"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
О зависимости концентрации свободных носителей в фоторефрактивных кристаллах от интенсивности света
Гусак Н.А.1, Петров Н.С.1
1Межотраслевой институт повышения квалификации кадров по новым направлениям развития техники и технологии при Государственной политехнической академии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 3 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

Проанализирована зависимость концентрации свободных носителей заряда от интенсивности света для двух возможных типов кристаллов, в одном из которых фоторефрактивные центры являются ловушками, а во втором --- донорами. Выяснены условия, при которых эта зависимость становится сублинейной при сравнительно невысоких уровнях интенсивности света.
  1. Nagentra Singh, Nadar S.P., Partha P. Banerjee // Opt. Commun. 1997. Vol. 136. P. 487--495
  2. Buse K. // Appl. Physics B. 1997. Vol. 74. P. 273--291
  3. Кухтарев Н.В. // Письма в ЖТФ. 1976. Т. 2. Вып. 24. С. 1114--1118
  4. Valley G.C. // IEEE. J. Quant. Elect. 1983. QE-19. N 11. P. 1637--1645
  5. Johansen P.M. // IEEE J. Quant. Elect. 1989. Vol. 25. P. 530--539

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.