Вышедшие номера
Ток в сильноточном планарном диоде с дискретной эмиссионной поверхностью
Беломытцев С.Я.1, Коровин С.Д.1, Пегель И.В.1
1Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Для сильноточного планарного диода с дискретной эмиссионной поверхностью получена зависимость величины тока от размера эмиттеров. Показано, что если расстояние между эмиттерами значительно превышает их размер, зависимость тока от отношения размера эмиттера к величине диодного зазора является степенной с показателем 3/2. При этом зависимость тока от напряжения подчиняется закону "трех вторых" до более высоких напряжений, чем в случае плоского диода с однородной эмиссионной поверхностью.
  1. Бугаев С.П., Литвинов Е.А., Месяц Г.А., Проскуровский Д.И. // УФН. 1975. Т. 115. N 1. С. 101--120
  2. Bykov N.M., Gubanov V.P., Gunin A.V. et al. // Proc. 10-=SUP=-th-=/SUP=- Intern. Pulsed Power Conf. Albuquerque, NM, 1995. P. 71--74
  3. Месяц Г.А., Проскуровский Д.И. Импульсный электрический разряд в вакууме. Новосибирск: Наука, 1984. 256 с
  4. Myakishev D.G., Tiunov M.A., Yakovlev V.P. // Int. J. Mod. Phys. A (Proc. Suppl.). 1993. Vol. 2B. Pt II. P. 915--917
  5. Шубин А.Ф., Юрике Я.Я. // Изв. вузов. Физика. 1975. N 6. С. 134--136
  6. Djogo G., Gross J.D. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1997. Vol. 25. N 4. P. 617--624
  7. Месяц Г.А., Литвинов Е.А. // Изв. вузов. Физика. 1972. N 8. С. 158--160
  8. Iory H.R., Trivelpiece A.W. // J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40. N 10. P. 3924--3926
  9. Беломытцев С.Ф., Коровин С.Д., Месяц Г.А. // Письма в ЖТФ. 1980. Т. 6. Вып. 18. С. 1089--1092

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.