Свойства и структура пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs c ориентациями (100), (111)A, (111)B методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Галиев Г.Б.1, Мокеров В.Г.1, Слепнев Ю.В.1, Хабаров Ю.В.1, Ломов А.А.2, Имамов Р.М.2
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.
Методом двухкристальной и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии исследовано структурное совершенство эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)A, (111)B. Выявлено сильное влияние отношения молекулярных потоков мышьяка и галлия gamma на структурное свойство эпитаксиальных пленок. Определены оптимальные значения параметра gamma для каждой из ориентаций подложек (100), (111)A и (111)B.
- Bose S.S., Lee B., Kim M.H., Stillman G.E. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 63. P. 743
- Wang W.I., Marks R.F., Vina L. // J. Appl. Phys. 1986. Vol. 59. P. 937
- Subbanna S., Kroemer H., Merz I.L. // J. Appl. Phys. 1986. Vol. 59. P. 488
- Okano Y., Seto H., Katahama H. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1989. Vol. 28. P. L151
- Okano Y., Shigeta M., Seto H. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1990. Vol. 29. P. L1357
- Piazza F., Pavesi L., Henini M., Johnston D. // Semicond. Sci. Technol. 1992. N 7. P. 1504
- Pavesi L., Henini M., Johnston D. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 66. P. 2846
- Афанасьев А.М., Александров П.А., Имамов Р.М. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев. М.: Наука, 1989. С. 151
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
