане И.Г., Шретер Ю.Г. // ФТП. 2014. Т. 48. Вып. 8. С. 1107
- Грузинцев А.Н., Волков В.Т. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 11. С. 1476
- Шаблаев С.И., Грачев А.И. // ФТТ. 2014. Т. 56. Вып. 4. С. 655
- Криволапчук В.В., Мездрогина М.М. // ФТТ. 2006. Т. 48. Вып. 11. С. 2067
- Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Насонов А.В., Родин А. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 9. С. 1556
- Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Даниловский Э.Ю., Кузьмин Р.В. // ФТТ. 2009. Т. 51. Вып. 2. С. 365
- Hite Y.J., Thaler O.T., Khawa R., Abemchthy C.B., Pearton S.J., Park J.H., Zavada A. // J. Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. 132 119.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
