Вышедшие номера
Свойства и структура пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs c ориентациями (100), (111)A, (111)B методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Галиев Г.Б.1, Мокеров В.Г.1, Слепнев Ю.В.1, Хабаров Ю.В.1, Ломов А.А.2, Имамов Р.М.2
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Методом двухкристальной и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии исследовано структурное совершенство эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)A, (111)B. Выявлено сильное влияние отношения молекулярных потоков мышьяка и галлия gamma на структурное свойство эпитаксиальных пленок. Определены оптимальные значения параметра gamma для каждой из ориентаций подложек (100), (111)A и (111)B.