Вышедшие номера
Исследование влияния примесей марганца на диэлектрические характеристики пленок BSTO
Карманенко С.Ф., Дедык А.И., Исаков Н.Н., Гордейчук А.С., Семенов А.А., Тер-Мартиросян Л.Т., Hagberg J.1
1Microelectronics Laboratory, University of Oulu, Oulu, Finland
Поступила в редакцию: 29 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Проводилось сравнение вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик сегнетоэлектрических пленок BSTO, содержащих примесь диоксида марганца (~ 1.5-2 mol%), и беспримесных образцов. Показано, что в образцах, легированных Mn, tgdelta уменьшался до 10-3, а также изменялся характер зависимости tgdelta от приложенного напряжения. ВАХ таких образцов были строго омическими и при больших напряжениях не имели участков нелинейного возрастания тока. Предложена модель влияния Mn в пленках BSTO на зарядовое состояние дефектов, обусловленных кислородными вакансиями.