Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2002, выпуск 7 » Статья стр. 79
<<<>>>
Движение доменных границ под влиянием поляризованного по спину тока в магнитном переходе
Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Эллиотт Р.Дж., Эпштейн Э.М.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
Поступила в редакцию: 11 декабря 2201 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.
PDF версия
В рамках феноменологической теории исследовано влияние поляризованного по спину тока на доменную структуру в магнитном переходе, состоящем из двух ферромагнитных металлических слоев и разделяющего их ультратонкого немагнитного слоя. Намагниченность одного ферромагнитного слоя (слоя 1) предполагается фиксированной, в то время как намагниченность другого ферромагнитного слоя (слоя 2) свободна и может ориентироваться либо параллельно, либо антипараллельно намагниченности слоя 1. При этом слой 2 может быть разбит на домены. Перенос носителей тока из слоя 1 в слой 2 не сопровождается рассеянием спина на границе раздела, но приводит к эффекту инжекции спинов. За счет s-d-обменного взаимодействия инжектированные спины стремятся направить намагниченности в доменах параллельно слою 1. Вследствие этого происходит движение доменных границ и рост "выгодных" доменов. Путем решения уравнений непрерывности для носителей со спинами вверх и вниз вычислена средняя намагниченность, иинжектированная в слой 2 током, и ее вклад в энергию s-d-обмена. Из условия минимума полной магнитной энергии перехода найдены параметры периодической доменной структуры в слое 2 как функции тока через переход и магнитного поля. Показано, что даже в отсутствие поля поляризованный по спину ток может намагнитить слой 2 до насыщения. Необходимые для этого плотности тока составляют ~ 105 A/cm2. При наличии поля ток указанного порядка величины может компенсировать действие поля. Возможен также эффект перемагничивания слоя током.
  1. Meservey R., Tedrow P.M. // Phys. Reports. 1994. Vol. 238. P. 173
  2. Portier X., Petford-Long A.K. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. Vol. 32. P. 1
  3. Levy P.V., Zhang Sh. Current Opinion in Solid State and Materials Science. 1999. Vol. 4. P. 223
  4. Slonczewski J.C., Magn J. // Magn. Mater. 1996. Vol. 159. P. L1
  5. Slonczewski J.C., Magn J. // Magn. Mater. 1999. Vol. 195. P. L261
  6. Berger L. // Phys. Rev. 1996. Vol. B54. P. 9353
  7. Berger L. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. P. 4880
  8. Berger L. // IEEE Trans. Magn. 1998. Vol. 34. P. 3837
  9. Tsoi M., Jausen A.J.M., Bass J. et al. // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 80. P. 4281. Ibid. Vol. 81. P. 493 (E)
  10. Tsoi M., Jausen A.J.M., Bass J. et al. // Nature. 2000. Vol. 406. P. 46
  11. Myers E.B., Ralph D.C., Katine J.A. et al. // Science. 1999. Vol. 285. P. 867
  12. Sun J.Z. // J. Magn. Magn. Mater. 1999. Vol. 202. P. 157
  13. Katine J.A., Albert F.J., Burhman R.A. et al. // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 84. P. 3149
  14. Resende S.M., de Aguiar F.M., Lucena M.A., Azevedo A. // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 84. P. 4212
  15. Sun J.Z. // Phys. Rev. 2000. Vol. B62. P. 570
  16. Аронов А.Г. // Письма в ЖЭТФ. 1976. Vol. 24. P. 37
  17. Аронов А.Г., Пикус Г.Е. // ФТП. 1976. Вып. 10. С. 1177
  18. Flatte M.E., Byers J.M. // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 84. P. 4220
  19. Schmidt G., Ferrand D., Molenkamp L.W. et al. // Phys. Rev. 2000. Vol. B62. P. R4790
  20. Schwabe N.F., Wingreen N.S., Elliott R.J. // Phys. Rev. 1996. Vol. B54. P. 12953
  21. Heide C., Elliott R.J. // Europhys. Lett. 2000. Vol. 50. P. 271
  22. Heide C., Zilberman P.E., Elliott R. // Phys. Rev. 2001. Vol. B64. N 5
  23. Heide C., Krikunov A.I., Ogrin Yu.F. et al. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. P. 5221
  24. Баранов А.М. Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е. и др. // РиЭ. 2001. Т. 46. С. 102
  25. Baranov A.M., Chmil A.I., Elliott R.J. et al. // Europhys. Lett. 2001. Vol. 51. N 2
  26. Gornakov V.S., Nikitenko V.I., Bennett L.H. et al. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. P. 5215
  27. Theeuwen S.J.C.H., Caro J., Wellock K.P. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. P. 3677
  28. Hardner H.J., Hurben M.J., Tabat N. // IEEE Trans. Magn. 1999. Vol. 35. P. 2592
  29. Wong P.K., Evetts J.E., Blamire M.G. // Phys. Rev. 2000. Vol. B62. P. 5821
  30. Саланский Н.М., Ерухимов М.Ш. Физические свойства и применения магнитных пленок. Новосибирск: Наука, 1975
  31. Tiusan C., Dimopoulos T., Ounadjela K. et al. // Phys. Rev. 2000. Vol. B61. P. 580
  32. Бучельников В.Д., Гуревич В.А., Шавров В.Г. // ФММ. 1981. Vol. 52. P. 298
  33. Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Эллиотт Р.Дж., Эпштейн Э.М. // ФТТ. 2002. Т.44. N 5
  34. Julliere M. // Phys. Lett. 1975. Vol. 54. P. 225
  35. Slonczewski J.C. // Phys. Rev. 1989. Vol. B89. P. 6995
  36. Utsumi Y., Shimizu Y., Miyazaki H. // J. Phys. Soc. Japan. 1999. Vol. 68. P. 3444
  37. Нагаев Э.Л. Физика магнитных полупроводников. М.: Наука, 1979
  38. Прудников А.П., Брычков Б.А., Марычев О.И. Интегралы и ряды. Элементарные функции. М.: Наука, 1981
  39. Landau L.D., Kifshitz E.M. // Phys. Zs. Sowjet. 1935. Vol. 8. P. 153. Ландау Л.Д. Собрание трудов. Т. 1. М.: Наука, 1969. С. 129
  40. Привороцкий И.А. // УФН. 1972. Т. 108. С. 43

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme