Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние избирательного нагрева на кинетику поздней стадии фазового перехода первого рода
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: ambrok@ipme.ru
Поступила в редакцию: 8 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.
Исследовано воздействие излучения на кинетику поздней стадии фазовых переходов первого рода - оствальдовское созревание. В частности, выявлены особенности кинетики роста зардышей в зависимости от их размеров и времени воздействия излучения. Показаны возможные пути управления кинетикой роста зародышей.
- Кукушкин C.А., Осипов А.В. // Хим. физика. 1996. Т. 15. N 9. С. 5--104
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // УФН. 1998. Т. 168. N 10. С. 1083--1116
- Кукушкин С.А., Слезов В.В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. С.-Пб.: Наука, 1996. 309 с
- Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука, 1964. 487 с
- Лыков А.В. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967. 599 с
- Любов Б.Я. Теория кристаллизации в больших объемах. М.: Наука, 1975. 256 с
- Hopper R.W., Uhlmann D.R. // J. Appl. Phys. 1970. Vol. 41. N 10. P. 4023--4037
- Kaganovskii Yu., Rosenbluh M. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 65. N 22. P. 3297--3299
- Кукушкин С.А. // ФТТ. 1985. Т. 27. Вып. 10. С 2987--2991
- Лифшиц И.М., Слезов В.В. // ЖЭТФ. 1958. Т. 35. Вып. 2. С. 479--492
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
