Вышедшие номера
Гистерезисные кривые кристаллических сегнетоэлектриков в переменном внешнем поле. Релаксационная модель
Захаров А.Ю., Бичурин М.И., Yan Y., Priya S.1
1Virginia Tech, Blacksburg, Virginia, USA
Email: Anatoly.Zakharov@novsu.ru
Поступила в редакцию: 14 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Предложено описание процессов переключения в кристаллических сегнетоэлектриках с помощью уравнений релаксационных процессов с учетом воздействия переменного внешнего электрического поля. Получены точные аналитические решения этих уравнений для произвольной зависимости времени релаксации от внешнего поля и произвольной зависимости внешнего поля от времени. На основе полученного решения выполнено численное исследование связи между частотой синусоидального внешнего поля и формой гистерезисных кривых. Результаты расчетов находятся в качественном согласии с экспериментальными данными.