Вышедшие номера
Объемная и контактная фотоэдс в адаптивных фотоприемниках на основе арсенида галлия
Брюшинин М.А.1, Куликов В.В.1, Соколов И.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mikbr@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

Исследуются особенности генерации нестационарной фотоэдс в адаптивном фотоприемнике на основе полуизолирующего кристалла GaAs. Рассматриваются одно- и двухчастотные режимы возбуждения. Обнаружено, что для малых пространственных частот интерференционной картины и малых частот фазовой модуляции в датчике возникает значительная контактная составляющая фототока. Так как контактный сигнал оказывается чувствительным к медленному дрейфу фазы интерференционной картины, его присутствие негативно сказывается на адаптивных свойствах устройства. Экспериментально и теоретически показано, что выбором специальных значений амплитуды дополнительной фазовой модуляции и пространственной частоты можно эффективно подавлять сигнал контактной эдс на частоте основной фазовой модуляции. Приведен расчет спектральных компонент сигнала нестационарной фотоэдс при двухчастотном режиме возбуждения.