Определение потенциала поверхности диэлектрического слоя на мишени, бомбардируемой ионным пучком
Бондаренко Г.Г.1, Бажин А.И.1, Коржавый А.П.1, Кристя В.И.1, Аитов Р.Д.1
1Московский государственный институт электроники и математики, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Рассчитано электрическое поле у поверхности зарядного пятна, создаваемого ионным пучком на диэлектрическом покрытии мишени. Получено выражение, связывающее потенциал поверхности диэлектрика с потенциалом коллектора, при котором происходит насыщение коллекторного тока вторичных электронов. Оно позволяет определить падение потенциала на оксидном слое холодного катода без усложнения конструкции экспериментальной установки.
- Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. 564 с
- Аитов Р.Д., Коржавый А.П., Кристя В.И. // Обзоры по электронной технике. Сер. 6. 1991. Вып. 5. С. 1--47
- Упатов В.Я. // РиЭ. 1957. Т. 2. N 2. С. 184--192
- Крютченко О.Н., Чижиков А.Е. // Электронная техника. Сер. 4. 1987. N 4. С. 62--65
- Ибрагимов А. // ЖТФ. 1984. Т. 54. Вып. 2. С. 401--403
- Крютченко О.Н., Маннанов А.Ф., Носов А.А. и др. // Поверхность. 1994. N 6. С. 93--99
- Серебров Л.А., Фридрихов С.А. // РиЭ. 1960. Т. 5. N 10. С. 1680--1686
- Упатов В.Я. // РиЭ. 1994. Т. 39. N 6. С. 967--974
- Кирштейн П.Т., Кайно Г.С., Уотерс У.Е. Формирование электронных пучков. М.: Мир, 1970. 600 с
- Kanter H., Feibelman W.A. // J. Appl. Phys. 1962. Vol. 33. N 12. P. 3580--3588
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук