Микролегирование приповерхностных слоев арсенида галлия ионами водорода
Анисимов В.В., Демкин В.П., Квинт И.А., Мельничук С.В., Семухин Б.С.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 29 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.
Предлагается метод микролегирования приповерхностных слоев полупроводников ионами водорода с использованием плазменно-пучкового разряда. Проведенный эксперимент на арсениде галлия показал, что данный метод является эффективным по сравнению с известными способами модифицирования приповерхностных слоев.
- Сергеев А.Н., Ремнев Г.Е., Руднев С.В. Тонкослойное протонно-ионное модифицирование. Томск: изд-во Томского университета, 1993. 417 с
- Davis H.A., Remnev G.E., Stinnett R.W., Yatsui K. // Intense Ion-Beam Treatmen of Materials. MRS bulletin. 1996. P. 58--62
- Karelin A.V., Demkin V.P., Melnichuk S.V. // Intern. Conf. on LASERS'96. 1996. P. 653--657
- Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1997. 592 с
- Демкин В.П., Мельничук С.В., Муравьев И.И. // Оптика атмосферы и океана. 1993. N 3. С. 253--257
- Демкин В.П., Купчинский Н.Л. // Процессы ионизации с учетом возбужденных атомов. Л., 1988. С. 168--169
- Warren B.E. // Phys. Rev. 1941. Vol. 59. N 9. P. 693--698
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
