Вышедшие номера
Ток в сильноточном планарном диоде с дискретной эмиссионной поверхностью
Беломытцев С.Я.1, Коровин С.Д.1, Пегель И.В.1
1Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Для сильноточного планарного диода с дискретной эмиссионной поверхностью получена зависимость величины тока от размера эмиттеров. Показано, что если расстояние между эмиттерами значительно превышает их размер, зависимость тока от отношения размера эмиттера к величине диодного зазора является степенной с показателем 3/2. При этом зависимость тока от напряжения подчиняется закону "трех вторых" до более высоких напряжений, чем в случае плоского диода с однородной эмиссионной поверхностью.