"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Количественный рентгенотопографический анализ дефектов монокристаллов 6H--SiC и гомоэпитаксиального карбида кремния
Кузнецов Г.Ф.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московской области, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Плоские дислокационные скопления (ПДС) и сегменты криволинейных дислокаций (СКД) рассматриваются как индикаторы локальных полей сдвиговых упругих напряжений (ЛПУН), существовавших в выращиваемых монокристаллах в момент стабилизации их дислокационной структуры. Расчеты по теории дислокаций с использованием экспериментально измеренных по рентгенотопограммам (Ланга и РПКИ) параметров ПДС и СКД дали величины ЛПУН в диапазоне 0.2-1.5· 106 Pa для тонких пластинок монокристаллов SiC (6H), выращенных методом сублимации в графитовом контейнере. Обнаружен сильный неоднородный изгиб пластинок монокристаллов, для исследования дислокационной структуры которых рентгенотопографический метод РПКИ вследствие его малой чувствительности к изгибу предпочтительнее метода Ланга.
  • Lebedev A.A., Andreev A.N. et al. // Proc. VII Intern. Symp. on Power Semiconductor Devices and IC. Yokohama, 1995. P. 90--95
  • Кузнецов Г.Ф. // Докт. дис. М., 1989. 466 с
  • Ланг А.Р. // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. С. 205--222, 259--267
  • Кузнецов Г.Ф. // Кристаллография. 1976. Т. 21. N 2. С. 847--849.
  • Кузнецов Г.Ф. // Аппаратура и методы рентгеновского анализа. 1973. Вып. 12. С. 162--167
  • Кузнецов Г.Ф., Семилетов С.А. // Обзоры по электронной технике. Сер. Микроэлектроника. М.: ЦНИИ "Электроника", 1975. Вып. 1 (280). 95 с
  • Кузнецов Г.Ф. // Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск: Наука, 1981. С. 133--138
  • Кузнецов Г.Ф. Препринт ИРЭ АН СССР. М., 1986. N 2 (441). 31 с
  • Кузнецов Г.Ф. // Кристаллография. 1989. Т. 34. С. 765--766
  • McLaren J.R., Tappng G., Davidge R.W. // Proc. Brit. Ceram. Soc. 1972. N 20. P. 259--265
  • Уббелоде А.Р., Льюис Ф.А. Графит и его кристаллические соединения. М.: Мир, 1965. 265 с
  • Кузнецов Г.Ф. // Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством и стандартизация. 1978. Вып. 3 (65). С. 39--65
  • Кузнецов Г.Ф., Семилетов С.А. // Кристаллография. 1977. Т. 22. С. 664--666
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.