Вышедшие номера
Анализ распределения заряда в диэлектрике МДП структуры по спектральным зависимостям фотоэмиссионного тока
Левин М.Н.1, Бормонтов Е.Н.1, Волков О.В.1, Остроухов С.С.1, Татаринцев А.В.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Email: levin@lev.vsu.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Рассмотрена полевая зависимость фотоэмиссионных токов в МДП структуре при произвольном распределении объемного заряда по толщине диэлектрического слоя. Аналитически установлено, что положение вершины потенциального барьера для фотоэмиттируемых из затвора в диэлектрик МДП структуры электронов определяется производной высоты этого барьера по напряженности внешнего поля. Предложен метод корректного определения профиля объемной плотности заряда в диэлектрике МДП структуры по семейству спектральных характеристик, измеренных при различных напряжениях на затворе. Метод эффективен при исследовании распределения отрицательного заряда в диэлектрических слоях МДП структур.
  1. Kadlec J., Gundlach K.H. // Phys. St. Sol. (a). 1976. Vol. 37. N 9. P. 9--28
  2. Nicollian E.H., Brews J.R. MOS (metal-oxide-semiconductor) Physics and Technology. New York: Wiley, 1984. 760 p
  3. Powell R.J., Berglund C.N. // J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. N 11. P. 4390--4397
  4. Berglund C.N., Powell R.J. // J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. N 2. P. 573--579
  5. Левин М.Н., Сахаров Б.Н., Гольдфарб В.А. // Микроэлектроника. 1984. Т. 3. N 1. С. 47--50
  6. Powell R.J. // J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40. N 13. P. 5093--5101
  7. Сахаров Б.Н., Левин М.Н., Гольдфарб В.А., Сыноров В.Ф. А.С. СССР. N 1200769 от 15.06.1984
  8. Christensen O. // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47. N 2. P. 689--694
  9. Nicollian E.H., Berglund C.N., Schmidt P.E., Andrews J.M. // J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. N 13. P. 5654--5664

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.