О зависимости концентрации свободных носителей в фоторефрактивных кристаллах от интенсивности света
Гусак Н.А.1, Петров Н.С.1
1Межотраслевой институт повышения квалификации кадров по новым направлениям развития техники и технологии при Государственной политехнической академии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 3 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.
Проанализирована зависимость концентрации свободных носителей заряда от интенсивности света для двух возможных типов кристаллов, в одном из которых фоторефрактивные центры являются ловушками, а во втором - донорами. Выяснены условия, при которых эта зависимость становится сублинейной при сравнительно невысоких уровнях интенсивности света.
- Nagentra Singh, Nadar S.P., Partha P. Banerjee // Opt. Commun. 1997. Vol. 136. P. 487--495
- Buse K. // Appl. Physics B. 1997. Vol. 74. P. 273--291
- Кухтарев Н.В. // Письма в ЖТФ. 1976. Т. 2. Вып. 24. С. 1114--1118
- Valley G.C. // IEEE. J. Quant. Elect. 1983. QE-19. N 11. P. 1637--1645
- Johansen P.M. // IEEE J. Quant. Elect. 1989. Vol. 25. P. 530--539
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук