Сенсор на основе структуры Pt/LaF3/SiO2/SiC для детектирования хлорофтороуглеродов
Филиппов В.И.1, Васильев А.А.1, Терентьев А.А.1, Моритц В.2, Рот У.2
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Университет им. Гумбольдта, Берлин, ФРГ
Поступила в редакцию: 22 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
В качестве газового сенсора рассмотрена структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе карбида кремния с подзатворным слоем из твердого электролита LaF3. Исследована кинетика изменения напряжения плоских зон структуры Pt/LaF3/SiO2/SiC при взаимодействии с хлорофтороуглеродами (фреонами) в температурном интервале от 300 до 530oC. Из температурных зависимостей скорости отклика сенсора при воздействии различных фреонов оценены величины энергий активации газочувствительности. Показана возможность детектирования всех изученных в работе хлорофтороуглеродов на уровне концентраций 10 ppm в воздухе.
- Shiratori M., Katsyra M., Tsuchiya T. // Proc. Intern. Meet. on Chemical Sensors. Fukuoka (Japan), 1983. P. 119--124
- Nomura T., Amamoto T., Matsuura Y., Kajiyama Y. // Sensors and Actuators B. 1993. N 13--14. P. 486--488
- Moritz W., Krause S., Vasiliev A.A. et al. // Sensors and Actuators B. 1995. N 24--25. P. 194--196
- Moritz W., Filippov V., Bartolomaus L. et al. // Proc. Intern. Conf. on Solid-State Sensors and Actuators. Chicago, 1997. P. 1073--1076
- Терентьев А.А., Филиппов В.И. // Журнал аналитической химии. 1997. Т. 52. N 6. С. 635--639
- Терентьев А.А., Филиппов В.И., Якимов С.С. // Поверхность. 1994. N 2. С. 72--76
- Arbab A., Spetz A., Lundstrom I. // Sensors and Actuators B. 1993. N 15--16. P. 19--23
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.