Обнаружен фотовольтаический эффект в предложенном новом классе гетероконтактов полупроводник/B. На основе различных полупроводниковых материалов (Si, GaAs, InSe, CdSiAs₂, ZnGeP₂ и CuGaS₂) и естественного белка открыта возможность и созданы фоточувствительные структуры. Впервые измерены фотоэлектрические параметры систем полупроводник/B и продемонстрирована принципиальная возможность достижения в таких структурах фоточувствительности с реализуемым в твердотельных фотопреобразователях уровнем. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования и установлен эффект окна: длинноволновая граница фоточувствительности определяется шириной запрещенной зоны полупроводника, а коротковолновая вблизи 3.55 связывается с квазимежзонными переходами в общей для всех гетероконтактов широкозонной компоненте - белке. Сделан вывод о возможностях применения структур нового класса в качестве широкополосных фотопреобразователей естественного излучения и фотоанализаторов линейно-поляризованного излучения при использовании кристаллов анизотропных полупроводников.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.